1994 / 95 |
LABORATORIUM FIZYCZNE |
|||
Ćwiczenie nr 72 |
Zjawisko Halla |
|||
ELEKTRONIKA |
|
|||
Wykonane dnia 5.11.94 |
|
Data |
Ocena |
Podpis |
|
T |
|
|
|
|
S |
|
|
|
1. Zasada pomiaru
Zjawisko Halla polega na powstawaniu pola elektrycznego E w płytce półprzewodnika, przez którą płynie prąd, umieszczonej w polu magnetycznym B:
Na powierzchniach bocznych płytki powstaje nadmiarowy ładunek - na jednej dodatni,
na drugiej ujemny, w wyniku czego powstaje dodatkowe pole elektryczne o natężeniu:
działające na elektrony siłą
skierowaną przeciwnie do siły Lorentza. Po ustaleniu się równowagi, FE=FL:
v -średnia prędkość elektronów
j - gęstość prądu w płytce
n - koncentracja elektronów
Stałą Halla RH (mającą znak ujemny w przypadku przewodnictwa n, lub ujemny dla przewodnictwa p), można wyznaczyć doświadczalnie ze wzoru:
b - grubość płytki
Przy znanej stałej Halla można obliczyć koncentrację elektronów swobodnych w metalu
lub elektronów przewodnictwa w półprzewodniku zdegenerowanym oraz ich ruchliwość -
ruchliwość holowską:
- opór właściwy materiału
2. Układ pomiarowy
3. Ocena dokładności pojedynczych pomiarów
woltomierz cyfrowy:
- dokładność 0,001V
- w naszych pomiarach można przyjąć najwyżej dokładność 0,01 V, gdyż z nie wyjaśnionych przyczyn (podejrzane są przewody) odczyt woltomierza nie chciał się ustalić
miliamperomierz:
- zakres: 15 mA
- podziałek: 60, 1 podziałka = 0,25 mA
- klasa: 1
Ze względu na nieliniowe zachowanie potencjometru regulującego prąd, szczególnie
przy wyższych wartościach trudne było dokładne ustawienie zadanych parametrów, dlatego też ostatnie pomiary przeprowadzone zostały przy takim prądzie, jaki udało się ustawić - nie 15, a
17 mA.
4. Tabele wyników
a) parametry próbki i warunki pomiarów efektu Halla:
l - długość próbki
a - szerokość próbki
b - grubość próbki
- oporność właściwa
przenikalność magnetyczna 1
materiał - monokryształ Ge
typ przewodnictwa - n
5. Wykres
6. Obliczenia
współczynnik kierunkowy prostej:
= 122,386*10-3 / 1079,628*10-6 = 122,6218
= 1,5626414 rad = 89,532754
Wartości podane w tabeli odnoszą się do zamieszczonego wykresu, na którym z racji różnej skali osi prosta nachylona jest pod większym kątem. W tym punkcie do dalszych obliczeń będę używał kąta nachylenia na wyimaginowanym wykresie o równej skali obu osi.
stała Halla:
RH= 122,6218*2*10-6/(170*10-3)= 1,4426094*10-3 m3/C
koncentracja elektronów:
n = 1/(1,4426094*10-3*1,602*10-19) = 4,32701*1021/m3 = 4,32701*1015/cm3
ruchliwość nośników:
H= 1,4426094*10-3/(7,8*10-3) = 0,1849499
7. Dyskusja błędów
Błędy wynikające z zastosowanych przyrządów pomiarowych zostały podane w
punkcie 3.:
U = 0,01 V
I = 0,15 mA
Wzór na błąd pomiaru stałej :
można uprościć do postaci:
gdyż wszystkie pomiary zostały wykonane przy tych samych zakresach przyrządów.
= 1,839327 2
Stąd błąd pomiaru stałej Halla obliczony metodą różniczki logarytmicznej wynosi:
RH= 1,586794*10-41,6*10-4
Zważywszy na warunki pomiarów, a zwłaszcza rozregulowany potencjometr do usta-wiania prądu, błąd rzędu 11% wydaje się być zadawalający.
8. Zestawienie wyników
RH = (1,44 0,16) * 10-3 m3/C
Cieszy mnie ten wynik, gdyż obliczona na jego podstawie koncentracja nośników jest
tego samego rzędu wielkości, co wartości otrzymywane na ćwiczeniach Przyrządów Półprzewodnikowych dla półprzewodników typu n.