Politechnika Lubelska	Laboratorium podstaw elektroniki
w Lublinie	Ćwiczenie nr 9
Sidor Piotr Bernard Jagieło		Semestr IV	Grupa: ED 4.3	Rok akademicki: 1996/97
Temat ćwiczenia: Bramki logiczne TTL			Data wykonania: 14.05.1997	Ocena:

Wyznaczanie charakterystyk statycznych bramki NAND

Schemat pomiarowy

Tabela pomiarów

u	v	0	1	1.25	2	2.25	3	4	4.5
I	mA	-6.5	-0.4	0	0.4	0.5	0.6	0.8	0.98

Charakterystyka wejściowa

Wyznaczanie charakterystyki przełączania

Schemat pomiarowy

Wyniki pomiarów

U0	V	3.28	2,54	0.8	0.081	0.081	0.081
U1	V	0	1	1,5	2	3	4
Icc	mA	4.5	4.8	23	5,3	5	5

Wnioski:

W ćwiczeniu badamy właściwości bramki typu NAND . Wyznaczamy ich charakterystyki statyczne, dzięki nim można określić podstawowe parametry tych bramek.

Stany wyjściowe 0, 1 uzyskuje się przy pewnych zakresach napięć wejściowych wartość tego napięcia powinna znajdować się w pewnym przedziale . Jednocześnie powinien być zachowany pewien odstęp w obszarze przejściowym dzięki czemu zwiększa się odporność bramki na zakłócenia .Wartość napięcia wejściowego interpretowanego jako 1 na wejściu zawiera się w granicy (2; 5) [V] na wyjściu (2,4 ;5), a 0 logiczne na wejściu (-0.5 ; 0,8 ) i wyjściu (0 ;0,4 ).Stanie włączenia na obydwóch wejściach jest poziom H powoduje to że na wyjściu jest poziom L . Gdy choć na jednym wejściu jest poziom L to na wyjściu mamy H .

Zasadę działania tej bramki oraz bramek typu OR , EX-OR w zależności od poziomu logicznego na wejściu obrazują tablice stanów.

Z charakterystyk wejściowych przedstawia zależność prądu wejściowego od napięcia

na wejściu bramki ,Mamy tam dwa obszary do U=1,4 prąd wejściowy wypływa z bramki

, powyżej tego napięcia prąd stopniowo zwiększa się ( wpływa do bramki ).Na charakterystyce przełączania mamy trzy zakresy od 2 [V]na wyjściu jest stan niski, od zera do 1.4 stan wysoki

a, pomiędzy 1.3 do 1.9 następuje okres przełączania.

Zależność prądu od obciążenia jest przedstawiona na charakterystyce wyjściowej w stanie 1 im bardziej bramka jest obciążana tym napięcie wyjściowe proporcjonalnie maleje.

Z charakterystyki poboru prądu (dla około 1,5 [V] ) w czasie przełączania widoczny jest bardzo duży skok poboru prądu .Spowodowany on jest tym ,że tranzystor T₄ wychodzi z nasycenia a przy dużej wartości ładunku zgromadzonego w nim dzięki temu możliwe jest przejście w nasycenie tranzystora T₃ czyli oba tranzystory przewodzą . Spowoduje to przejściowe zwiększenie prądu pobieranego przez bramkę.

U [V]

I [mA]

---