Fototranzystor - są to elementy o strukturze bardzo podobnej do tranzystora bipolarnego. Różnią się tym że obszar bazy może być oświetlany i nie zawsze końcówka bazy ma wyprowadzenie na zewnątrz. Zwykle pracuje w układach WE. Pod wpływem światła padającego na powierzchnię półprzewodnika, w bazie są generowane dodatkowe pary elektron-dziura W przypadku tran. npn elektrony są odbierane bezpośrednio przez kolektor , stanowiąc dodatkową składową prądu zerowego C, dziury natomiast nie mogą przejść ani do E ani do C bo napotykają z obu stron barierę potencjałów.
Duża czułość świetlna fototranzystorów wpływa na zmniejszenie szybkości działania. Czułość fototranzystora przerasta czułość fotodiody 3x. Jednak częstotliwość graniczna fototranzystora jest około β-razy mniejsze od częstotliwości granicznej footodiody.
Układ zastępczy fototranzystora typu Π
Generator prądowy Jf między bazą a kolektorem reprezentuje prąd indukowany przez energię promieniowania. W przypadku fototranzystorów dwukońcówkowych wyprowadzenie bazy jst stale otwarte. Rezystancja r jest stosunkiem napięcia zmiennego B-E i prądu zmiennego B a gm.U jest generatorem napięcia na r.
U=JF r
gm.U=B JF
Parametry:
UCE-napięcie C-E
P- moc całkowita strat
IL-prąd jasny
ICE0-prąd ciemny
Czułość
Δλ-widmowy zakres pracy
tr/tf- czasy narastania i opadania