Sekcja: 8 AiR 2002 gr.: 1

Temat ćwiczenia: Tranzystor bipolarny

Autorzy:

Marcin Podeszfa

Kamil Sokołowski

Lucjan Michalski

1. Wyniki pomiarów tranzystora bipolarnego n-p-n (BC211)
   

1. przy ustalonym napięciu koletor-emiter

Ib	Ube(Uce=2V)	Ube(Uce=5V)	Ube(Uce=10V)	Ic(Uce=2V)	Ic(Uce=5V)	Ic(Uce=10V)
0,89	0,533	0,531	0,532	0,032	0,033	0,034
1,86	0,559	0,56	0,56	0,083	0,084	0,086
4,84	0,59	0,59	0,59	0,268	0,271	0,274
9,97	0,611	0,611	0,611	0,615	0,62	0,627
19,61	0,632	0,631	0,631	1,373	1,385	1,4
45,7	0,657	0,646	0,653	3,9	3,94	4,02
99,7	0,673	0,672	0,67	8,34	8,43	8,59
200	0,69	0,688	0,677	17,63	18,09	18,76

2. przy ustalonym prądzie bazy

Uce	Ube(Ib=10μA)	Ube(Ib=50μA)	Ube(Ib=100μA)	Ic(Ib=10μA)	Ic(Ib=50μA)	Ic(Ib=100μA)
0	0,546	0,593	0,601	0	0,03	0,07
0,046	0,573	0,621	0,642	0,16	0,92	1,94
0,083	0,597	0,644	0,665	0,37	2,28	4,74
0,103	0,605	0,651	0,671	0,48	2,84	5,88
0,155	0,61	0,656	0,671	0,6	3,68	7,42
0,201	0,611	0,656	0,67	0,62	3,78	7,64
0,249	0,611	0,656	0,672	0,63	3,86	7,83
0,304	0,611	0,658	0,676	0,63	3,86	8,08
0,401	0,611	0,658	0,678	0,63	3,86	8,18
0,504	0,611	0,658	0,678	0,63	3,86	8,18
1,006	0,611	0,658	0,677	0,63	3,87	8,21
2,001	0,609	0,656	0,676	0,63	3,91	8,29
4,046	0,609	0,655	0,675	0,64	3,94	8,36
6,09	0,608	0,655	0,673	0,64	3,96	8,45
10,013	0,605	0,652	0,67	0,65	4,02	8,58

2. Schemat pomiarowy:

3. Wykresy charakterystyk: (w załączniku)

Legenda:

Niebieski =: Uce = 10 V Ib = 100 μA

Czerwony =: Uce = 5 V Ib = 50 μA

Granatowy : Uce = 2 V Ib = 10 μA

4. Obliczenia:

1. Punkty pracy

Ube=0,655 V

Uce=3,100 V

Ib=94 μA

Ic=3,95 mA

2. Parametry tranzystora

Ube = 0.036 V

Uce = 2,045 V

 Ib = 50 μA

 Ic = 7,045 mA

Parametry hybrydowe :

h₁₁ = 720

h₁₂ = 0,0176

h₂₁ = 140,9

h₂₂ = 0,0035

5. Wnioski:

Badanym przez nas elementem półprzewodnikowym był tranzystor o oznaczeniu BC211, który jest przykładem tranzystora bipolarnego typu n-p-n.

Ze względu na brak czasu nie wykonaliśmy pomiarów dla tranzystora BC313 (p-n-p).

Otrzymane przez nas charakterystyki nie odbiegają kształtem w sposób znaczący od charakterystyk, które oczekiwaliśmy uzyskać.

W części charakterystyki wejściowej pojawił się nieznaczna rozbieżność która wpłynęła na obliczenia wartości parametrów tranzystora (okolice Ib = 50 - 100 μA).

4

---