Sekcja: 8 AiR 2002 gr.: 1
Temat ćwiczenia: Tranzystor bipolarny
Autorzy:
Marcin Podeszfa
Kamil Sokołowski
Lucjan Michalski
Wyniki pomiarów tranzystora bipolarnego n-p-n (BC211)
przy ustalonym napięciu koletor-emiter
Ib |
Ube(Uce=2V) |
Ube(Uce=5V) |
Ube(Uce=10V) |
Ic(Uce=2V) |
Ic(Uce=5V) |
Ic(Uce=10V) |
0,89 |
0,533 |
0,531 |
0,532 |
0,032 |
0,033 |
0,034 |
1,86 |
0,559 |
0,56 |
0,56 |
0,083 |
0,084 |
0,086 |
4,84 |
0,59 |
0,59 |
0,59 |
0,268 |
0,271 |
0,274 |
9,97 |
0,611 |
0,611 |
0,611 |
0,615 |
0,62 |
0,627 |
19,61 |
0,632 |
0,631 |
0,631 |
1,373 |
1,385 |
1,4 |
45,7 |
0,657 |
0,646 |
0,653 |
3,9 |
3,94 |
4,02 |
99,7 |
0,673 |
0,672 |
0,67 |
8,34 |
8,43 |
8,59 |
200 |
0,69 |
0,688 |
0,677 |
17,63 |
18,09 |
18,76 |
przy ustalonym prądzie bazy
Uce |
Ube(Ib=10μA) |
Ube(Ib=50μA) |
Ube(Ib=100μA) |
Ic(Ib=10μA) |
Ic(Ib=50μA) |
Ic(Ib=100μA) |
0 |
0,546 |
0,593 |
0,601 |
0 |
0,03 |
0,07 |
0,046 |
0,573 |
0,621 |
0,642 |
0,16 |
0,92 |
1,94 |
0,083 |
0,597 |
0,644 |
0,665 |
0,37 |
2,28 |
4,74 |
0,103 |
0,605 |
0,651 |
0,671 |
0,48 |
2,84 |
5,88 |
0,155 |
0,61 |
0,656 |
0,671 |
0,6 |
3,68 |
7,42 |
0,201 |
0,611 |
0,656 |
0,67 |
0,62 |
3,78 |
7,64 |
0,249 |
0,611 |
0,656 |
0,672 |
0,63 |
3,86 |
7,83 |
0,304 |
0,611 |
0,658 |
0,676 |
0,63 |
3,86 |
8,08 |
0,401 |
0,611 |
0,658 |
0,678 |
0,63 |
3,86 |
8,18 |
0,504 |
0,611 |
0,658 |
0,678 |
0,63 |
3,86 |
8,18 |
1,006 |
0,611 |
0,658 |
0,677 |
0,63 |
3,87 |
8,21 |
2,001 |
0,609 |
0,656 |
0,676 |
0,63 |
3,91 |
8,29 |
4,046 |
0,609 |
0,655 |
0,675 |
0,64 |
3,94 |
8,36 |
6,09 |
0,608 |
0,655 |
0,673 |
0,64 |
3,96 |
8,45 |
10,013 |
0,605 |
0,652 |
0,67 |
0,65 |
4,02 |
8,58 |
Schemat pomiarowy:
Wykresy charakterystyk: (w załączniku)
Legenda:
Niebieski =: Uce = 10 V Ib = 100 μA
Czerwony =: Uce = 5 V Ib = 50 μA
Granatowy : Uce = 2 V Ib = 10 μA
Obliczenia:
Punkty pracy
Ube=0,655 V
Uce=3,100 V
Ib=94 μA
Ic=3,95 mA
Parametry tranzystora
Ube = 0.036 V
Uce = 2,045 V
Ib = 50 μA
Ic = 7,045 mA
Parametry hybrydowe :
h11 = 720
h12 = 0,0176
h21 = 140,9
h22 = 0,0035
Wnioski:
Badanym przez nas elementem półprzewodnikowym był tranzystor o oznaczeniu BC211, który jest przykładem tranzystora bipolarnego typu n-p-n.
Ze względu na brak czasu nie wykonaliśmy pomiarów dla tranzystora BC313 (p-n-p).
Otrzymane przez nas charakterystyki nie odbiegają kształtem w sposób znaczący od charakterystyk, które oczekiwaliśmy uzyskać.
W części charakterystyki wejściowej pojawił się nieznaczna rozbieżność która wpłynęła na obliczenia wartości parametrów tranzystora (okolice Ib = 50 - 100 μA).
4
Wyszukiwarka