POLITECHNIKA LUBELSKA w LUBLINIE |
||
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI |
Ćwicz. nr 1 |
|
TEMAT: BADANIE CHARAKTERYSTYK STATYCZNYCH TRANZYSTORA |
DATA: 1996.02.26 |
|
WYKONAŁ: ADAM KURNICKI |
GRUPA: ED 4.4 |
OCENA: |
SKŁAD GRUPY LABORATORYJNEJ:
Jurkiewicz Stanisław
Kęsik Jacek
Kurnicki Adam
Celem ćwiczenia jest wyznaczanie charakterystyk statycznych i parametrów mieszanych tranzystora n-p-n w układzie WB i WE .
Przyrządy pomiarowe :
QUAD POWER SUPPLY KB-6118
DIGITAL VOLTMETR TYPE V541
Miliamperomierz MEA1
1. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WB
mA1 mA2
e c
ZASILACZ ZASILACZ
Z1 V1 b V2 Z2
Schemat układu pomiarowego
Tabela pomiarów :
Ucb= 2 V |
Ucb= 4 V |
Ucb= 6 V |
||||||
Ueb |
Ιe |
Ιc |
Ueb |
Ιe |
Ιc |
Ueb |
Ιe |
Ιc |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
mA |
V |
mA |
mA |
0,55 0,64 0,68 0,71 0,74 0,76 0,79 0,80
|
10 20 30 40 60 80 100 120
|
10 18 28 40 58 78 94 114
|
0,51 0,60 0,63 0,66 0,69 0,72 0,75 0,76 0,76 |
10 20 30 40 60 80 100 120 140
|
9 19 27 38 56 77 92 111 130
|
0,50 0,59 0,61 0,64 0,66 0,68 0,69 0,69 0,70 0,70 |
10 20 30 40 60 80 100 120 140 160 |
9 18 28 38 56 76 93 112 130 149 |
Ιe= 20 mA |
Ιe= 60 mA |
Ιe= 100 mA |
||||||
Ucb |
Ιc |
Ueb |
Ucb |
Ιc |
Ueb |
Ucb |
Ιc |
Ueb |
V |
mA |
V |
V |
mA |
V |
V |
mA |
V |
0,5 1 2 3 4 5 6 7 8 |
19 19 19 19 19 19 19 19 19 |
0,70 0,70 0,70 0,70 0,69 0,69 0,69 0,69 0,68 |
0,5 1 2 3 4 5 6 7 8 |
58 58 58 58 58 58 58 58 58 |
0,76 0,75 0,75 0,75 0,74 0,74 0,74 0,74 0,73 |
1 2 3 4 5 6 7 8 |
95 95 95 95 95 95 95 95 |
0,80 0,80 0,79 0,78 0,78 0,78 0,77 0,77 |
1.1 Wyznaczanie przyrostowych parametrów mieszanych .
1. Impedancja wejściowa :
,
2. Współczynnik wzmocnienia prądowego :
,
3. Admitancja wyjściowa :
, ok. 10-6 S
4. Oddziaływanie wsteczne :
,
2. Wyznaczanie charakterystyk statycznych tranzystora w układzie WE
c
mA1 mA2
ZASILACZ b ZASILACZ
Z1 V1 e V2 Z2
Schemat układu pomiarowego
Uwaga : Wykonanie pomiarów w układzie WE było niemożliwe ze względu na
niepoprawną pracę zasilacza .
Wnioski:
1. Otrzymane charakterystyki statyczne tranzystora n-p-n ( BC 211 ) w układzie
WB odpowiadają swoim charakterem (kształtem) charakterystykom teoretycznym ( „ książkowym ” ) .
2. Charakterystyki wejściowe Ueb=f(Ie)Ucb=const. różnią się w zależności od wartości napięcia Ucb .Jeżeli rodzinę tych charakterystyk przetnie się linią stałego napięcia
Ueb to większym napięciom Ucb będą odpowiadały większe wartości prądu Ie .
Spowodowane jest to występowaniem tutaj zjawiska modulacji efektywnej szero-
kości bazy tzn. wzrost napięcia Ucb powoduje zmniejszenie efektywnej szeroko-
ści bazy i wzrost prądu emitera .
3. Charakterystyki wyjściowe Ic=f(Ucb)Ie=const. otrzymane z pomiarów są funkcjami
stałymi niezależnymi od napięcia Ucb . Jednak w rzeczywistości nie są one idealnie płaskie lecz mają nieznaczne odchylenie dodatnie (tzn. ze wzrostem Ucb
prąd Ic nieznacznie wzrasta ). Świadczy o tym skończona rezystancja wyjściowa ( rzędu 106 Ω ) a spowodowane jest to występowaniem (j.w.) zjawiska modulacji efektywnej szerokości bazy.
4. Charakterystyki przejściowe Ic=f(Ie)Ucb=const. dla różnych napięć Ucb w przybliżeniu
pokrywają się .
5. Charakterystyki zwrotne Ueb=f(Ucb)Ie=const. przy dużych uproszczeniach powinny być liniami równoległymi do osi Ucb . Jednak w wyniku pewnego oddziaływania
zwrotnego u którego podstaw leży wspomniane zjawisko modulacji efektywnej szerokości bazy wzrostowi napięcia Ucb towarzyszy zmniejszenie wartości napięcia Ueb ( Ie =const. ) .
6. Wyznaczone na podstawie charakterystyk statycznych przyrostowe parametry
mieszane:
a) rezystancja wejściowa h11b = 4 Ω potwierdza fakt iż w układzie WB ma małą
wartość jednakże w rzeczywistości jest ona o conajmniej rząd wielkości większa.
b) współczynnik wzmocnienia prądowego h21b = 0,95 w przybliżeniu odpowiada
faktycznemu współczynnikowi w układzie WB.
c) współczynnik oddziaływania wstecznego h12b = 0,002 w układzie WB jest on
o około rząd wielkości mniejszy .
d) admitancja wyjściowa h22b powinna być bardzo mała rzędu 10-6 S ( nie wyznaczona ze względu na płaską ch-kę wyjściową ).