Pierwsza częścią tego ćwiczenia był pomiar paramatrów roboczych wzmacniacza w konfiguracji OE, OB. oraz OC. Sprawdzaliśmy jaki wpływa zmiana Rg i R0 na Rwy, Rwe, Gu0, Gio, Gu0s oraz Gi0s.
Dla OE, przy zmianie Rg nie zmienia się Rwy a co za tym idzie również rwy. Przy stałej wartości Rg i zmianie wartości obciążenia Rwe oraz rwe nie ulegają zmianie. Zmienia natomiast się Guo. Wynika to z faktu, ze zwiekszajac rezystancje obciazenia odklada się na niej wieksze napiecie a co za tym idzie jego stosunek do napiecia wejsciowego jest wiekszy. Nie ulega natomiast zmiana Gi0. Parametrem który mówi jak wpływają zmiany parametrów wejściowych na wyjście jest parametr h12e. Ponieważ ma on bardzo małą wartośc (1o^-4) potwierdza to nasze pomiary, które mówią, że zmiana Rg nie wpływa na Rwy a zmiana R0 nie wpływa na Rwe.
Dla OB. prądem wejściowym jest teraz prąd emitera, a prądem wyjściowym prąd kolektora, więc ich stosunek czyli wzmocnienie prądowe jest mniejsze od jednosci. Wraz ze wzrostem Rg maleje nieznacznie Rwy a także (lecz już w wiekszym stopniu) rwy. Dla zmiany wartosci Ro, nastepują minimalne zmiany Rwe (czyli także rwe). Tutaj również jak w układzie OE następuje wzrost Gus (Gu0s), a wzmocnienie prądowe pozostaje bez zmian. Można zatem stwierdzic, że dla wzmaciacza OE oraz OB. wzmocnienie napięciowe jest takie samo.
Ponieważ tutaj tranzystor jest inaczej włączony. Napięciem wejściowym jest Ube a prądem wejściowym prąd emitera a nie jak wczesniej bazy. Ponieważ prąd emitera jest o wiele większy niż prad bazy rezystancja wejściowa jest o wiele mneijsza niż dla układu OE.
Dla OC ze skryptu str. 23. Inaczej natomiast niż w okladzie OE, w tym przypadku Guo (Gu0s) pozostaje bez zmian, zmienia się natomiast Gio (Gi0s).
Po wprowadzeniu do wzmacniacza OE USZ P-SZ również badalismy te same paramatry. I tak, dla zmiany Rg, nie zmiania się Rwy (rwy). Przy zmianie Ro również nie nastepuje zmiana wartosci Rwe (rwe). Zmieniaja się jednak wartosci wzmocnienia napieciowego, przy takich samych wartosciach wzmocnienia pradowego. Ponieważ napięcie wejściowe dzieli się miedzy złącze baza-emiter a rezystancje Rf więc ulega ono zmniejszeniu czyli tranzytor jest sterowany słabszym napięciem, a w konsekwencji do zmalenia wzmocnienia napięciowego.
Dla tego samego wzmaniacza w ukladzie OE i wprowadzeniu USZ N-R przy wzroscie Rg maleje nam Rwy (rwy). Tak samo dla zmiany obciazenia widac roznice w Rwe (rwe) oraz wzmocnieniach, zarówno pradowym jak i szeregowym. To wszystko spowodowane jest tym, ze włączając rezystor Rf pomiedzy kolektor a bramke, nasz uklad staje się bardziej przeźroczysty, co przy zmianie parametrow wejsciowych zmienia również parakatry wyjsciowe i odwrotnie.
Pomiar częstotliwości:
Pomiaru częstotliwości granicznych dokonywaliśmy w tych samych układach, czyli OE, OB., OC, P-SZ, N-R.
Na częstotliwość graniczną dolną wpływają stałe czasowe 3 obwodów: wejściowy, wyjściowy oraz emiterowy. Przy zmianie konfiguracji układu, zmieniały się wartości R i C w.w obwodów a co za tym idzie ich stałe czasowe, które to decydują o wartości częstotliwości. Jeśli dominujący jest tylko jeden układ charakterystyka Bodego ma spadek 20dB/dek, jeśli domunujące są 2 obowdy jest to 40dB/dek, natomiast jeśli częstotliwości układów są do siebie zbliżone, charakterystyka całego wzmacniacza spada o 60dB/dek.
Przy częstotliwościach gr. górnych wpływ mają pojemności wewnętrzne tranzystora. Przy róznych układach włączenia tranzystora, zmieniają się te pojemności a więc i częstotliwości. Tutaj występuje jeden biegun domunujący więc char. Spadają o 20dB/dek.
Ćwiczenie laboratoryjne pozwoliło nam zbadać wpływ Rg oraz Ro na Rwe, Rwy, Gus, Gis dla wzmacniaczy w układach OE, OB., OC oraz dla podstawowych sprzężeń zwrotnych czyli P-Sz oraz N-R.