E L E K T R O N I K A
Wykład – 2 godz. tygodniowo
Laboratorium – 2 godz. tygodniowo – w sali EM-C11
ZASADY ZALICZANIA PRZEDMIOTU:
Wynik na podstawie:
a) sprawdzianów przeprowadzanych na zajęciach laboratoryjnych - 2
planowe sprawdziany po każdej serii ćwiczeń po ok. 1,5 godziny –
waga wyniku ze sprawdzianów laboratoryjnych wynosi 0,3;
b) sprawozdań z wykonanych ćwiczeń laboratoryjnych (na ocenę
sprawozdania ma wpływ także przygotowanie studenta do ćwiczenia i
sposób wykonania ćwiczenia przez grupę laboratoryjną) – waga
wyniku ze sprawozdań wynosi 0,3;
c) egzaminu pisemnego w sesji – waga wyniku z egzaminu wynosi 0,4.
Wynik końcowy jest średnią ważoną, zaliczenie przedmiotu wymaga
uzyskania średniej ważonej o wartości ponad 50%.
LITERATURA:
1.
Tietze U., Schenk Ch.: Układy półprzewodnikowe. WNT,
Warszawa 1996.
2. Opolski A.: Elektronika dla elektryków. Wyd. PG, Gdańsk 2002.
3. Horowitz P., Hill W.: Sztuka Elektroniki. WKŁ, Warszawa
1996.
4. Filipkowski A.: Układy elektroniczne analogowe i cyfrowe.
WNT, Warszawa 2006.
5. Pr. zb. pod red. A. Opolskiego: Elektronika dla elektryków.
Laboratorium. Wyd. PG, Gdańsk 2003.
Elementy bierne elektroniki
Elementem biernym nazywamy element obwodu, w którym moc
elektryczna nie jest wzmacniana – doprowadzona energia może być
rozpraszana (ciepło) lub gromadzona jako energia pola elektrycznego lub
magnetycznego.
Podstawowe elementy bierne stosowane elektronice to rezystory,
kondensatory, cewki indukcyjne i transformatory.
Rezystory
Symbol:
u
i
R
i(t)
u(t)
)
t
(
i
R
)
t
(
u
⋅
=
R nazywamy rezystancją a jej jednostką jest om [
Ω]
Energia w rezystorze jest wydzielana głównie w postaci ciepła.
Podstawowe parametry rzeczywistego rezystora to:
1) Rezystancja znamionowa R
n
i tolerancja rezystancji
– określają
przedział w którym mieści się rzeczywista rezystancja elementu.
Produkowane są rezystory o wartościach od 0,01
Ω do 10
12
Ω oraz o
tolerancjach (dokładności) od 0,005% do 20%. Rezystory produkowane
seryjnie mają znormalizowane ciągi wartości:
E6
±20%
1,0
1,5
2,2
3,3
4,7
6,8
E12
±10%
1,0
1,2
1,5
5,6
6,8
1,8
2,2
2,7
3,3
3,9
4,7
8,2
1,0
1,1
1,2
2,4
2,7
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1
5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
1,3
1,5
1,6
1,8
2,0
2,2
3,0
E24
±5%
Mnożąc wartości z tabeli przez 10
n
uzyskujemy możliwe wartości
nominalne rezystancji produkowanych rezystorów.
Do bardziej precyzyjnych układów używamy rezystorów o mniejszych
tolerancjach np. 1% lub 0,1%.
2) Znamionowa moc strat rezystora P
n
– określa dopuszczalną moc
wydzielaną w sposób ciągły w rezystorze przy temperaturze otoczenia
40°C. Typowe moce produkowanych rezystorów w watach [W] to: 0,05
0,125 0,25 0,5 1 2 3 5 10 20 60 ... 250. Trwałe przekroczenie
mocy znamionowej prowadzi do cieplnego zniszczenia rezystora,
dopuszczalne jest natomiast krótkotrwałe, nawet znaczne przekroczenie tej
mocy.
3) Napięcie graniczne U
n
– określa najwyższą wartość napięcia (stałego lub
szczytowego zmiennego), które może być doprowadzone do rezystora – nie
może być przekroczone nawet chwilowo (wytrzymałość elektryczna na
przebicie !); typowe wartości 150 ÷ 750 V.
4) Temperaturowy współczynnik rezystancji TWR
– określa względną (w
procentach) zmianę rezystancji przy zmianie temperatury o 1K (1°C) ; w
zależności od materiału i rodzaju wykonania może przyjmować wartości
dodatnie lub ujemne; typowy rząd wielkości: 0,1 %/K.
Rezystory wytwarzane są najczęściej ze sprasowanych mas węglowych,
folii metalowej, drutu lub elementów półprzewodnikowych.
Produkowane są także rezystory nastawne – potencjometry.
Przy sygnałach o bardzo wysokiej częstotliwości powyżej kilkudziesięciu
MHz w rezystorze uwidaczniają się parametry pasożytnicze –
indukcyjność, pojemność; rośnie też jego rezystancja (naskórkowość,
prądy wirowe, straty dielektryczne).
Pomiar rezystancji można wykonać przy pomocy omomierza – obecnie
głównie multimetry cyfrowe o odpowiednich zakresach pomiarowych.
R
1
R
2
U
we
U
wy
Dzielnik napięcia:
2
1
2
we
wy
R
R
R
U
U
+
=
Wyznaczanie rezystancji metodą techniczną: a) dla rezystancji o
niewielkiej wartości (poniżej 1
Ω), b) dla rezystancji większych
Do precyzyjnych pomiarów laboratoryjnych stosuje się układy mostkowe.
Mostek Wheatstone’a jest w równowadze tzn.
przez galwanometr nie płynie prąd, jeżeli:
4
3
2
R
R
R
R =
a więc mając dobrane precyzyjnie 3 rezystancje
mostka, można bardzo dokładnie wyznaczyć 4-tą.
Ćwiczenie: wyprowadzić wzór metodą Thevenina
G
R
R
2
R
3
R
4
R
E
+ -
4
3
2
R
R
R
R
=
czyli:
Nieliniowe rezystory półprzewodnikowe:
Termistor
– rezystor zmieniający w znacznym stopniu rezystancję przy
zmianie temperatury, stosowane do pomiaru temperatury lub
zabezpieczenia urządzeń przed przegrzaniem:
- PTC (Positive Temperature Coefficient) rezystancja rośnie przy wzroście
temperatury,
- NTC (Negative Temperature Coefficient) rezystancja maleje przy
wzroście temperatury,
- CRT (Critical Temperature Resistor) rezystancja zmienia się prawie
skokowo przy przekroczeniu temperatury krytycznej.
Fotorezystor
– rezystor zmniejszający rezystancję pod wpływem
oświetlenia.
Tensometr
– rezystor zmieniający rezystancję pod wpływem naprężenia
mechanicznego, wywołującego deformację
–
wykorzystywany do
pomiarów sił (naprężeń).
Gaussotron
– rezystor zmieniający rezystancję pod wpływem pola
magnetycznego –
wykorzystywany do pomiarów indukcji pola
magnetycznego.
Kondensatory
C
i(t)
Symbol:
u(t)
Wielkość C nazywamy pojemnością elektryczną, jej jednostką jest farad
[F]. Kondensatory stosowane w układach elektronicznych mają z reguły
pojemności rzędu milifarada (1 mF = 10
-3
F), mikrofarada (1
µF = 10
-6
F),
nanofarada (1 nF = 10
-9
F) lub pikofarada (1 pF = 10
-12
F).
u
C
Q
⋅
=
Kondensatory gromadzą ładunek elektryczny:
Energia doprowadzona do kondensator jest gromadzona w powstałym
polu elektrycznym.
dt
)
t
(
du
C
)
t
(
i
⋅
=
)
0
(
u
d
)
(
i
C
1
)
t
(
u
t
0
+
τ
τ
=
∫
Podstawowe parametry rzeczywistego kondensatora to:
1) Pojemność znamionowa C
n
i tolerancja pojemności
– określają przedział
w którym mieści się rzeczywista pojemność elektryczna elementu.
Produkowane są kondensatory o pojemności od 1 pF do kilku F.
Kondensatory produkowane seryjnie mają znormalizowane ciągi wartości.
2) Napięcie znamionowe U
n
– określa z reguły najwyższą wartość napięcia,
które może być doprowadzone do kondensatora. W przypadku
kondensatorów, które stosuje się w obwodach o prądzie stałym i zmiennym
określa się również dopuszczalne wartości składowej zmiennej – różne dla
różnych częstotliwości; typowe wartości od kilku V (dla kondensatorów
elektrolitycznych) do ok. 750 V.
3) Temperaturowy współczynnik pojemności TWP
– określa względną (w
procentach) zmianę pojemności kondensatora przy zmianie temperatury o
1K (1°C) ; w zależności od materiału i rodzaju wykonania może
przyjmować wartości dodatnie lub ujemne; typowy rząd wielkości: od 10
-4
do 0,5 %/K (duże wartości dla kondensatorów elektrolitycznych).
4) Współczynnik stratności tg
δ
–
δ jako tzw. kąt strat wynosi (90°-ϕ) gdzie
ϕ jest kątem przesunięcia fazowego między prądem i napięciem
kondensatora przy określonej częstotliwości. Straty powstają głównie
wskutek zjawiska histerezy dielektrycznej, ich moc:
Typowe wartości tg
δ zawierają się od 10
-4
do 0,8.
δ
π
=
tg
fCU
2
P
2
Kondensatory zbudowane są z 2 warstw przewodzących (okładzin)
rozdzielonych dielektrykiem. Użyty dielektryk decyduje o parametrach i
właściwościach kondensatora i od niego pochodzi nazwa kondensatora, np:
poliestrowy, polistyrenowy, mikowy, ceramiczny, polipropylenowy,
papierowy, teflonowy, tantalowy itd.
Szczególnym rodzajem są
kondensatory elektrolityczne
– warstwa
dielektryka tlenkowego (tlenek aluminium lub tantalu) jest wytwarzana
elektrolitycznie w procesie formowania wytworzonego elementu – ujemną
okładziną jest tu elektrolit. Cechuje je duża pojemność elektryczna na
jednostkę objętości i stosunkowo niskie napięcia znamionowe. Warstwa
tlenku ma właściwości izolacyjne tylko dla jednego kierunku napięcia –
kondensatory te mogą
być
stosowane tylko przy napięciach
jednokierunkowych (napięcia stałe). Doprowadzenie napięcia o
niewłaściwej polaryzacji powoduje zniszczenie kondensatora
elektrolitycznego.
Symbol:
+ –
Uwzględniając wszystkie zjawiska dodatkowe (straty w dielektryku,
upływność, indukcyjność własną), pełny schemat zastępczy kondensatora
przybiera postać:
W praktyce większość parametrów pasożytniczych należy uwzględnić
tylko przy częstotliwościach powyżej kilkudziesięciu MHz.
Przy łączeniu równoległym kondensatorów łączna pojemność układu jest
sumą pojemności elementów składowych:
C
1
C
2
C
n
C
Z
n
2
1
Z
C
C
C
C
+
+
+
=
L
Przy łączeniu szeregowym kondensatorów zachodzi relacja:
Dla kondensatorów mogących pracować przy napięciu zmiennym (nie
dotyczy kondensatorów elektrolitycznych) można wykonać pomiar metodą
techniczną; zakłada się tu jednak idealny charakter kondensatora.
A
V
C
I
U
C
1
X
=
ω
=
V
A
V
A
fU
2
I
U
I
C
π
=
ω
=
Pomiar pojemności można wykonać przy pomocy cyfrowych multimetrów
– lepszej klasy mierniki mają oddzielne zaciski do pomiaru pojemności.
C
1
C
2
C
n
C
Z
n
2
1
Z
C
1
C
1
C
1
C
1
+
+
+
=
L
n
2
1
Z
C
1
C
1
C
1
1
C
+
+
+
=
L
Do precyzyjnych pomiarów laboratoryjnych, uwzględniających również
współczynnik stratności tg
δ, można wykorzystać układ mostkowy – mostek
Scheringa:
Po zrównoważeniu mostka mamy:
0
1
0
C
C
R
R
=
0
1
0
R
R
C
C
=
1
1
C
R
tg
ω
=
δ
Ćwiczenie: wyprowadzić powyższe wzory
Pojemność można także oszacować na podstawie stałej czasowej,
obserwowalnej w procesie ładowania lub rozładowania kondensatora
poprzez rezystor o znanej rezystancji (stan przejściowy w obwodzie).
WE1
WE2
1
2
c
1
i
c
u
c
t
0
E
T=R
2
C
5T