Charakterystyki przejściowe tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym ID = f(UGS) UDS = const .

ID [mA]

U







DS2

UDS2 > UDS1

U

U

DS1

T – napięcie progowe UT

0

UGS [V]

Charakterystyki przejś ciowe tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym typu p.

Model warstwowy tranzystora MOS z kanałem typu p zubożanym S

G

D

SiO2

p+

p+

kanał wbudowany typu „p”

Si(n)

B

D

D

Symbol tranzystora MOS

Symbol tranzystora MOS

z kanałem zubaż anym

z kanałem zubaż anym

typu p

B

typu n

B

G

G

S

S