PROJEKTY  POKREWNE

  wymienione  artykuły  są  w  całości  dostępne  na  CD

Tytuł  artykułu

Nr  EP/EdW

Kit

Transceiver  SSB  ANTEK

EdW  11/1998 AVT-2310

Transwerter  80m/11m

EdW  12/2002 AVT-2460

Transceiver  SSB  ANTEK  V2.0

EdW  7/2004 AVT-2310/2

Minitransceiver  QRPP  –  TRX2006

EdW  2/2006 AVT-2778

Minitransceiver  ZUCH

EdW  10/2006 AVT-2810

Minitransceiver  Junior

EP  2/2007 AVT-967

Minitransceiver  CW/80m

EdW  6/2007 AVT-2830

Minitransceiver  Antoś

EdW  9/2007 AVT-2840

Minitransceiver  na  pasmo  3,7  Mhz  TRX2008

EP  3/2008 AVT-5127

Odbiornik  nasłuchowy  Jędruś

EdW  4/2007 AVT-2818

Minitransceiver „Jędrek”

PODSTAWOWE  PARAMETRY

• Zakres  częstotliwości  pracy:  3,65...3,75  MHz 

(możliwość  ustawienia  całego  pasma  80  m)

• Emisja:  SSB  (LSB)

• Czułość  odbiornika:  około  1  mV

• Moc  nadajnika:  około  0,5  W

• Zasilanie:  12...13,8  V

• Wymiary  płytki:  125x90  mm

Przedstawiany  minitransceiver 
powstał  na  bazie  odbiornika 
nasłuchowego  „Jędruś” 
(AVT2818).  Dołączając  kilka 
łatwo  dostępnych  elementów 
uzyskano  możliwość  nadawania 
emisją  SSB.  Moc  wyjściowa 
urządzenia  jest  niewielka, 
dochodzi  do  0,5  W,  ale 
z  dobrą  anteną  pozwala  już 
przeprowadzić  lokalne  łączności.
Rekomendacje:
zwolennicy  „cyfrówki”  unikają 
układów  analogowych, 
miłośnicy  „analogówki”  sądzą 
zaś,  że  cyfrówka  to  łatwizna, 
a  prawdziwa  elektronika 
to  godziny  spędzone  nad 
uruchamianiem  układu 
analogowego.  Jak  wiadomo, 
prawda  leży  po  środku,  więc 
tym  razem  proponujemy 
wszystkim  elektronikom  układ 
analogowy  o  cyfrowej  prostocie 
uruchamiania...

WYKAZ ELEMENTÓW

Rezystory

R1, R9, R14: 4,7 kV

R2: 47 kV

R3, R4, R8, R15...R17: 1,5 kV

R5: 270 kV

R6,  R7,  R10,  R22:  560  V (w  zależności od D8 

i  R10 może wynosić 680 V)

R11, R12: 100 V

R13, R21, R23, R24: 1 kV

R18: 2,2 kV

R19, R20: 1 V

Kondensatory

C1, C45, C50: 100 mF/16 V

C2: C35, C37: 4,7 nF

C3, C20, C21: 330 pF

C4, C6, C15, C28, C48, C61: 180 pF

C5, C10: 680 pF

C6, C11: 220 pF

C7, C14: 4,7 pF

C9,  C13,  C29,  C30,  C32...C34,  C43,  C44,  C46, 

C51...C53, C58...C60, C62, C63: 100 nF

C12: 10 pF

C16, C36: 22 mF/16 V

C17’: 120 pF

C18, C38, C49: 47 nF

C19, C22, C26, C27, C31, C41, C42: 1 nF

C23...C25, C39, C40: 33 pF

C47: 10 pF trymer

C54, C56: 750 pF

C55: 1,5 nF

C57: 470 mF/16 V

Półprzewodniki

U1, U4: TA7358

U2: 7806

U3: NE592

U5: TA7368 

T1, T2: BC547

T3, T4: BD139

D1, D2, D6...D10: 1N4148

D3...D5: BB105 (lub jedna dioda BB112 – patrz 

tekst)

Inne

POT1: 10 kV A

X1...X5: 6 MHz

L1...L5, L9: 10 mH (50 zwojów DNE 0,2 na rdze-

niu T37-2)

L5’: 3 zwoje na L5 (lub dobrać eksperymental-

nie)

L6: 22 mH/1 A (typowy dławik przeciwzakłóce-

niowy lub DNE 0,4 przewleczone przez 6-otwo-

rowy rdzeń F-200)

L7, L8: 2,2 mH/1 A (23 zwoje DNE 0,4 na rdzeniu 

T37-2)

Tr:  3x10  zwojów  DNE  0,4  na  rdzeniu  FT37-43 

o  średnicy 10  mm

P1: V2304 (M4-12H, RA12WN)