Tranzystory unipolarne
1
Tranzystory unipolarne
Zad. 5.1
Ile wynosi stała materiałowa B idealnego tranzystora MOS, którego
charakterystyki i punkt pracy pokazano na rys. 5.1. Określić typ
tranzystora.
iD iD
uGS = 5 V
10 mA
uGS uDS
3 V 25 V
Rys. 5.1
Zad. 5.2
Tranzystor nMOS pracuje w układzie jak na rys. 5.2. Składowa
zmienna prądu drenu Id = 100 źA . Obliczyć E0 .
Dane:
E1 = 25 źV
n
É 0
E0 + E1 sinÉt
E2 = 10 V
Up = 2 V
mA
B = 2
V2
Rys. 5.2
Zad. 5.3
Idealny tranzystor MOS pracuje w konfiguracji WS (rys. 5.4). W
zakresie nasycenia iD = 300 mA , natomiast w zakresie nienasycenia
dla bardzo małych napięć uDS , gdy charakterystyki iD(uDS ) są
liniowe, prąd iD = 6 mA przy napięcia uDS = 0.1 V . Wyznaczyć
parametry B oraz Up .
Tranzystory unipolarne
2
+ UDS
iD
+ 12 V
Rys. 5.4
Zad. 5.4
W układzie jak na rys. 5.5 stwierdzono, że dla napięcia E1 = 5 V
prÄ…d wynosi: ID = 1 mA , zaÅ› transkonduktancja gm = 0.5 mS .
Znalez
ć B oraz Up tranzystora.
Dane:
iD R
ID = 1 mA
gm = 0.5 mS
E1
E1 = 5 V
E2
E2 = 10 V
R = 3 k©
Rys. 5.5
Zad. 5.5
Obliczyć wartość chwilową napięcia uDS(t) dla małych częstotliwości
sygnału e(t) w układzie jak na rys. 5.6.
Dane:
E = 10 V
iD
R
R = 1 k©
e(t)= 5 + 10-3 sinÉ t[V]
uDS(t)
É 0
E
Up = 2 V
e(t)= 5 + 10-3 sinÉt[V]
mA
B = 1
Rys. 5.6
V2
Tranzystory unipolarne
3
Zad. 5.6
Dla silnie wysterowanego idealnego tranzystora EMOS napięciem
uGS1 = 10 V otrzymano prąd drenu iD1 = 1 A , natomiast dla napięcia
uGS2 = 14 V otrzymano prąd drenu iD2 = 2 A (rys. 5.7a). Obliczyć
prąd drenu tego tranzystora w układzie z rys. 5.7b.
a) b)
iD
iD
n
n
E1 = 0.1 V E2 = 30 V
5 V
uGS
Rys. 5.7
Zad. 5.7
mA
Tranzystory: nEMOS o parametrach BE = 1 , UpE = 2 V , oraz
V2
mA
pDMOS o parametrach BD = 1 , UpD pracują w układzie jak
V2
na rys. 5.9. Wyznaczyć wartość UpD , przy której prąd drenu
tranzystora pDMOS jest dwa razy większy od prądu drenu tranzystora
nEMOS.
- 5 V
+ 5 V
iDD
Dane:
iDE
mA
BE = BD = 1
pDMOS
nEMOS V2
UpE = 2 V
3 V iDD = 2 Å" iDE
4 V
Rys. 5.9