Definicje wybranych parametrów tranzystorów unipolarnych

Definicje techniczne:

UP – napię cie odcię cia, stosowane dla tranzystorów PNFET, takie napię cie

bramki, przy którym prą d drenu osią ga wartość 10 µ A.

UT – napię cie progowe, stosowane dla tranzystorów MOS normalnie wyłączonych, takie napię cie bramki, przy którym prą d drenu osią ga

wartość 10 µ A.

UGS(OFF) – napię cie odcię cia (wyłączenia), stosowane do tranzystorów MOS

normalnie załączonych, takie napię cie bramki, przy którym prą d drenu

osią ga wartość 10 µ A.

Definicje fizyczne:

UP – napię cie odcię cia, stosowane dla tranzystorów PNFET, takie napię cie

bramki, przy którym nastą pi zamknię cie kanału i przestanie płynąć prą d

drenu.

UT – napię cie progowe, stosowane dla tranzystorów MOS normalnie wyłączonych, takie napię cie bramki, przy którym zachodzi silna inwersja,

powodują ca powstanie kanału łą czą cego ź ródło z drenem.

UGS(OFF) – napię cie odcię cia, stosowane do tranzystorów MOS normalnie załączonych, takie napię cie bramki, przy którym nastę puje wyłą czenie

kanału i przestaje płynąć prą d drenu.

Parametry małosygnałowe (dotyczy tranzystorów PNFET oraz MOS):

gds – konduktancja wyjś ciowa, określana jako stosunek przyrostu prądu drenu ∆ ID do przyrostu napięcia drenu ∆ UDS przy ustalonym napięciu bramki

UGS.

gm – transkonduktancja, określana jako stosunek przyrostu prądu drenu ∆ ID

do przyrostu napięcia bramki ∆ UGS przy ustalonym napięciu drenu UDS.

I

∆

g

D

=

przyU

= const.

ds

U

GS

∆ DS

I

∆

g

D

=

przyU

= const.

m

U

DS

∆ GS