Prąd dyfuzyjny.

pn [cm-3]

A [cm2]

Bryła półprzewodnika typu „n”

przekrój

W = h ν

elektrony

Idp

x [cm]

pn0

dziury

0

Rozkład koncentracji dziur Mechanizm tworzenia się prą du dyfuzyjnego.

W – energia niesiona przez fale świetlne; x – odległość od powierzchni półprzewodnika; pn0 – koncentracja dziur w półprzewodniku typu „n” w stanie równowagi (przed oświetleniem); A – powierzchnia przekroju.

dp

I

= − qAD

dp

p dx

kT

D = µ

zaleŜność Einstein’a dn

q

I

= qAD

dn

n dx

Idp – prąd dyfuzyjny dziurowy; Idn – prąd dyfuzyjny elektronowy q – ładunek elektronu; D – współczynnik dyfuzji [cm2/s]; k – stała Boltzmann’a; T – temperatura [K]; dp dn

;

- gradient koncentracji nośników.

dx dx