pn [cm-3]
A [cm2]
Bryła półprzewodnika typu „n”
przekrój
W = h ν
elektrony
Idp
x [cm]
pn0
dziury
0
Rozkład koncentracji dziur Mechanizm tworzenia się prą du dyfuzyjnego.
W – energia niesiona przez fale świetlne; x – odległość od powierzchni półprzewodnika; pn0 – koncentracja dziur w półprzewodniku typu „n” w stanie równowagi (przed oświetleniem); A – powierzchnia przekroju.
dp
I
= − qAD
dp
p dx
kT
D = µ
zależność Einstein’a dn
q
I
= qAD
dn
n dx
Idp – prąd dyfuzyjny dziurowy; Idn – prąd dyfuzyjny elektronowy q – ładunek elektronu; D – współczynnik dyfuzji [cm2/s]; k – stała Boltzmann’a; T – temperatura [K]; dp dn
;
- gradient koncentracji nośników.
dx dx