Projekty A
AVT
Wzmacniacz
2327
mocy KF
Przedstawiony poniżej projekt bar−
dzo prostego liniowego wzmacniacza mo−
cy może stanowić dodatkowe wyposażenie
nadajnika czy transceivera QRP−SSB pracuj−
ącego w dwóch popularnych zakresach
80m i 20m.
Łatwo dostępne tranzystory polowe mo−
sterowany napięciem 12V zasilającym stop−
cy VMOSFET są coraz częściej stosowane
nie nadajnika SSB.
Oczy−
zarówno we wzmacniaczach akustycznych,
W obwodzie drenu tranzystora znajduje
wiście przed zala−
jak i w liniowych stopniach mocy KF. Przede się transformator w.cz. TR dopasowu−
niem ich klejem (czy inną
wszystkim, w porównaniu z tranzystorami jący wyjście wzmacniacza do impedancji substancją zabezpieczającą przed rozwija−
bipolarnymi o porównywalnej mocy, posia−
znamionowej 50Ω filtru antenowego i ante−
niem się) wskazane jest sprawdzenie induk−
dają one lepsze parametry temperaturowe,
ny KF. Transformator wykonano na ferryto−
cyjności za pomocą mostka LC lub multime−
większe wzmocnienie, lepszą liniowość i wym rdzeniu toroidalnym F82 o średnicy tru wyposażonego w pomiar indukcyjności.
większą odporność na niedopasowanie.
20mm. Uzwojenia nawinięto bifilarnie − ró−
Filtry P są przełączane za pośrednictwem
Warto przypomnieć, że przy podwyższeniu
wnocześnie po 10 zwojów dwoma przewo−
przekaźnika RA12WN−K. W stanie spoczyn−
temperatury obudowy w tranzystorach bi−
dami miedzianymi o średnicy 1mm w izola−
kowym styki są ustawione na pasmo 80m.
polarnych zwiększają się, oprócz prądów ze−
cji igelitowej, pamiętając aby koniec pier−
Załączenie pasma 20m następuje poprzez rowych, także statyczne i dynamiczne
wszego uzwojenia połączyć z początkiem podanie na cewkę przekaźnika napięcia 12V
współczynniki wzmocnienia. W polowych
drugiego uzwojenia (można użyć przewodu
− tego samego, który przełącza inne cewki tranzystorach mocy VMOSFET można nie
instalacyjnego).
w transceiverze.
stosować dodatkowych układów stabilizuj−
Na wyjściu wzmacniacza znajdują się
Wzmacniacz wymaga zasilacza dostar−
ących, bowiem przy podwyższeniu tempe−
dwa przełączane filtry P: L1...L3 na pasmo czającego napięcia głównego rzędu
ratury maleją współczynniki wzmocnienia, 80m i L4...L5 na pasmo 20m. W układzie 25...30V O wydajności prądowej co naj−
zarówno statycznego jak i dynamicznego, a można zastosować gotowe dławiki w.cz. na
mniej 1A oraz napięcia pomocniczego 12V,
w konsekwencji maleje nagrzewanie się rdzeniach ferrytowych o obciążalności około służącego do ustalenia prądu wstępnego tranzystora.
0,5A, lub można je nawinąć własnoręcznie
wzmacniacza. Napięcie pomocnicze może
W układzie szerokopasmowego wzmac−
na pręciki ferrytowe o średnicy nie mniej−
być pominięte przy innym wykorzystaniu niacza mocy KF przedstawionym na rysun−
szej niż 2mm.
wzmacniacza .W takim przypadku należy ku 1 zastosowano dalekowschodni tranzy−
L1, L2, L3 zawierały po 10 zwojów drutu
obwód polaryzacji zasilić z napięcia główne−
stor polowy VMOSFET o oznaczeniu IRF
DNE 0,4, zaś L4, L5, L6 po 3 zwoje drutu w go, zwiększając dwu− lub trzykrotnie war−
510. Tranzystory te są w zasadzie przezna−
izolacji igelitowej.
tość rezystora R2, nie zapominając o wy−
czone do wzmacniaczy i przetwornic mocy,
Dławik jest fabryczny o indukcyjności łączaniu zasilania wzmacniacza podczas od−
a także generatorów wysokiej częstotliwoś−
10µH/2A (18 zwojów drutu DNE 0,5 na prę−
bioru!
ciku ferrytowym).
Umax=100V
Id=4A
Pd=80W
Cgs=180pF
Cds=80pF
Rds=0,5Ω
ci. Oto podstawowe parametry tego tranzy−
stora:
Sygnał w.cz. z wyjścia nadajnika KF jest
podawany poprzez kondensator C1 na
bramkę tranzystora IRF 510. Rezystor R1
pełni funkcję obciążenia, zamykając koniec kabla koncentrycznego, a zarazem wyjście nadajnika, rezystancją 50Ω lub 75Ω, oraz za−
myka obwód polaryzacji bramki. Właściwą polaryzację bramki, odpowiadającą liniowej pracy stopnia, zapewnia potencjometr mon−
tażowy PR. Obwód polaryzacji bramki jest
16
ELEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 1/99
AVT
Rys. 1
1 S
Schemat iideowy
Wykaz e
elementów:
Wyłączanie tranzystora ma na celu nie tylną ściankę urządzenia, jak i niezbędny ra−
T1: IRF 510 (530)
tylko zmniejszenie niepotrzebnego poboru diator do odprowadzenia ciepła.
D1: 6V8
prądu, ale także uchronienie się przed moż−
Rozmieszczenie elementów na płytce
Rezystory
liwością wprowadzania podczas odbioru
drukowanej przedstawiono na rysunku 2. U−
R1: 56Ω/0,25w
szumu czy nawet wzbudzenia układu. Zasi−
kład jest na tyle prosty, że może być wyko−
R2: 680Ω
PR: 2,2k8Ω
lacz +25V nie musi być stabilizowany, wy−
nany nawet bez użycia płytki drukowanej, Kondensatory
starczy mostek diodowy na prąd co naj−
bądź przy zastosowaniu płytki uniwersalnej, C1− C5, C7, C7’, C16, C17: 100nF
mniej 2A i kondensator elektrolityczny o po−
szczególnie kiedy będzie wykonany w wer−
C6: 47 µF/35V
C8, C11: 750pF
jemności minimum 6800µF/40V.
sji jednopasmowej i przy wykorzystaniu i−
C9, C10: 1500pF
Układ modelowy zmontowano na płytce
s
t
n
i
e
−
C12, C15: 220pF
drukowanej przedstawionej na rysunku 2.
jącego w transceiverze filtru dolnoprzepu−
C13, C14: 470pF
Wywiercone otwory służą do zamontowa−
stowego. Transformator w.cz. może być za−
Inne
PZ1, PZ2: RA12WN−K
nia gniazd niezbędnych do dołączenia zasila−
montowany poprzez przykręcenie rdzenia TR1,: transformator w.cz. (cewki) według
nia (DIN) oraz anteny (UC1).
za pomocą śruby M2 przełożonej w środku
opisu
Drugie gniazdo DIN (patrz fotografie) słu−
rdzenia (punkt neutralny). Wskazane jest, Dł: 10µH/2A
ży do doprowadzenia sygnału z mikrofonu aby nawinięty transformator usztywnić po−
L1, L2, L3: 2µH
L4, L5, L6: 0,5µH
oraz sterowania pracą przekaźników N/O
przez sklejenie uzwojeń i rdzenia klejem, np.
A: UC1
(PTT). W centralnej części płytki znajduje się typu Distal.
tranzystor przykręcony (za pośrednictwem Uruchomienie wzmacniacza sprowadza
podkładki mikowej) do blachy aluminiowej, się do ustawieniu prądu spoczynkowego dwutonowej. Podczas prób wzmacniacz po−
której wielkość odpowiada wielkości płytki tranzystora na wartość około 20mA za winien być obciążony sztuczną anteną 50Ω
drukowanej. Blacha ta stanowi zarówno pomocą potencjometru montażowego.
i oscyloskopem (lepiej analizatorem widma).
Wskazane jest przeprowadzenie próby
Jeżeli próba wypadła pomyślnie i tranzy−
stor nie nagrzewał się za
mocno, należy podłączyć
właściwą antenę (jednopas−
mową lub szerokopas−
mową KF) i można przepro−
wadzać łączności.
Układ modelowy był te−
stowany w transceiverze
(rysunek 3), składającym się
z dwóch płytek: AVT 157
(odbiornik
nasłuchowy
80/20m) i AVT 351 (minina−
dajnik CW/SSB 80/20m).
Były także pozytywne próby
Rys. 2
2 S
Schemat m
montażowy
ELEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 1/99
17
AVT
REKLAMA
moc wzmacnia−
cza wzrosła do o−
koło 20W. Nale−
żało wtedy jed−
nak użyć lepsze−
go radiatora, po−
nieważ zastoso−
wana blacha alu−
miniowa okazała
się
niewystar−
czająca do od−
p r o w a d z e n i a
ciepła.
Należy sądzić,
że po zastoso−
waniu
innego
Rys. 3
3 T
Test u
układu w
w ttransciverze
transformatora
wyjściowego u−
zwiększenia mocy wyjściowej minitranscei−
kład będzie pracował z
vera ANTEK.
większą mocą również
Przy napięciu zasilania 25V i mocy steruj−
w innych zakresach
ącej nieco ponad 200mW opisany układ po−
pasma KF. Oczywiście
siadał moc wyjściową około 3W przy
na wyjściu powinny
częstotliwości 3,7MHz i nieco mniej przy znajdować się filtry od−
14MHz. Przy mocy sterującej około 2W
p
o
w
i
a
d
a
jące danemu zakre−
Komplet p
podzespołów zz p
płytką
sowi częstotliwości.
jest d
dostępny w
w s
sieci h
handlowej
AVT jjako k
kit A
AVT−2
2327
Andrzej J
Janeczek
REKLAMA
18
ELEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 1/99