Projekty A

AVT

Wzmacniacz

2327

mocy KF

Przedstawiony poniżej projekt bar−

dzo prostego liniowego wzmacniacza mo−

cy może stanowić dodatkowe wyposażenie

nadajnika czy transceivera QRP−SSB pracuj−

ącego w dwóch popularnych zakresach

80m i 20m.

Łatwo dostępne tranzystory polowe mo−

sterowany napięciem 12V zasilającym stop−

cy VMOSFET są coraz częściej stosowane

nie nadajnika SSB.

Oczy−

zarówno we wzmacniaczach akustycznych,

W obwodzie drenu tranzystora znajduje

wiście przed zala−

jak i w liniowych stopniach mocy KF. Przede się transformator w.cz. TR dopasowu−

niem ich klejem (czy inną

wszystkim, w porównaniu z tranzystorami jący wyjście wzmacniacza do impedancji substancją zabezpieczającą przed rozwija−

bipolarnymi o porównywalnej mocy, posia−

znamionowej 50Ω filtru antenowego i ante−

niem się) wskazane jest sprawdzenie induk−

dają one lepsze parametry temperaturowe,

ny KF. Transformator wykonano na ferryto−

cyjności za pomocą mostka LC lub multime−

większe wzmocnienie, lepszą liniowość i wym rdzeniu toroidalnym F82 o średnicy tru wyposażonego w pomiar indukcyjności.

większą odporność na niedopasowanie.

20mm. Uzwojenia nawinięto bifilarnie − ró−

Filtry P są przełączane za pośrednictwem

Warto przypomnieć, że przy podwyższeniu

wnocześnie po 10 zwojów dwoma przewo−

przekaźnika RA12WN−K. W stanie spoczyn−

temperatury obudowy w tranzystorach bi−

dami miedzianymi o średnicy 1mm w izola−

kowym styki są ustawione na pasmo 80m.

polarnych zwiększają się, oprócz prądów ze−

cji igelitowej, pamiętając aby koniec pier−

Załączenie pasma 20m następuje poprzez rowych, także statyczne i dynamiczne

wszego uzwojenia połączyć z początkiem podanie na cewkę przekaźnika napięcia 12V

współczynniki wzmocnienia. W polowych

drugiego uzwojenia (można użyć przewodu

− tego samego, który przełącza inne cewki tranzystorach mocy VMOSFET można nie

instalacyjnego).

w transceiverze.

stosować dodatkowych układów stabilizuj−

Na wyjściu wzmacniacza znajdują się

Wzmacniacz wymaga zasilacza dostar−

ących, bowiem przy podwyższeniu tempe−

dwa przełączane filtry P: L1...L3 na pasmo czającego napięcia głównego rzędu

ratury maleją współczynniki wzmocnienia, 80m i L4...L5 na pasmo 20m. W układzie 25...30V O wydajności prądowej co naj−

zarówno statycznego jak i dynamicznego, a można zastosować gotowe dławiki w.cz. na

mniej 1A oraz napięcia pomocniczego 12V,

w konsekwencji maleje nagrzewanie się rdzeniach ferrytowych o obciążalności około służącego do ustalenia prądu wstępnego tranzystora.

0,5A, lub można je nawinąć własnoręcznie

wzmacniacza. Napięcie pomocnicze może

W układzie szerokopasmowego wzmac−

na pręciki ferrytowe o średnicy nie mniej−

być pominięte przy innym wykorzystaniu niacza mocy KF przedstawionym na rysun−

szej niż 2mm.

wzmacniacza .W takim przypadku należy ku 1 zastosowano dalekowschodni tranzy−

L1, L2, L3 zawierały po 10 zwojów drutu

obwód polaryzacji zasilić z napięcia główne−

stor polowy VMOSFET o oznaczeniu IRF

DNE 0,4, zaś L4, L5, L6 po 3 zwoje drutu w go, zwiększając dwu− lub trzykrotnie war−

510. Tranzystory te są w zasadzie przezna−

izolacji igelitowej.

tość rezystora R2, nie zapominając o wy−

czone do wzmacniaczy i przetwornic mocy,

Dławik jest fabryczny o indukcyjności łączaniu zasilania wzmacniacza podczas od−

a także generatorów wysokiej częstotliwoś−

10µH/2A (18 zwojów drutu DNE 0,5 na prę−

bioru!

ciku ferrytowym).

Umax=100V

Id=4A

Pd=80W

Cgs=180pF

Cds=80pF

Rds=0,5Ω

ci. Oto podstawowe parametry tego tranzy−

stora:

Sygnał w.cz. z wyjścia nadajnika KF jest

podawany poprzez kondensator C1 na

bramkę tranzystora IRF 510. Rezystor R1

pełni funkcję obciążenia, zamykając koniec kabla koncentrycznego, a zarazem wyjście nadajnika, rezystancją 50Ω lub 75Ω, oraz za−

myka obwód polaryzacji bramki. Właściwą polaryzację bramki, odpowiadającą liniowej pracy stopnia, zapewnia potencjometr mon−

tażowy PR. Obwód polaryzacji bramki jest

16

ELEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 1/99

Projekty A

AVT

Rys. 1

1 S

Schemat iideowy

Wykaz e

elementów:

Wyłączanie tranzystora ma na celu nie tylną ściankę urządzenia, jak i niezbędny ra−

T1: IRF 510 (530)

tylko zmniejszenie niepotrzebnego poboru diator do odprowadzenia ciepła.

D1: 6V8

prądu, ale także uchronienie się przed moż−

Rozmieszczenie elementów na płytce

Rezystory

liwością wprowadzania podczas odbioru

drukowanej przedstawiono na rysunku 2. U−

R1: 56Ω/0,25w

szumu czy nawet wzbudzenia układu. Zasi−

kład jest na tyle prosty, że może być wyko−

R2: 680Ω

PR: 2,2k8Ω

lacz +25V nie musi być stabilizowany, wy−

nany nawet bez użycia płytki drukowanej, Kondensatory

starczy mostek diodowy na prąd co naj−

bądź przy zastosowaniu płytki uniwersalnej, C1− C5, C7, C7’, C16, C17: 100nF

mniej 2A i kondensator elektrolityczny o po−

szczególnie kiedy będzie wykonany w wer−

C6: 47 µF/35V

C8, C11: 750pF

jemności minimum 6800µF/40V.

sji jednopasmowej i przy wykorzystaniu i−

C9, C10: 1500pF

Układ modelowy zmontowano na płytce

s

t

n

i

e

−

C12, C15: 220pF

drukowanej przedstawionej na rysunku 2.

jącego w transceiverze filtru dolnoprzepu−

C13, C14: 470pF

Wywiercone otwory służą do zamontowa−

stowego. Transformator w.cz. może być za−

Inne

PZ1, PZ2: RA12WN−K

nia gniazd niezbędnych do dołączenia zasila−

montowany poprzez przykręcenie rdzenia TR1,: transformator w.cz. (cewki) według

nia (DIN) oraz anteny (UC1).

za pomocą śruby M2 przełożonej w środku

opisu

Drugie gniazdo DIN (patrz fotografie) słu−

rdzenia (punkt neutralny). Wskazane jest, Dł: 10µH/2A

ży do doprowadzenia sygnału z mikrofonu aby nawinięty transformator usztywnić po−

L1, L2, L3: 2µH

L4, L5, L6: 0,5µH

oraz sterowania pracą przekaźników N/O

przez sklejenie uzwojeń i rdzenia klejem, np.

A: UC1

(PTT). W centralnej części płytki znajduje się typu Distal.

tranzystor przykręcony (za pośrednictwem Uruchomienie wzmacniacza sprowadza

podkładki mikowej) do blachy aluminiowej, się do ustawieniu prądu spoczynkowego dwutonowej. Podczas prób wzmacniacz po−

której wielkość odpowiada wielkości płytki tranzystora na wartość około 20mA za winien być obciążony sztuczną anteną 50Ω

drukowanej. Blacha ta stanowi zarówno pomocą potencjometru montażowego.

i oscyloskopem (lepiej analizatorem widma).

Wskazane jest przeprowadzenie próby

Jeżeli próba wypadła pomyślnie i tranzy−

stor nie nagrzewał się za

mocno, należy podłączyć

właściwą antenę (jednopas−

mową lub szerokopas−

mową KF) i można przepro−

wadzać łączności.

Układ modelowy był te−

stowany w transceiverze

(rysunek 3), składającym się

z dwóch płytek: AVT 157

(odbiornik

nasłuchowy

80/20m) i AVT 351 (minina−

dajnik CW/SSB 80/20m).

Były także pozytywne próby

Rys. 2

2 S

Schemat m

montażowy

ELEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 1/99

17

Projekty A

AVT

REKLAMA

moc wzmacnia−

cza wzrosła do o−

koło 20W. Nale−

żało wtedy jed−

nak użyć lepsze−

go radiatora, po−

nieważ zastoso−

wana blacha alu−

miniowa okazała

się

niewystar−

czająca do od−

p r o w a d z e n i a

ciepła.

Należy sądzić,

że po zastoso−

waniu

innego

Rys. 3

3 T

Test u

układu w

w ttransciverze

transformatora

wyjściowego u−

zwiększenia mocy wyjściowej minitranscei−

kład będzie pracował z

vera ANTEK.

większą mocą również

Przy napięciu zasilania 25V i mocy steruj−

w innych zakresach

ącej nieco ponad 200mW opisany układ po−

pasma KF. Oczywiście

siadał moc wyjściową około 3W przy

na wyjściu powinny

częstotliwości 3,7MHz i nieco mniej przy znajdować się filtry od−

14MHz. Przy mocy sterującej około 2W

p

o

w

i

a

d

a

jące danemu zakre−

Komplet p

podzespołów zz p

płytką

sowi częstotliwości.

jest d

dostępny w

w s

sieci h

handlowej

AVT jjako k

kit A

AVT−2

2327

Andrzej J

Janeczek

REKLAMA

18

ELEKTRONIKA DLA WSZYSTKICH 1/99