T Y R Y S T O R Y - rodzaje NIE W PEŁNI STEROWALNE

W PEŁNI STEROWALNE

BIPOLARNE JEDNOKIERUNKOWE

BIPOLARNE GTO

(triodowy, blokuj cy

wył czalny za pomoc

SCR - wstecznie), krzemowy GTO - bramki

prostownik sterowany

(Gate turn off thyristor) ASCR - " - " asymetryczny AGTO - " - " asymetryczny RCT - wstecznie przewodz cy RCGTO - wstecznie przewodz cy tyrystor

GATT - wył czany ze pomaganiem RBGTO - wstecznie blokuj cy bramkowym

LASCR- wiatłoczuły, blokuj cy AGGTO - z bramk dynamiczn wstecznie

LASCS - wiatłoczuły, blokuj cy TILGTO - Two Interdigitation Lovels (4 ko c.)

SCS - blokuj cy wstecznie IGCT - Komutowany tyrystor z (4 ko c.), binistor

bramk zintegrowan

ZTO - Zero turn - off thyristor (brak wył czenia

bramkowego)

BIPOLARNE DWUKIERUNKOWE

KOMBINOWANE

TRIAC - sterowany

MTO - wył czany za pomoc dwukierunkowo

bramki MOS

TS - sterowany jednokierun-MCT - sterowany za pomoc kowo (symistor)

tranzystora MOSFET

BCT - sterowany dwukierun-

(MCT) EST - przeł czany emiterem kowo tyr. podwójny

(MCT) DMT -

IGTT - wył czalny z izolowan FCTh - sterowany polem

bramk

elektrostatycznym

IGT - z izolowan bramk SITh - indukcyjny

S-W1-2. J. Piłaci ski: Podstawy energoelektroniki - materiały do wykładu

T Y R Y S T O R Y S C R - charakterystyka, zastosowanie TYRYSTOR

IT(AV)M URRM

tq

(di/dt)crit (du/dt)crit UTM

[µs]

[A/µs]

[V/µs]

[V]

PRZEKSZTAŁTNIKOWE,

SIECIOWE

- komutacja sieciowa

- f = 50 - 500 Hz

kilka A

50V

50-200

500

1000

1,52,6

- du e rozmiary struktur 4 kA

5 kV

300-400

- konstrukcja z bramk wzm. i zwartym emiterem

SZYBKIE,

FALOWNIKOWE,

IMPULSOWE,

KOMUTACYJNE

- komutacja wymuszona

kilka A

2,2 kV

5-50

100-800

1000-

1,4-2,2

(pojemno ciowa)

1,5 kA

2000

- falowniki, choppery

- mniejsze gabaryty

- krótsze

- forsowanie wysterowania GATT (20-100 kHz)

WYSOKONAPI CIOWE

- eliminacja poł cze równol.

2,5...

500...

- gruba struktura

- wolne

5 kV

-700

2000

WIRNIKOWE

- odporna konstrukcja

mechaniczna na przysp.

- gorsza obci alno ze

wzgl du na złe chłodzenie

- parametry przeci tne

TRAKCYJNE

- parametry i konstrukcja dostosowane do konkretnego nap du trakcyjnego

- du e serie

S-W1-2. J. Piłaci ski: Podstawy energoelektroniki - materiały do wykładu

D I O D Y - k l a s y f i k a c j a Typ / zastosowanie

IF(AV)M[A]

URRM[V]

trr[µs]

SIECIOWE

3000

2500

5

PROSTOWNICZE

950

4500

9,5

(p-n)

max 7000

max 6000

SZYBKIE

1500

2500

2

300

1200

0,5

600

0,2

FRED

200

0,05

SCHOTTKY’ego (PIN)

max 200

70

< 0,05

- unipolarna (równoległe poł czenie diody pin i

Schottky'ego,

- fs = (10 - 100)kHz

SPIN

70

200

0,03

LAWINOWE

- zwi kszona odporno

max ≤ 2500

max ~ 5000

na krótkotrwały przep-

ływ pr du wstecznego,

zast. w zabezpieczeniach przepi ciowych

T R A N Z Y S T O R Y - k l a s y f i k a c j a Typ

ICM[A]

UCE[V]

trr[µs]

BJT

Bipolar Junction Transistor Darlington

MOSFET

Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor

Power JFET

Power Junction Field Efect Transistor IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistor SIT

Static Induction Transistor FCT

Field Controlled Transistor S-W1-2. J. Piłaci ski: Podstawy energoelektroniki - materiały do wykładu