Charakterystyki wyjściowe tranzystora MOS wzbogacanego ID = f(UDS) UGS = const .

ID [mA]

UGS = -7V

zakres nasycenia

zakres

liniowy

UGS = -6V

UGS = -5V

UGS = - 4V

0

UDsat

UGS=UT

- UDS [V]

Rodzina charakterystyk wyjś ciowych tranzystora MOS

z kanałem wzbogacanym typu p.

U 



DS = UDsat

U 



GS > UT

UGS

S

+

-

G

D

p+

p+

-

kanał typu „p”

UDS

warstwa zubożona

+

Si(n)

B

Przekrój tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym typu p w warunkach normalnej polaryzacji dla napię cia UDS = UDsat.