Tetroda MOS charakteryzuje się bardzo dobrymi właściwościami dynamicznymi.

W wyniku szeregowego połą czenia dwóch tranzystorów uzyskuje się zmniejszenie

pojemnoś ci sprzęż enia zwrotnego Cgd (do wartości rzędu 0,02 ÷ 0,05 pF).

Pojemność ta jest odpowiedzialna za sprzęż enie zwrotne mię dzy drenem i ź ródłem.

Tego rodzaju zjawisko nosi nazwę efektu Millera i oznacza przenoszenie się zmian

napię cia drenu na bramkę.

Im większa pojemność sprzężenia zwrotnego tym mniejsze częstotliwości

pracy tranzystora MOS.

W tetrodzie MOS, zmiany napięcia na elektrodzie D przenoszą się na obszar

typu „n” (obszar drenu tranzystora T1 z bramką G1) ze zmniejszeniem równym

współczynnikowi wzmocnienia napięciowego ku tranzystora T2. Tak zmniejszone

zmiany przenoszą się na bramkę G1. Dzięki temu sprzęż enie zwrotne mię dzy

drenem D i bramką G1 jest zmniejszone tyle razy, ile wynosi wzmocnienie

napię ciowe ku tranzystora T2 – z bramką G2.

Do zwiększenia częstotliwości granicznych tetrody MOS przyczynia się

także stosowanie jak najmniejszej długości kanału tranzystora T1 (z bramką G1),

rzędu 1,5 µm.