UCB = 0
obszar nasycenia
IB = 20 µA
B
UCC
RL
B1
IB = 15 µA
obszar aktywny
prosta
IB = 10 µA
obciąŜenia
A
IB = 5 µA
0
obszar odcięcia
IB=0 UCE [V]
UCEsat
UCE = UCC
Zmiany połoŜ enia punktu pracy tranzystora w procesie przełą czania.
Podczas przełączenia tranzystora punkt pracy przemieszcza się po prostej obciąŜenia z połoŜenia A do połoŜenia B i z powrotem.
Tranzystor od stanu zatkania (punkt A w obszarze odcięcia) poprzez obszar pracy, przechodzi do stanu nasycenia (punkt B w obszarze nasycenia).
Tranzystor przechodzi do stanu nasycenia juŜ przy UCE = UCEsat, to jest po osiągnięciu połoŜenia B1. W tym momencie róŜnica potencjałów na złączu C-B
jest równa zeru. Przejście punktu pracy do zakresu nasycenia powoduje polaryzację złącza C-B w kierunku przewodzenia.
Do bazy tranzystora (do obszaru typu p z obszarów typu n) są wstrzykiwane noś niki mniejszoś ciowe (elektrony) przez złącze emiterowe E-B
oraz kolektorowe C-B.
Nastę puje gromadzenie duŜ ej iloś ci noś ników mniejszoś ciowych w bazie.