wyklad 4 12 V2


Wykład 4_1
Złącze półprzewodnikowe
Równowaga termodynamiczna => równość potencjałów chemicznych µ
Pasma energetyczne dla złącza pn
p
n
e UD
µ
Wykład 4_2
Złącze półprzewodnikowe
Ad. II Złącze spolaryzowane => przepływ prądu =>
brak równowagi termodynamicznej =>
brak równości potencjałów chemicznych m
1. Polaryzacja w kierunku przewodzenia
-
+
Fe
Fd
p
n
-
+
Polaryzacja przewodzenia =>
ZÅ‚Ä…cze
zwężenie w. zaporowej
niespolaryzowane
d
p
n
Wykład 4_3
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
p
u=0
n
UD
UD - u zmniejsza się napięcie blokujące dyfuzję
u>0
p
n
-
+
u
Związek pomiędzy napięciem na warstwie zubożonej a a jej szerokością
wyznaczamy tak jak dla złącza w równowadze termodynamicznej
N + N
A D
õ
d = 2 (U -u)
D
Rośnie prąd dyfuzji
e N N
"
A D
Wykład 4_4
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
e (UD-u)
eu
µ
d
d0
Wykład 4_5
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
JDe prąd dyfuzji elektronów
e (UD-u)
JUe prąd unoszenia elektronów
-
JUd prÄ…d unoszenia dziur
+
JDd prÄ…d dyfuzji dziur
Wykład 4_6
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
dyfuzja elektronów
dopływ elektronu z kontaktu
Ruch
elektronu
foton
rekombinacja
-
foton
+
odpływ elektronu do kontaktu
<=> generacja dziury
duży prąd <= wynik dyfuzji
dyfuzja dziur
nośników większościowych
Wykład 4_7
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu wstrzykiwania:
tzn. gdy koncentracja nośników wstrzykniętych jest znacznie mniejsza od
koncentracji nośników większościowych pp0 nn0
p
n
+
-
u
Obszar bazy, znacznie
Warstwa zaporowa
Obszar poza wpływem
Obszar poza wpływem Obszar bazy, znacznie
szerszy od w. zaporowej,
występujące tu
szerszy od w. zaporowej,
złącza.
złącza.
występuje tu stosunkowo
gradienty
potencjału i n=nn0 p=pn0
p=pp0 n=np0 występuje tu stosunkowo koncentracji mogą długi czas życia dla
długi czas życia dla
nadmiarowych dziur.
elektronów.
wywoływać duże
nH" nn0
pH" pp0
gęstości prądów
unoszenia i dyfuzji
Wykład 4_8
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu wstrzykiwania:
Obszar bazy
Obszar bazy
b. słabe pole
b. słabe pole
elektryczne o
elektryczne o
wiele za małe
wiele za małe
aby efektywnie
Warstwa zaporowa
transportować aby efektywnie
występujące tu
wstrzyknięte
transportować
gradienty
elektrony
wstrzyknięte
potencjału i
dziury
koncentracji mogÄ…
wywoływać duże
gęstości prądów
unoszenia i dyfuzji
Duża koncentracja swobodnych nośników
Duża koncentracja swobodnych
większościowych => EH" 0
nośników większościowych => EH" 0
obserwowalny prÄ…d unoszenia jedynie dla pp0
ale prąd nośników większościowych
może być bardzo duży
Wykład 4_9
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu wstrzykiwania:
koncentracja wstrzykniętych nośników mniejszościowych
gradienty koncentracji
Gradienty, powstałe po
wstrzykniętych nośników
wstrzyknięciu,
limitują wartości prądów
umożliwiają dyfuzję
Wykład 4_10
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu wstrzykiwania:
Ograniczenia przepływu w różnych obszarach
 wąskie gardła
Wykład 4_11
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu wstrzykiwania:
Dla określenia wielkości płynącego prądu
wystarczy rozważyć warunki panujące w
 Ä…skim gardle
w
Wielkość prądu rządzona jest przez proces
dyfuzji wstrzykniętych nadmiarowych
nośników mniejszościowych
Wykład 4_12
Złącze półprzewodnikowe
Ad. II Złącze spolaryzowane => przepływ prądu =>
brak równowagi termodynamicznej =>
brak równoÅ›ci potencjałów chemicznych µ
1. Polaryzacja w kierunku zaporowym
+
-
Fe
Fd
d
p
-
+
Polaryzacja zaporowa =>
ZÅ‚Ä…cze
poszerzenie w. zaporowej
niespolaryzowane
d0
p
n
Wykład 4_13
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane  polaryzacja zaporowa
p
u=0
n
UD
UD + u zwiększa się napięcie blokujące dyfuzję
u<0
p
n
+
-
u
Związek pomiędzy napięciem na warstwie zubożonej a a jej szerokością
wyznaczamy tak jak dla złącza w równowadze termodynamicznej
N + N
A D
õ
d = 2 (U + u)
D
Maleje prÄ…d dyfuzji
e N N
"
A D
Wykład 4_14
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane  polaryzacja zaporowa
e (UD+u) eu
d
d0
Wykład 4_15
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane  polaryzacja zaporowa
JDe prąd dyfuzji elektronów
e (UD+u)
JUe prąd unoszenia elektronów
+
-
JUd prÄ…d unoszenia dziur
JDd prÄ…d dyfuzji dziur
Wykład 4_16
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane  polaryzacja zaporowa
unoszenie
elektronów
dopływ elektronu do kontaktu
Ruch
elektronu
kreacja
+
energia
energia
-
odpływ elektronu z kontaktu
<=> dopływ dziury
b. mały prąd <= wynik unoszenia
unoszenie dziur
nośników mniejszościowych
Wykład 4_17
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane  polaryzacja zaporowa
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu wstrzykiwania:
tzn. gdy koncentracja nośników nadmiarowych jest znacznie mniejsza od
koncentracji nośników większościowych pp0 nn0
p n
+
-
u
Obszar poza wpływem Obszar bazy, znacznie Obszar poza wpływem
Warstwa zaporowa
Obszar bazy, znacznie
złącza. szerszy od w. zaporowej, złącza.
występujące tu
szerszy od w. zaporowej,
występuje tu stosunkowo
p=pp0 n=np0 występuje tu stosunkowo gradienty n=nn0 p=pn0
długi czas życia dla
potencjału i
długi czas życia dla
nadmiarowych dziur.W
koncentracji mogÄ…
elektronów. W obszarze
obszarze tym występuje
wywoływać duże
tym występuje gradient
gradient koncentracji
gęstości prądów
koncentracji elektronów
dziur
unoszenia i dyfuzji
pH" pp0
nH" nn0
+
-
Wykład 4_18
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane  polaryzacja zaporowa
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu
wstrzykiwania:
Obszar bazy
Obszar bazy
SzczÄ…tkowe pole
SzczÄ…tkowe pole
elektryczne o
elektryczne o
wiele za słabe
wiele za słabe
Warstwa zaporowa
aby efektywnie
aby efektywnie
występujące tu
transportować
transportować
gradienty
mniejszościowe
mniejszościowe
potencjału i
elektrony
dziury
koncentracji mogÄ…
wywoływać duże
gęstości prądów
unoszenia i dyfuzji
+
-
Wykład 4_19
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane  polaryzacja zaporowa
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu
wstrzykiwania:
Małe gradienty koncentracji i małe
koncentracje nośników mniejszościowych
Gradienty umożliwiają
limitują wartości prądów
dyfuzjÄ™
np0
pn0
+
-
Wykład 4_20
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane  polaryzacja zaporowa
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu
wstrzykiwania:
Utrudnienia przepływu w różnych obszarach
 wąskie gardła
+
-
Wykład 4_21
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane  polaryzacja zaporowa
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu wstrzykiwania:
Dla określenia wielkości płynącego prądu
wystarczy rozważyć warunki panujące w
 Ä…skim gardle
w
Wielkość prądu rządzona jest przez proces
dyfuzji nadmiarowych nośników
mniejszościowych do obszaru w. zaporowej
Wykład 4_22
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - DOWOLNIE
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu wstrzykiwania:
W obu przypadkach (polaryzacja w kierunku
przewodzenia i polaryzacja w kierunku zaporowym
) prąd płynący przez złącze jest ograniczony przez
dyfuzję, nadmiarowych nośników
mniejszościowych, w obszarze bazy
Wykład 4_23
Złącze półprzewodnikowe
ZÅ‚Ä…cze spolaryzowane - przewodzenie
Mechanizm transportu nośników dla małego poziomu wstrzykiwania:
Mały, płynący przez
złącze prąd jest różnicą
dużych prądów dyfuzji i
unoszenia !
Warstwa zaporowa
występujące tu
gradienty
potencjału i
koncentracji mogÄ…
Układ blisko stanu
wywoływać duże
gęstości prądów
równowagi !!!
unoszenia i dyfuzji
Wykład 4_24
Złącze półprzewodnikowe
Równanie diody
Założenia:
1. Proces przepływu prądu jest limitowany przez dyfuzję
nadmiarowych nośników mniejszościowych w obszarze bazy
2. Mały poziom wstrzykiwania => jesteśmy blisko stanu
równowagi
3. Pomijamy generację nośników w warstwie zaporowej
4. Pomijamy powierzchniowe prądy upływu
Wykład 4_25
Złącze półprzewodnikowe
Równanie diody
baza w. Zaporowa baza
u
xp X
xn
Wp
Wn
-eÅ"Åš( x)
Bliskość stanu równowagi
p(x)=niÅ"exp( )
kT
termodynamicznej pozwala
posługiwać się równaniami
eÅ"Åš( x)
wynikającymi z równości
n(x)=niÅ"exp( )
kT
prądów dyfuzji i unoszenia
Wykład 4_26
Złącze półprzewodnikowe
Równanie diody
baza w. Zaporowa baza
UD -u
Wp xn
xp
Wn
X
Dla dziur:
-eÅ"Åš(xp)
pn( xn) -eÅ"(Åš(xn)-Åš(xp))
pp(xp)=niÅ"exp( )
=exp
kT
( )
pp( xp) kT
-eÅ"Åš(xn)
pn(xn)=niÅ"exp( )
kT
Åš(xn)-Åš( xp)=U -u
D
Wykład 4_27
Złącze półprzewodnikowe
Równanie diody
pn( xn) -eÅ"(U -u) -eÅ"U
eÅ"u
D D
=exp =exp Å"exp
( ) ( ) ( )
pp( xp) kT kT kT
-eÅ"U pn0 pn( xn) pn0
eÅ"u
D
exp = = exp
( )
( )
kT pp0 pp( xp) pp0 kT
Przybliżenie małego poziomu wstrzykiwania (nośniki większościowe!): pp(xp)=pp0
eÅ"u
pn( xn)= pn0exp
( )
kT
Wykład 4_28
Złącze półprzewodnikowe
Równanie diody
baza w. Zaporowa baza
p. zaporowa
np(xp)0 pn(xn)0
np0
pn0
u
u<0
Wn
xp xn
Wp
X
p. przewodzenia
baza baza
pn(xn)"
np(xp)"
u>0
np0
pn0
Wn
xp xn
Wp
Wykład 4_29
Złącze półprzewodnikowe
Równanie diody
Dla transportu ładunku istotna jest koncentracja mniejszościowych
nośników nadmiarowych:
pnnad (x)=pn(x)-pn0 npnad (x)=np(x)-np0
eÅ"u
pnad (xn)= pn0 exp -1
n
( )
( )
kT
eÅ"u
nnad( xp)=np0 exp -1
p
( )
( )
kT
Wykład 4_30
Złącze półprzewodnikowe
pnnad (x)
Równanie diody
id<" eADddpn(xn)/dx
przewodzenie
x
pnnad (x)
id<" eADddpn(xn)/dx
p. zaporowa x
+
-
Wykład 4_31
Złącze półprzewodnikowe
Równanie diody
Jeśli przyjmiemy, że funkcje
pnnad (x)
pnnad (x) są dla różnych napięć u
id<" eADddpn(xn)/dx
podobne, to pochodna w
punkcie xn będzie
Powierzchnia
pnad (xn)
złącza
proporcjonalna do
n
dpn(xn)
1
= pnad( xn)
dxn Wn n
x
Wn stała proporcji-określa
xn
rozmiar bazy
Wykład 4_32
Złącze półprzewodnikowe
Równanie diody
dpn
id=e ADp
prÄ…d dziur:
dx
e AD pn0
eÅ"u
p
dpn(xn)
1
id= exp -1
= pnad ( xn)
( )
( )
Wn kT
dxn Wn n
eÅ"u
pnad (xn)= pn0 exp -1
n
( )
( )
kT
Wykład 4_33
Złącze półprzewodnikowe
Równanie diody
Całkowity prąd płynący przez złącze jest sumą prądów dyfuzji
nadmiarowych nośników mniejszościowych id i ie płynących
w obszarze bazy otrzymujemy równanie diody:
eÅ"u
i= I exp -1
0
( )
( )
kT
gdzie:
Współczynniki Wd i Wn
D pn0 De np0
p
I0=eA +
odpowiadajÄ… rozmiarom
( )
Wn W
p
bazy
Powiedz dlaczego I0 zależy od T ?
Pytania do wykładu 4:
1. Na czym polega polaryzacja złącza w kierunku przewodzenia a na czym
w kierunku zaporowym?
2. Jak polaryzacja złącza wpływa na parametry złącza?
3. Jak szerokość warstwy zaporowej zależy od napięcia
4. Jakie są mechanizmy przepływu prądu w różnych obszarach złącza
spolaryzowanego?
5. Przy jakich założeniach wyprowadzamy równanie diody?
6. W których obszarach złącz występują  w ąskie gardła dla przep ływu
prÄ…du?
7. Jaki mechanizm przepływu prądu jest uwzględniony przy
wyprowadzaniu równania diody?
8. Jaka jest postać równania diody. Jaką ważną wielkość fizyczną możemy
w oparciu o nie wyznaczyć?
9. Od czego zależy stała I0 w równaniu diody?
10. Czy złączem można posłużyć się do badania temperatury?


Wyszukiwarka