BSM 25 GD 120 DN2
IGBT Power Module
" Power module
" 3-phase full-bridge
" Including fast free-wheel diodes
" Package with insulated metal base plate
Type VCE IC Package Ordering Code
BSM 25 GD 120 DN2 1200V 35A ECONOPACK 2 C67076-A2505-A67
BSM 25 GD120DN2E3224 1200V 35A ECONOPACK 2K C67070-A2505-A67
Maximum Ratings
Parameter Symbol Values Unit
Collector-emitter voltage VCE 1200 V
Collector-gate voltage VCGR
RGE = 20 k&! 1200
Gate-emitter voltage VGE Ä… 20
DC collector current IC A
TC = 25 °C 35
TC = 80 °C 25
Pulsed collector current, tp = 1 ms ICpuls
TC = 25 °C 70
TC = 80 °C 50
Power dissipation per IGBT Ptot W
TC = 25 °C 200
Chip temperature Tj + 150 °C
Storage temperature Tstg -40 ... + 125
Thermal resistance, chip case RthJC d" 0.6 K/W
Diode thermal resistance, chip case RthJCD d" 1
Insulation test voltage, t = 1min. Vis 2500 Vac
Creepage distance - 16 mm
Clearance - 11
DIN humidity category, DIN 40 040 - F sec
IEC climatic category, DIN IEC 68-1 - 40 / 125 / 56
1 2006-01-31
BSM 25 GD 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.
Static Characteristics
Gate threshold voltage VGE(th) V
VGE = VCE, IC = 1 mA 4.5 5.5 6.5
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
VGE = 15 V, IC = 25 A, Tj = 25 °C - 2.5 3
VGE = 15 V, IC = 25 A, Tj = 125 °C - 3.1 3.7
Zero gate voltage collector current ICES mA
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C - 0.5 0.8
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C - 2 -
Gate-emitter leakage current IGES nA
VGE = 20 V, VCE = 0 V - - 180
AC Characteristics
Transconductance gfs S
VCE = 20 V, IC = 25 A 10 - -
Input capacitance Ciss pF
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 1650 -
Output capacitance Coss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 250 -
Reverse transfer capacitance Crss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz - 110 -
2 2006-01-31
BSM 25 GD 120 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.
Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C
Turn-on delay time td(on) ns
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 25 A
RGon = 47 &! - 75 150
Rise time tr
VCC = 600 V, VGE = 15 V, IC = 25 A
RGon = 47 &! - 65 130
Turn-off delay time td(off)
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 25 A
RGoff = 47 &! - 400 600
Fall time tf
VCC = 600 V, VGE = -15 V, IC = 25 A
RGoff = 47 &! - 50 100
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage VF V
IF = 25 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C - 2.3 2.8
IF = 25 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C - 1.8 -
Reverse recovery time trr µs
IF = 25 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -800 A/µs, Tj = 125 °C - 0.13 -
Reverse recovery charge Qrr µC
IF = 25 A, VR = -600 V, VGE = 0 V
diF/dt = -800 A/µs
Tj = 25 °C - 2.3 -
Tj = 125 °C - 6 -
3 2006-01-31
BSM 25 GD 120 DN2
Power dissipation Safe operating area
Ptot = Å‚
(TC) IC = Å‚
(VCE)
parameter: Tj d" 150 °C parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj d" 150 °C
10 2
tp
220 = 11.0µs
W
A
180
Ptot IC
160
10 1
100 µs
140
120
100
1 ms
80
10 0
60
10 ms
40
20
DC
0
10 -1
0 1 2 3
0 20 40 60 80 100 120 °C 160 10 10 10 10 V
TC VCE
Collector current Transient thermal impedance IGBT
IC = Å‚
(TC) Zth JC = Å‚
(tp)
parameter: VGE e" 15 V , Tj d" 150 °C parameter: D = tp / T
10 0
40
A
K/W
IC 32 ZthJC
28
10 -1
24
20
D = 0.50
0.20
16
10 -2 0.10
12
0.05
0.02
8
single pulse 0.01
4
0
10 -3
-5 -4 -3 -2 -1 0
0 20 40 60 80 100 120 °C 160 10 10 10 10 10 s 10
TC tp
4 2006-01-31
BSM 25 GD 120 DN2
Typ. output characteristics Typ. output characteristics
IC = f (VCE) IC = f (VCE)
parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C parameter: tp = 80 µs, Tj = 125 °C
50 50
A A
17V 17V
15V 15V
IC 40 13V IC 40 13V
11V 11V
9V 9V
35 35
7V 7V
30 30
25 25
20 20
15 15
10 10
5 5
0 0
0 1 2 3 V 5 0 1 2 3 V 5
VCE VCE
Typ. transfer characteristics
IC = f (VGE)
parameter: tp = 80 µs, VCE = 20 V
50
A
IC 40
35
30
25
20
15
10
5
0
0 2 4 6 8 10 V 14
VGE
5 2006-01-31
BSM 25 GD 120 DN2
Typ. capacitances
Typ. gate charge
VGE = Å‚
(QGate) C = f (VCE)
parameter: IC puls = 25 A
parameter: VGE = 0 V, f = 1 MHz
10 1
20
V
nF
VGE 16 C
Ciss
600 V 800 V
14
10 0
12
10
Coss
8
Crss
10 -1
6
4
2
0
10 -2
0 20 40 60 80 100 120 140 nC 170 0 5 10 15 20 25 30 V 40
VCE
QGate
Reverse biased safe operating area Short circuit safe operating area
ICpuls = f(VCE) , Tj = 150°C ICsc = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = 15 V parameter: VGE = Ä… 15 V, tSC d" 10 µs, L < 50 nH
2.5
12
ICpuls/IC
ICsc/IC
8
1.5
6
1.0
4
0.5
2
0.0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600
VCE
VCE
6 2006-01-31
BSM 25 GD 120 DN2
Typ. switching time Typ. switching time
I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = Ä… 15 V, RG = 47 &! par.: VCE = 600 V, VGE = Ä… 15 V, IC = 25 A
10 3 10 3
tdoff
tdoff
t t
ns ns
tdon
tdon
10 2 10 2
tr
tr
tf tf
10 1 10 1
0 10 20 30 40 A 60 0 20 40 60 80 100 120 140 180
&!
IC RG
Typ. switching losses Typ. switching losses
E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 600 V, VGE = Ä… 15 V, RG = 47 &! par.: VCE = 600V, VGE = Ä… 15 V, IC = 25 A
Eon
10 10
mWs mWs
8 8
E E
7 7
Eon
6 6
5 5
Eoff
4 4
Eoff
3 3
2 2
1 1
0 0
0 10 20 30 40 A 60 0 20 40 60 80 100 120 140 180
&!
IC RG
7 2006-01-31
BSM 25 GD 120 DN2
Forward characteristics of fast recovery
Transient thermal impedance Diode
reverse diode IF = f(VF) Zth JC = Å‚
(tp)
parameter: D = tp / T
parameter: Tj
10 1
50
A
K/W
IF 40 ZthJC
10 0
35
30
Tj=125°C
Tj=25°C
10 -1
25
D = 0.50
0.20
20
0.10
15
0.05
10 -2
0.02
10
single pulse
0.01
5
0
10 -3
-5 -4 -3 -2 -1 0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 V 3.0 10 10 10 10 10 s 10
VF
tp
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BSM 25 GD 120 DN2
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagramm
9 2006-01-31
Nutzungsbedingungen
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