1. Wymień trendy rozwojowe współczesnej elektroniki.
2. Zdefiniuj pojęcie sygnału. Jakie rodzaje sygnałów występują w elektronice?
3. Scharakteryzuj sygnał analogowy i sygnał cyfrowy. Określ istotne różnice między
tymi sygnałami.
4. Stosując jako kryterium klasyfikacji przebieg wielkości w funkcji czasu, dokonaj
podziału sygnałów zdeterminowanych ( przedstaw graficznie przykłady tych
sygnałów).
5. Wyjaśnij, dlaczego sygnały sinusoidalne znajdują powszechne zastosowanie we
współczesnej energoelektryce i elektronice.
6. Zdefiniuj pojęcie wartości średniej sygnału zmiennego w czasie (i(t); u(t)). Określ w
jakim przypadku wartość chwilową sygnału zastępuje się równoważną wartością
średnią prądu ( Iśr ) bądz
napięcia ( Uśr ).
7. Zdefiniuj pojęcie wartości skutecznej sygnału zmiennego w czasie (i(t); u(t)). Określ
w jakim przypadku wartość chwilową sygnału zastępuje się równoważną wartością
skutecznÄ… prÄ…du ( I ) bÄ…dz
napięcia ( U ).
8. Scharakteryzuj sygnał w postaci impulsu prostokątnego. Opisz jego podstawowe
parametry.
9. Kiedy stosuje się względną miarę logarytmiczną (tzw. skalę decybelową [ dB ]).
Jeżeli liniowy stosunek napięć U2/U1 = 1/Ö 2 to odpowiada to w skali decybelowej & .
[dB].
10. Co to jest: bit, bajt, słowo? Przedstaw strukturę słowa 16 bitowego.
11. Przedstaw sposób przeliczania z systemu dziesiętnego na system binarny np. 125(10);
134(10) ... .
12. Przedstaw sposób przeliczania z systemu binarnego na system dziesiętny np.
1111101(2), 1111011(2)& ... ..
13. Scharakteryzuj elektroniczne elementy bierne i aktywne. Podaj przykłady elementów
zaliczanych do poszczególnych grup.
14. Na przykładzie rezystora przedstaw, w jaki sposób można scharakteryzować elementy
elektroniczne,
15. Narysuj charakterystykę I = f(U) dla dwóch wartości rezystancji R1 i R2 gdy R2 > R1 ,
wymień podstawowe parametry rezystorów.
16. R1 = 20 W, R2 = 30 W. Ile wynosić będzie wartość rezystancji rezystora zastępczego R
gdy rezystory te połączymy szeregowo a ile gdy równolegle.
17. Dla dzielnika napięcia jak na rysunku oblicz ile będzie wynosić Uwy gdy:
Uwe = 100V, R1 =20 W, R2 = 30 W.
I

R1
Uwe
R2
Uwy
18. Dla rezystora o R = 100© moc maksymalna (Pmax) jaka może siÄ™ na nim wydzielić
wynosi 2W. Jaki prąd maksymalny może przepłynąć przez rezystor ? Przedstaw
schemat układu pomiarowego do pomiaru metodą techniczną charakterystyki I = f(U)
takiego rezystora.
19. Wymień podstawowe rodzaje polaryzacji dielektryka. Jaka stała charakteryzuje
zdolność dielektryka do jego polaryzowania?
20. Jaką podstawową właściwością charakteryzuje się kondensator? Opisz wzorem
pojemność kondensatora płaskiego.
21. C1 = 20 pF, C2 = 30 pF. Ile wynosić będzie pojemność zastępcza C, gdy kondensatory
te połączymy szeregowo a ile, gdy połączymy je równolegle. Wymień podstawowe
parametry kondensatorów.
22. Zdefiniuj pojęcia: półprzewodnik (wymień znane ci materiały, rodzaje), defekty
strukturalne ( opisz ich naturÄ™).
23. Dokonaj klasyfikacji materiałów z użyciem modelu pasmowego. Podaj przykłady
współczesnych materiałów półprzewodnikowych.
24. Przedstaw i omów wykres W =f(x) dla T=0; T>0 opisujący prawdopodobieństwo
obsadzenia stanów w materiale półprzewodnikowym.
25. Na modelu pasmowym przedstaw procesy:
- generacji prostej,
- generacji pośredniej,
- rekombinacji prostej,
- rekombinacji pośredniej.
Jakie są skutki występowania tych procesów w materiałach półprzewodnikowych
26. Przedstaw półprzewodnik samoistny wykorzystując model pasmowy. Jakimi
właściwościami charakteryzuje się taki materiał półprzewodnikowy w temperaturze
 T =0K oraz T = 300K.
27. Przedstaw:
- mechanizm powstawania półprzewodnika domieszkowego typu  n ,
- model pasmowy takiego materiału półprzewodnikowego .
Jaki proces wystÄ…pi w takim materiale gdy temperatura otoczenia zmieni siÄ™ z T =0K
do temperatury T = 300K ?
28. Przedstaw:
- mechanizm powstawania półprzewodnika domieszkowego typu  p ,
- model pasmowy takiego materiału półprzewodnikowego .
Jaki proces wystÄ…pi w takim materiale gdy temperatura otoczenia zmieni siÄ™ z T =0K
do temperatury T = 300K ?
29. Sklasyfikuj i omów ruch nośników prądu w półprzewodnikach.
30. Co opisuje ruchliwość nośników w półprzewodniku i jak ten parametr zmienia się
(wykresy) w funkcji:
- koncentracji ( Nd),
- temperatury (T),
- natężenia pola elektrycznego (E).
Co jest konsekwencją zróżnicowania ruchliwości w półprzewodniku typu n i p ?
31. Zdefiniuj pojęcie konduktywności półprzewodnika. Omów, przyczynę zmian
konduktywności półprzewodnika od temperatury, przedstawionych na wykresie
lnà = f( 1/T).
32. Jakie mogą być przyczyny zmian koncentracji nośników nadmiarowych w czasie
n, (p) = f (t) w materiałach półprzewodnikowych. Narysuj wykres przedstawiający
takie zmiany. Zdefiniuj pojęcie czasu życia nośników nadmiarowych.
33. Wyjaśnij pojęcie  pole wbudowane  w półprzewodniku. Od czego zależy natężenie
pola wbudowanego E (wzór). Jakie są konsekwencje występowania pola E w
określonym obszarze materiału półprzewodnikowego i w jakim przyrządzie
półprzewodnikowym efekt ten się wykorzystuje.
34. Wymień rodzaje złącz p  n.
35. Przedstaw model pasmowy złącza p  n bez polaryzacji zewnętrznej.
36. Przedstaw model pasmowy złącza p  n dla polaryzacji przewodzenia.
37. Przedstaw model pasmowy złącza p  n dla polaryzacji zaporowej.
38. Przedstaw mechanizm powstawania złącza p  n .Wyjaśnij pojęcia: bariera potencjału;
warstwa zaporowa; napięcie dyfuzyjne.
39. Co to jest napięcie dyfuzyjne złącza p  n . Od czego zależy jego wartość (wzór).
40. Wymień założenia przyjmowane dla opisu idealnego złącza p  n.
41. Przedstaw charakterystykę I = f (U) idealnego złącza p  n , opisz ją wzorem ( wzór
Shockley`a), określ przedział zmian wartości współczynnika doskonałości złącza p  n
 co opisuje ten współczynnik?
42. Omów przepływ nośników w złączu p  n dla kierunku przewodzenia.
43. Omów przepływ nośników w złączu p  n dla kierunku zaporowego.
44. Przedstaw charakterystykę I = f(U) rzeczywistego złącza p  n ( zaznacz wpływ
rezystancji szeregowej i równoległej złącza).
45. Z czego wynika występowanie w złączu p  n rezystancji szeregowej i równoległej.
Przedstaw sposób jej wyznaczania z charakterystyki I = f(U) złącza rzeczywistego.
46. Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia Zenera. Zilustruj na modelu
pasmowym mechanizm tego zjawiska. Podaj praktyczny sposób wykorzystania tego
zjawiska.
47. Określ warunki, w jakich występuje zjawisko przebicia lawinowego. Zilustruj
mechanizm tego zjawiska. Podaj wzór empiryczny określający współczynnik
powielania.
48. Czym jest przebicie złącza p  n ? Wymień i opisz rodzaje przebić występujących w
przyrządach półprzewodnikowych.
49. Przedstaw charakterystykÄ™ I = f (U) spolaryzowanej zaporowo diody stabilizacyjnej.
Wymień parametry charakteryzujące właściwości diody.
50. O czym informuje oznaczenie diody stabilizacyjnej o symbolu BZP 620  C9V2? Jaki
rodzaj przebicia wystąpi w takiej diodzie? Jaki parametr charakteryzować będzie
stabilizator szeregowy zbudowany z wykorzystaniem takiej diody. Zdefiniuj ten
współczynnik.
51. W zakresie przebicia złącza korzystając z charakterystyki prądowo- napięciowej diody
Zenera przedstaw sposób wyznaczania rezystancji dynamicznej rz. Jak rezystancja
dynamiczna diody Zenera (w zakresie przebicia złącza) zależy od napięcia Zenera Uz .
52. Określ jaką rolę w układzie prostownika spełnia dioda prostownicza. Podaj jej symbol
graficzny, podstawowe parametry. Przy jakiej polaryzacji złącza wykorzystuje się taką
diodę przy prostowaniu sygnału przemiennego (spolaryzuj w takim przypadku tę
diodÄ™).
53. Korzystając z charakterystyki I = f (U) diody prostowniczej wyjaśnij na czym polega
prostowanie prądu lub napięcia przemiennego w układach zasilania prądem stałym.
54. Jaką funkcję spełnia w urządzeniach zasilających układ prostownika (schemat
prostownika jedno-połówkowego). Przedstaw przebieg napięcia na obciążeniu bez i z
podłączonym równolegle na wyjściu układu filtrem pojemnościowym.
55. Przedstaw schemat układu prostownika dwu-połówkowego mostkowego (układ
Graetza). W jaki sposób w układzie tym możliwe jest prostowanie sygnału
przemiennego (przedstaw przebieg wyprostowanego dwu-połówkowo sygnału na
obciążeniu).
56. Przedstaw: symbol, strukturę w przekroju( konstrukcję) oraz ogólna zasadę
polaryzacji tranzystora bipolarnego npn w zakresie aktywnym normalnym. Jak w tym
zakresie pracy tranzystora bipolarnego typu npn przedstawia się relacja między
potencjałami elektrod tranzystora?
57. Wyjaśnij pojęcie  tranzystor bipolarny z bazą jednorodną ,  tranzystor bipolarny
dryftowy . Który z tych tranzystorów bipolarnych pracować będzie przy wyższych
częstotliwościach i dlaczego?
58. Podaj ogólną zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny typu npn pracował w
zakresie aktywnym normalnym . Narysuj dla tranzystora tego typu układy pracy
WBaza (OB.), WEmiter (OE).
59. Podaj ogólną zasadę polaryzacji by tranzystor bipolarny typu pnp pracował w
zakresie aktywnym normalnym . Narysuj dla tranzystora tego typu układy pracy
WBaza (OB.), WEmiter (OE).
60. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny npn dla pracy aktywnej normalnej w
układzie WEmiter (OE).
61. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny pnp dla pracy aktywnej normalnej w
układzie WEmiter (OE).
62. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny npn dla pracy aktywnej normalnej w
układzie WBaza (OB.).
63. Spolaryzuj na WE i WY tranzystor bipolarny pnp dla pracy aktywnej normalnej w
układzie WBaza (OB.).
64. Zdefiniuj współczynnik a, b, ac. Podaj typowe wartości tych współczynników.
65. Opisz rozpływ prądu w tranzystorze bipolarnym typu npn w układzie WBaza (OB).
66. Opisz tranzystor bipolarny jako wzmacniacz mocy. Narysuj charakterystyki statyczne
WE i WY tranzystora bipolarnego w układzie WEmitera (OE) ( Zaznaczyć odcięcie i
nasycenie tranzystora).
67. Narysuj charakterystyki statyczne WE i WY tranzystora bipolarnego w układzie
WBaza (OB) ( Zaznaczyć odcięcie i nasycenie tranzystora).
68. Zdefiniuj prÄ…dy zerowe tranzystora bipolarnego. Przedstaw na charakterystyce Ic = f
(UCE), Ic = f (UCB) zależności między nimi.
69. Przedstaw model  czwórnikowi z macierzą  h opisujący pracę tranzystora
bipolarnego z małymi sygnałami.
70. Przedstaw model tranzystora bipolarnego s układzie Emitera z wykorzystaniem
parametrów macierzy  h
71. Przedstaw wykres wzmocnienia prądowego w układzie WEmitera (OE) od
częstotliwości.
72. Przedstaw klasyfikację tyrystorów i narysuj ich charakterystyki I = f (U) .
73. Przedstaw strukturÄ™ warstwowÄ… ( model), model dwutranzystorowy, charakterystykÄ™
I = f (U) dynistora. Przedstaw wzór na IA. Określ warunek załączania.
74. Przedstaw metody załączania tyrystora.
75. Przedstaw strukturÄ™ warstwowÄ… ( model), model dwutranzystorowy, charakterystykÄ™
I = f (U) tyrystora. Przedstaw wzór na IA. Określ warunek załączania
76. Wyjaśnij określenie  tranzystory polowe  ( unipolarne). Określ podstawowe różnice
między tranzystorami tego typu a tranzystorem bipolarnym.
77. Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukture rzeczywistą, symbol ogólny i
spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem typu n.
78. Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukture rzeczywistą, symbol ogólny i
spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem typu p.
79. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora JFET . Zefiniuj i przedstaw
sposób wyznaczenia z nich parametru : GDS0; gds; IDSS.
80. 49. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora JFET . Zefiniuj i przedstaw
sposób wyznaczenia z nich parametru : gm; Up; IDSS.
81. Opisz własności idealnej struktury MIS (MOS)  wytwarzanie stanu akumulacji,
zubożenia i inwersji w półprzewodniku.
82. Przedstaw klasyfikacje tranzystorów MIS i opisz zasadę ich działania.Wymień
odmiany technologiczne tranzystorów MIS. Wymień i opisz odmiany  układowe
tranzystorów MIS.
83. Przedstaw budowę struktury i układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie
wyłączonego z kanałem typu n.
84. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z
kanałem typu n.
85. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z
 kanałem typu n.
86. Przedstaw schemat UC. Wymień podstawowe parametry opisujące cyfrowe układy
scalone. Zdefiniuj pojęcie  czas propagacji bramki (rys).
87. Wyjaśnij pojęcie  UC kombinacyjny, UC sekwencyjny
88. Wymień podstawowe parametry opisujące cyfrowe układy scalone. Zdefiniuj pojęcie
 Margines zakłóceń  dla stany wysokiego (MH), stanu niskiego (Ml).
89. Wymień podstawowe parametry opisujące cyfrowe układy scalone. Zdefiniuj i określ
wzorem pojęcie  Moc strat .
90. Przedstaw tabelę stanów logicznych bramki NOR i NAND. Co to oznacza ,że bramka
pracuje w  logice dodatniej ?
91. Przedstaw budowę i zasadę działania inwertera CMOS.
92. Określ zasadę zasilania i podstawowe parametry statyczne i dynamiczne układów
TTL,CMOS.
93. Określ podstawowe parametry statyczne i dynamiczne (napięcie zasilania,
stany logiczne, charakterystyka przejściowa, moc tracona, czasy propagacji)
układów TTL i CMOS.
94. Przedstaw charakterystykę przejściową bramki TTL. Zaznacz na niej oczekiwane
wartości napięć.
95. Co to jest obciążalność bramki?
96. Wymień podstawowe parametry rodziny układów TTL standard.
97. Porównaj układy cyfrowe wytwarzane w technologii TTL i CMOS.
98. Wyjaśnij skróty i symbole: 74S..., 74L..., 74LS..., 74AS..., 74ALS....
99. Wymień cele i skutki scalanie układów elektronicznych.
100. Omów ( narysuj) budowę tranzystora bipolarnego npn w krzemowym
układzie scalonym.
101. Dokonaj klasyfikacji pamięci półprzewodnikowych.
100.Wymień parametry pamięci półprzewodnikowych.
101.Omów budowę zasadę działania komórki pamięci D-RAM
102.Wyjaśnij korzystając z modelu pasmowego materiału półprzewodnikowego proces
rekombinacji promienistej prowadzący do spontanicznej emisji światła.
103.Korzystając z modelu pasmowego złącza p-n przedstaw mechanizm spontanicznej
emisji światła. Jak należy spolaryzować złącze p-n by była ona możliwa? Przy jakich
wartościach napięć zasilających zachodzi to zjawisko?
104.Przedstaw korzystając z modelu pasmowego materiału półprzewodnikowego proces
rekombinacji promienistej prowadzÄ…cy do emisji stymulowanej. Czym charakteryzuje siÄ™
tego rodzaju emisja? W jakim przyrządzie półprzewodnikowym efekt ten wykorzystuje
siÄ™?
105.Przedstaw jak rodzaj występującej emisji i charakter charakterystyki widmowej
zależy od wartości napięcia zasilania złącza p-n.
106.Narysuj typową konstrukcję diody LED. W jaki sposób można wpływać na optykę
geometryczną diody LED by skuteczniej wyprowadzać generowane promieniowanie z
typowej konstrukcji?
107.Wymień i zdefiniuj parametry diody LED. Przedstaw charakterystykę prądowo-
napięciową (I = f (U)) diody LED w zakresie polaryzacji przy jakiej dioda ta pracuje.
108.Przedstaw charakterystykę prądowo- napięciową (I = f (U)), charakterystykę
widmową (np. w zakresie promieniowania podczerwonego) oraz określ typową wartość
sprawności energetycznej diody LED. Od czego zależy długość fali generowanego w
takiej diodzie promieniowania?
109.Wymień znane Ci przykłady zastosowań diod LED, białych diod LED. Od czego
zależy długość fali generowanego w takiej diodzie promieniowania?
110.akie sÄ… zalety z
ródeł światła białego LED w porównaniu z klasyczną żarówką.
111.Przedstaw zasady konstrukcji i działania, charakterystykę widmową diody LED
emitującej światło białe.
112.Omów zasadę działania i budowę lasera półprzewodnikowego oraz określ warunki
uzyskania akcji laserowej w laserze pp. W jaki sposób uzyskuje się inwersję obsadzeń?
113.Przedstaw zależność mocy promienistej lasera od prądu zasilającego.
114.Wymień znane Ci zastosowania laserów półprzewodnikowych.
115.Omów zasadę działania i budowę diody laserowej oraz określ warunki uzyskania
emisji wymuszonej w obszarze aktywnym.
116.Jaką rolę spełniają fotodetektory? Omów wewnętrzne zjawisko foto-elektryczne w
półprzewodniku samoistnym  i , domieszkowym typu  n i  p . Określ warunek
progowy wewnętrznego zjawiska fotoelektry-cznego dla tego rodzaju pp.
117.Jak działa fotorezystor? Przedstaw: symbol, przekrój przez konstrukcję. Jakich
materiałów jest wykonywany( przykłady)? Przedstaw charakterystykę prądowo-
napięciową (I = f(U)) fotorezystora gdy zmienia się natężenie padającego światła na jego
powierzchniÄ™.
118.Od czego zależy przyrost liczby nośników "n, ("p) gdy oświetlimy fotorezystor? Jak
przyrost ten wpływa na konduktywność materiału pp? W jakich warunkach fotorezystor
charakteryzować będzie się największą wartością rezystancji?
119.Przedstaw charakterystykę prądowo- napięciową (I = f(U)) fotorezystora gdy zmienia
się natężenie padającego światła na jego powierzchnię? Wymień parametry opisujące
fotorezystor.
120.Omów zasadę działania fotodiody wykorzystywanej jako fotodetektor. Przedstaw jej
symbol, przekrój przez konstrukcję, ch- kę I = f(U), wzór I = f(U) uwzględniający
pojawienie się fotoprądu gdy element ten oświetlimy.
121.Jak prąd fotodetektora jakim jest fotodioda zależy od polaryzującego napięcia
(wzór)? Przy jakiej polaryzacji dioda wykorzystywana jako fotodetektor pracuje?
122.Omów zasadę działania fotodioy typu p-i-n wykorzystywanej jako fotodetektor.
Przedstaw przekrój przez jej strukturę. Wymień jej typowe zastosowania.
123.Jak działa fototranzystor? W jaki sposób zachodzi w nim wewnętrzne wzmocnienie
prądu fotoelektrycznego? Przedstaw jego budowę i charakterystykę wyjściową przy
sterowaniu strumieniem promieniowania.
124.Scharakteryzuj półprzewodnikowy przyrząd optoelektroniczny jakim jest transoptor.
Podaj przykłady takich elementów. Narysuj typowe charakterystyki przenoszenia
sygnałów elektrycznych pomiędzy wejściem i wyjściem transoptora dioda LED 
fotodioda.
125.W jaki sposób na zaciskach złącza p-n wykorzystywanego jako fotoogniwo pojawia
się siła elektromotoryczna? Jak spolaryzowane jest wówczas złącze? Podaj przykład
wykorzystania takiego foto elementu.
126.Narysuj ch-kÄ™ I = f(U) fotoogniwa. Zdefiniuj podstawowe parametry opisujÄ…ce ten
element i przykłady jego zastosowania.
.