ICEO
ICER
ICES
ICBO
0
-UC [V]
Przebieg prą dów zerowych w funkcji napię cia kolektora.
Napięcie nasycenia IC [mA]
UCB = 0
IB = 20 µA
A
IB = 15 µA
IC
prosta
IB = 10 µA
obciąŜenia
IB = 5 µA
0
-UCE [V]
U’CEsat
UCEsat
IB=0
Okreś lenie napię cia nasycenia w tranzystorze.
Napię ciem nasycenia nazywa się najmniejszą wartość napię cia wyjś ciowego UCE przy pracy tranzystora w zakresie roboczym. Napięcie nasycenia wyznacza granicę między zakresem roboczym i zakresem nasycenia.
W układzie OE przyjmuje się jako napię cie nasycenia U'CEsat takie napię cie UCE, przy którym napię cie UCB na złą czu C-B osią ga wartość równą zeru. W tych warunkach U'CEsat = UBE, czyli jest równe napięciu odkładającemu się na złączu E-B.
Wyznaczone w punkcie A napię cie nasycenia UCEsat moŜ na zdefiniować jako napię cie UCE zmierzone przy okreś lonym prą dzie bazy IB i prą dzie kolektora IC. Dla takiego połoŜenia punktu pracy:
IB > IC / β N