Kondensator MOS
Metal Oxide Semiconductor G
G – bramka
Al
B – podłoŜe
SiO2
Si(p)
B
Budowa kondensatora MOS.
G
-
Obszar wzbogacony
G
+
Obszar zuboŜony
- - - - - -
+ + + + + +
+
+ + + + + +
+
+
+
+
+
-
+
+
+
+
-
+
-
+
+
+
+
+
+
+
+
-
+ -
+ Si(p)
+
+
+
+
Si(p)
+
-
-
+
+ -
B
+
B
-
UGB < 0 - akumulacja UGB > 0 - zuboŜanie G
++
Warstwa inwersyjna Obszar zuboŜony
+ + + + + +
-
- - - - - -
+
+
-
+
-
+
+
+
+
+
-
+
+ -
+ Si(p)
+
- +
B
-
UGB >> 0 - inwersja Wpływ polaryzacji bramki na właś ciwoś ci obszaru granicznego Si – SiO2 pod bramką kondensatora MOS.