Kondensator MOS

Metal Oxide Semiconductor G

G – bramka

Al

B – podłoże

SiO2

Si(p)

B

Budowa kondensatora MOS.

G

-

Obszar wzbogacony

G

+

Obszar zubożony

- - - - - -

+ + + + + +

+

+ + + + + +

+

+

+

+

+

-

+

+

+

+

-

+

-

+

+

+

+

+

+

+

+

-

+ -

+ Si(p)

+

+

+

+

Si(p)

+

-

-

+

+ -

B

+

B

-

UGB < 0 - akumulacja UGB > 0 - zubożanie G

++

Warstwa inwersyjna Obszar zubożony

+ + + + + +

-

- - - - - -

+

+

-

+

-

+

+

+

+

+

-

+

+ -

+ Si(p)

+

- +

B

-

UGB >> 0 - inwersja Wpływ polaryzacji bramki na właś ciwoś ci obszaru granicznego Si – SiO2 pod bramką kondensatora MOS.