Tranzystory IGBT (ang. Insulated Gate Bipolar Transistor)
G – bramka struktury MOS (+) E – emiter IGBT (źródło struktury MOS) (-) SiO2
-
-
n+
n+
Kolektor struktury p-n-p p
j3
Dren struktury MOS
n-
j
Baza struktury p-n-p
2
n+
j1
+
+
p+
+ Emiter struktury p-n-p
+
C – kolektor IGBT (+) Struktura tranzystora IGBT.
Tranzystor IGBT łą czy w sobie strukturę MOS, występującą w obwodzie wejściowym G – E (bramka – emiter) oraz strukturę bipolarną, w obwodzie wyjściowym E – C (emiter – kolektor).
Sterowanie prą dem płyną cym w obwodzie wyjś ciowym uzyskuje się przy
pomocy napię cia wejś ciowego.
E
Rp
(j3)
n-p-n
(j2)
S
G
(j2)
D
p-n-p
(j1)
C
Schemat zastę pczy tranzystora IGBT.