* dioda tunelowa pracuje w polaryzacji przewodzenia, wiec odp NIE
* minimalizacja zniekształcen wzmacniacza odp: -SZ
* przełanczanie CMOS wydaje mi sie ze nie zalezy liniowo od czestotliwosci
* tyrystor moza właczyc impulsem braqmki przy U+ na A
* terminstos stosuje sie do pomiarow
* współczynnik wzmocnienia pradowego transoptora wyczytałem ze moze osiagac wartosci 40-3200%

dodatkowo, nie jestem pewien ale komparator chyba da sie zrobic z samego opampa