SPRAWOZDANIE M5 Charakterystyki podstawowych elementów elektronicznych IMIR, AiR Grupa dziekanatowa: E1 Grupa laboratoryjna: C Data wykonania ćw.: 13.05.2015 ---------------------- ProwadzÄ…cy zajÄ™cia: dr Jakub Kowalski Tradycyjna metoda pomiaru Elementy półprzewodnikowe zazwyczaj nie majÄ… staÅ‚ej wartoÅ›ci oporu elektrycznego, dlatego też, aby je scharakteryzować, wyznacza siÄ™ ich charakterystykÄ™ prÄ…dowo-napiÄ™ciowÄ…, czyli wykres zależnoÅ›ci pÅ‚ynÄ…cego przez nie prÄ…du do napiÄ™cia na tym elemencie. UkÅ‚ad do takiego pomiaru może wyglÄ…dać nastÄ™pujÄ…co: A V R R W tym przypadku podÅ‚Ä…czono diodÄ™. Za pomocÄ… opornicy suwakowej regulujemy napiÄ™cie i odczytujemy wartość natężenia i zaznaczamy na wykresie. Należy wykonać w ten sposób kilkadziesiÄ…t pomiarów, równie podÅ‚Ä…czajÄ…c diodÄ™ w przeciwnym kirunku. Otrzymany wykres to wÅ‚aÅ›nie charakterystyka prÄ…dowo-napiÄ™ciowa. Jednak ze wzglÄ™du na czasochÅ‚onność nie zastosowaliÅ›my tej metody w laboratorium. 5.1. Pomiar charakterystyk I = I (U) diod i tyrystora Diody Idealna dioda przewodzi prÄ…d tylko w jednym kierunku (ma przy pÅ‚yniÄ™ciu prÄ…du w jednym kierunku kierunku przewodzenia zerowy opór, a w przeciwnym zaporowym nieskoÅ„czony). Jednak w rzeczywistoÅ›ci jest inaczej. Przy podÅ‚Ä…czeniu zgodnie z kierunkiem przewodzenia wystÄ™pujÄ… pewne straty napiÄ™cia, a w kierunku zaporowym bardzo duży opór. Gdy do diody przyÅ‚ożymy zbyt duże napiÄ™cie w kierunku zaporowym może nastÄ…pić przebicie. Za pomocÄ… poniższego ukÅ‚adu badaliÅ›my diody: krzemowÄ…, germanowÄ… i Zenera. PrzyÅ‚ożone napiÄ™cie przemienne analizowaÅ‚ komputer. PozwoliÅ‚o to na stworzenie wykresów skÅ‚adajÄ…cych siÄ™ z ponad 2000 punktów każdy w krótkim czasie. Charakterystyka prÄ…dowo-napiÄ™ciowa diody germanowej 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 -1 NapiÄ™cie w kierunku przewodznia [V] Dioda germanowa charakteryzuje siÄ™ niewielkim spadkiem napiÄ™cia w kierunku przewodzenia (ok. 0,2V). Przy napiÄ™ciu przyÅ‚ożonym w stronÄ™ przewodzenia nastÄ™puje gwaÅ‚towny wzrost natężenia. Natężenie prÄ…du [A] Charakterystyka prÄ…dowo-napiÄ™ciowa diody krzemowej 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 -1 NapiÄ™cie w kierunku przewodzenia [V] Dioda krzemowa charakteryzuje siÄ™ spadkiem napiÄ™cia w kierunku przewodzenia ok 0,6V. Gdy napiÄ™cie zaporowe przekroczy dopuszczalnÄ… wartość dioda ulega zniszczeniu. Obecnie jest powszechnie stosowana, wyparÅ‚a diodÄ™ germanowÄ… m. in. ze wzglÄ™du na cenÄ™. Charakterystyka prÄ…dowo-napiÄ™ciowa diody Zenera 10 8 6 4 2 0 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 -2 -4 -6 NapiÄ™cie w kirunku przewodzenia [V] Dioda Zenera nie różni siÄ™ od pozostaÅ‚ych badanych diod ksztaÅ‚tem charakterystyki w kierunku przewodzenia. Jednak gdy przekroczymy pewnÄ… wartość zwanÄ… prÄ…dem przebicia zaczyna przewodzić prÄ…d w tym kierunku. Jest stosowana do stabilizowania napiÄ™cia. Natężenie prÄ…du [A] Natężeie prÄ…du [A] Tyrystor Tyrystor ma trzy wyprowadzenia. DziaÅ‚a podobnie do diody, pod warunkiem, że do jednego z wyprowadzeÅ„ tzw. bramki (oznaczonej na rysunku jako G) zostanie doprowadzone napiÄ™cie. Tyrystor jest wtedy w G stanie przewodzenia. Tyrystor badaliÅ›my przeÅ‚Ä…czajÄ…c schemat przestawiony wczeÅ›niej w odpowiedniÄ… pozycjÄ™. Za pomocÄ… potencjometru regulowaliÅ›my napiÄ™cie na bramce tak, aby uzyskać na wykresie gwaÅ‚towny skok wartoÅ›ci na wykresach napiÄ™cia i natężenia (jak poniżej; zrzut ekranu z uczelnianego komputera). Tyrystor przechodzi w stan przewodzenia dopiero wtedy, gdy bÄ™dzie na nim odpowiednio duże napiÄ™cie w kierunku przewodzenia. Wartość tego napiÄ™cia zależy od napiÄ™cia na bramce. Okazuje siÄ™, że tyrystor dalej utrzymuje stan przewodzenia, pomimo spadku napiÄ™cia w kierunku przewodzenia. Dopiero gdy natężenie prÄ…du spadnie poniżej wartoÅ›ci krytycznej (zwanej prÄ…dem podtrzymania), przechodzi w stan zaporowy. StÄ…d też ksztaÅ‚t wykresu charakterystyki prÄ…dowo-napiÄ™ciowej. Charkterystyka prÄ…dowo-napieciowa tyrystora 9 8 7 stan 6 przewodzenia 5 4 3 stan zaporowy 2 1 0 -10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 -1 NapiÄ™cie w kierunku przewodzenia [V] Natężenie prÄ…du [A] 5.2 Pomiar charakterystyki wyjÅ›ciowej tranzystora Ic = Ic (Uce) C B Tranzystory sÅ‚użą do wzmacniania sygnaÅ‚u elektrycznego. SkÅ‚adajÄ… siÄ™ z bazy (B), kolektora (C) i emitera (E). Po prawej przedstawiono tranzystor npn. Znajduje siÄ™ E w stanie normalnej pracy, gdy potencjaÅ‚ kolektora jest wyższy od potencjaÅ‚u emitera. PrÄ…dy bazy i kolektora Å‚Ä…czÄ… siÄ™ wypÅ‚ywajÄ…c przez emiter. C Tranzystor pnp (po prawej) dziaÅ‚a przeciwnie. Znajduje siÄ™ w stanie normalnej B pracy, gdy potencjaÅ‚ kolektora jest niższy od potencjaÅ‚u emitera. PrÄ…d emitera rozdziela siÄ™ miÄ™dzy bazÄ™, a kolektor. E Poniżej przedstawiono schematy ukÅ‚adów użytych do pomiarów. W laboratorium przeprowadzaliÅ›my pomiar charakterystyki tranzystora npn. RegulujÄ…c opór R2 uzyskiwaliÅ›my natężenia prÄ…du przepÅ‚ywajÄ…cego przez bazÄ™ odpowiednio 10µA, 30µA, 50µA i 70µA. Dla tych wartoÅ›ci przeprowadziliÅ›my pomiary natężenia prÄ…du w kolektorze w zależnoÅ›ci od napiÄ™cia miÄ™dzy kolektorem, a emiterem. IB=70µA 50µA 30µA 10µA Na kolektorze uzyskujemy staÅ‚e natężenie prÄ…du, dla danego natężenia bazy. Okazuje siÄ™, że niewielka zmiana prÄ…du bazy powoduje znacznÄ… zmianÄ™ natężenia prÄ…du przepÅ‚ywajÄ…cego przez kolektor. RegulujÄ…c natężenie prÄ…du bazy możemy sterować natężeniem IC zależy ono od napiÄ™cia UCE tylko dla niewielkich jego wartoÅ›ci.