�ż




PODATEK 02
Wartości ruchliwości i koncentracji nośników zmierzone przy wykorzystaniu zjawiska
Hiirs.


Rodzaj półprz.

tr
i r
i 1 1
emperatura
�óumiaru



cmrCr
Ti �
' cm’1
cmJ V 1 s'

-


Sc - amorf.
1 \ 10"
10li
0.1
6 x 10'
T =23 "C


Sr-knstał.
i xTór_
io^
1.0
6 x 10,ł
r =23


CSTc
7x 101”
10''
7 x 10*
9 x 10*
T =23 °C


ln$b
~2 x 10-
3x 10: 1
6 x 10*
3 x IOł* '
T =23 °C


BbTcj
2x 10*'
1 x 10J
2 x 102
3 x 10^
T=20°C


Si - samoist.
1 x 10*
2 x 10 5
1.3 x ia’(e) 3 x 102 (h>
-
T =20 °C


Gc - samoist.
i x 10'
2 x 10 3-
3.6    x ia’(c)
1.7    X 10* (h)
-
T =20 ®C


HgSe
-
�ó
1.5 x 10*
-
T =20 ®C 1

HgTe
-
-
2.5 x 104(e) l x 103 Oi)
�ó
T =20°C 1

iaAs
1 x 10J
4
3 x 10* (e) 12 x 10* 00
-
T =20 °C 1

(t) - dotyczy elektronów, l� - dotyczy dziur.
LITERATURA
1. Kucis E.V., Metody issledovanija effekta Holla, Izd. Sov. Radio, Moskva. 1974.
2.    Świt A., Przyrządy półprzewodnikowe, WNT, Warszawa 1968 lub wydania późniejsze.
1. Gtriat W, Rauluszkiewicz J, Haliotrany - zastosowanie zjawisko Halło w technice, PWN, Warszawa 1961.
�
LSzalimowa K. W., Fizyka półprzewodników, PWN, Warszawa 1974.
5. Kowtoniuk N. F., Koncevoj J. A. Pomiary parametrów materiałów fityncwodnikowych, PWN, Warszawa 1973.