LABORATORIUM ELEKTRONIKI
Imię i Nazwisko:			Grupa: 33 B	Zespół: II
Nr ćwiczenia: 2	Temat:				Ocena i podpis:

1.Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości statycznych i dynamicznych tranzystorów bipolarnych i unipolarnych, a także zaznajomienie się z metodyką ich badania i aparaturą używaną do tego celu.

2.Wykaz aparatury.

Woltomierz cyfrowy, miliamperomierz, mikroamperomierz, pulpit do badania tranzystorów bipolarnych i unipolarnych.

Tranzystor bipolarny NPN BD 135.

1. Schemat pomiarowy

2.Wyznaczenie charakterystyki wejściowej tranzystora dla układu WE.

I_c = f(U_CE) przy I_B = const.

	Ib = 10μA	Ib = 50 μA	Ib = 100μA	Ib = 200μA	Ib = 300μA	Ib = 400μA	Ib = 500μA
UCE [V]	IC [mA]	IC [mA]	IC [mA]	IC [mA]	IC [mA]	IC [mA]	IC [mA]
0	0	0	0	0	0	0	0
1	0,4	3,3	6,6	15	20,6	23,6	35,2
2	0,56	4,9	11	23,3	35,5	47	57,1
3	0,57	4,99	11,3	24	37	49,5	61
4	0,57	5	11,3	24	37	50	62
5	0,57	5	11,3	24	37	50	65
6	0,57	5	11,3	24	37	50	67
7	0,57	5	11,3	24	37	50	68,2
8	0,57	5	11,3	24	37	50	68,2
9	0,57	5	11,3	24	37	50	68,2
10	0,57	5	11,3	24	37	50	68,2

Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego I_c = f(U_CE) przy I_B = const. dla układu WE

I_B = f(U_EB) przy U_CE = const.

	UCE = 5V	UCE = 10V
Ib [uA]	UEB [mV]	UEB [mV]
0	0	0
-30	-650	-650
-220	-690	-710
-285	-700	-720
-375	-710	-730
-480	-720	-740

Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego I_B = f(U_EB) przy U_CE = const. dla układu WE

3.Wyznaczenie charakterystyki oddziaływania wstecznego tranzystora dla układu WE.

U_BE = f(U_CE) przy I_B = const.

	Ib = 10μA	Ib = 50 μA	Ib = 100μA	Ib = 200μA	Ib = 300μA	Ib = 400μA	Ib = 500μA
UCE (V)	UEB [mV]	UEB [mV]	UEB [mV]	UEB [mV]	UEB [mV]	UEB [mV]	UEB [mV]
0	-463	-510	-622	-649	-657	-661	-669
1	-610	-666	-687	-708	-719	-723	-735
2	-620	-675	-687	-720	-733	-743	-750
3	-620	-676	-698	-720	-734	-744	-750
4	-620	-676	-698	-720	-734	-744	-751
5	-620	-676	-698	-720	-734	-744	-751
6	-620	-676	-698	-720	-734	-744	-751
7	-620	-676	-698	-720	-734	-744	-751
8	-620	-676	-698	-720	-734	-744	-751
9	-620	-676	-698	-720	-734	-744	-751
10	-620	-676	-698	-720	-734	-744	-751

Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego U_BE = f(U_CE) przy I_B = const. dla układu WE

4.Wyznaczenie charakterystyki oddziaływania wstecznego tranzystora dla układu WE.

I_C = f(I_B) przy U_CE = const.

	UCE = 5V	UCE = 10V
IB [uA]	IC [mA]	IC [mA]
0	0	0
-30	3	5
-220	27	30
-285	37	41
-375	50	55
-480	64	75

Charakterystyka wejściowa tranzystora bipolarnego I_C = f(I_B) przy U_CE = const. dla układu WE

5.Wyznaczenie współczynnika wzmocnienia prądowego h_21E dla układu WE.

np.

Zależność współczynnika h_21E = f(U_CE) przy I_B = const.

	Ib=30	Ib=220	Ib=285	Ib=375	Ib=480
UCE	h21E	h21E	h21E	h21E	h21E
0	0	0	0	0	0
5	100	122,7	129,8	133,3	133,3
10	166,7	136,4	143,9	146,7	156,25

Charakterystyka h_21E = f(U_CE) przy I_B = const.

Zależność współczynnika h_21E = f(U_CE) przy I_B = const.

	UCE=5V	UCE=10V
Ic [mA]	h21E	h21E
0	0	0
3	100	166,7
27	122,7	136,7
37	129,8	143,9
50	133,3	146,7
64	133,3	156,25

Charakterystyka h_21E = f(U_CE) przy I_B = const.

Tranzystor unipolarny z kanałem typu n BF 245 .

1. Schemat pomiarowy

2.Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej tranzystora unipolarnego.

I_D = f(U_DS) przy U_GS = const.

	UGS = 0 V	UGS = 0,5 V	UGS = 1 V	UGS = 1,5 V	UGS = 2 V
UDS [V]	ID [mA]	ID [mA]	ID [mA]	ID [mA]	ID [mA]
0	0	0	0	0	0
2	1,6	1,5	1,34	0,89	0,22
3	3,15	2,82	2,05	0,99	0,21
4	5,3	3,6	2,2	1,02	0,21
6	5,52	3,75	2,24	1,04	0,22
8	5,6	3,8	2,26	1,05	0,4
10	5,6	3,85	2,28	1,06	0,4
12	5,6	3,85	2,29	1,06	0,4
14	5,6	3,85	2,3	1,06	0,4
16	5,6	3,85	2,3	1,06	0,4
18	5,6	3,85	2,3	1,06	0,4

Charakterystyka wyjściowa tranzystora unipolarnego I_D = f (U_DS) przy U_GS = const.

3.Wyznaczenie charakterystyki wyjściowej tranzystora unipolarnego.

I_D = f(U_GS) przy U_DS = const.

	UDS. = 5 V	UDS = 10 V
UGD [V]	ID [mA]	ID [mA]
0	3,8	5,5
-0,1	3,75	5,2
-0,2	3,7	4,8
-0,3	3,6	4,5
-0,4	3,48	4,12
-0,5	3,32	3,8
-0,6	3,15	3,45
-0,7	2,9	3,12
-0,8	2,7	2,8
-0,9	2,4	2,5
-1	2,15	2,22
-1,1	1,9	1,98
-1,2	1,65	1,7
-1,3	1,4	1,5
-1,4	1,2	1,3
-1,5	1	1,1
-1,6	0,8	0,84
-1,7	0,6	0,65
-1,8	0,45	0,5
-1,9	0,31	0,35
-2	0,2	0,23

Charakterystyka przejściowej tranzystora unipolarnego I_D = f (U_GS) przy U_DS = const.

WNIOSKI I SPOSTRZEŻENIA

1. Wyznaczając charakterystykę wejściową dla tranzystora bipolarnego zauważamy, iż przy określonym stałym prądzie bazy zwiększając napięcie U_CE jest taki punkt, w którym tranzystor przechodzi w nasycenie (tj. zwiększając napięcie U_CE prąd I_C ustala się do pewnej wartości).

2. Z charakterystyki wejściowej U_BE = f (I_B) tranzystora bipolarnego odczytu-jemy, iż napięcie progowe U_TO , poniżej którego prąd bazy jest bardzo mały wynosi około 0,7 V co jest widoczne na wyznaczonej charakterystyce.

3. Zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego h_21e dla układu WE przy I_B = const. zmienia się w funkcji prądu kolektora I_C oraz napięcia kolektor-emiter U_CE. Współczynnik wzmocnienia h_21e wzrasta wraz ze wzrostem I_C oraz U_CE

4. Wartości h_21e dla układu WE przy I_B = const. wyznaczone na podstawie pomiarów wahają się od 100 do 170.

5. Wyznaczając charakterystykę wyjściową dla tranzystora unipolarnego zauważamy, iż przy określonym stałym napięciu U_GS zwiększając napięcie U_DS jest taki punkt, w którym tranzystor przechodzi w nasycenie (tj. zwiększając napięcie U_DS prąd drenu I_D ustala się do pewnej wartości).

6. Z charakterystyki przejściowej tranzystora unipolarnego I_D = f (U_GS) przy U_DS = const. odczytujemy, że napięcie odcięcia bramka - źródło U_GS(off) ,przy którym nie płynie prąd drenu wynosi około U_GS(off) = 2 V.

7. Z charakterystyki wyjściowej dla tranzystora unipolarnego I_D = f(U_DS) przy U_GS = const. odczytujemy, iż prąd nasycenia I_DSS , tj. prąd drenu płynącego przy napięciu U_GS = 0 V i określonym napięciu U_{DS ,} I_DSS = ok. 6 mA.

8. Ewentualne różnice pomiędzy wartościami rzeczywistymi a wynikami pomiarów mogą być spowodowane błędem paralaksy, klasą dokładności mierników, błędami pośrednimi (indukcyjność i rezystancja przewodów i łączy).

mA

0 - 0,5 V

0 - 10 V

V

U_CE

V

U_BE



0 - 10 

0 - 50 

0 - 500 

B

C

E

E_GS

E_DS

V

mA

V

Y

X

RD

R

---