Fotorezystory - są to rezystory półprz., których rezyst. zmienia się pod wpływem oświetlenia. Światło o odpowiedniej długości fali wywołuje generację par elektron-dziura. Dodatkowa liczba elektronów i dziur wywołuje zwiększenie konduktywności półprzewodnika i odpowiednie zmniejszenie rezystancji fotorezystorów.
Wyróżnia się absorbcję : międzypasmową-generacja bezpośrednia (hv>Wg) lub przez domieszki-domieszki nie mogą być zjonizowane
Fotorezystory są wytwarzane zwykle z siarczku kadmu (Cds) , siarczek ołowiu (Pbs) , selenek ołowiu (PbSe), telurek ołowiu (PbTe).
Charakterystyki fotorezystora
Char. Świetlna
Czułość prądowa-nachylenie charak. świetlnej. Jest ona silnie zależna od dł. fali padającego promienio.,
rodzaju półprzew. oraz natężenia oświetlenia, napięcia i temp. S=dJ/dE czułość
Przy założeniu że strumień fotonów o energi hv>Wg powoduje fotogeneracje Δnf elek.-dziur przy czym: Δnf=gfτ gf=f(λ)E .Strumień ten powoduje przyrost przewodności o Δσ=q(μn+μp)τ f(λ)E
A-powierzch.przekr.fotorezyst. c-dł ścież.przewodzą
Zależność od dł fali jest ukryta we współczyniku f(λ), który maleje dla długich fal, gdyż dla nich energie fotonu są niewystarczjące do spowodowania fotogeneracji. Maleje również dla krótkich fal ponieważ ulegają one rozproszeniu na węzłach sieci półprzewodnika.
Podstawowe parametry:
Umax- max napięcie pracy
S-czułość ,
λmin, λmax,
τ- stała czasowa
Fotorezystory stosuje się wtedy gdy szybkość fotodetektora nie jest istotna.