Częstotliwośc graniczna tranzystora
W miarę wzrostu częstotli. sygnału zmieniają się warunki pracy tranz. przede wszystkim maleje jego wzmocnienie prądowe. Dlatego trzeba określić pasmo częstotliwości, w jakim tranzystor może pracować. Częstotliwość ograniczająca to pasmo z góry to częstotliw. graniczna. W strukturze tranzystora można wyodrębnić trzy warstwy, w których niezależne zjawiska powodują zmniejszenie i opóźnienie sygnału. Są to : warstw. zaporowa złacza E-B, warstwa B, warst. zapor. złącza B-C.
Najważniejsze znaczenie mają zjawiska zachod. w bazie.Gdy okres sygnału jest porównywalny z czasem przelotu nośników przez bazę to bierzemy pod uwagę oprócz rekombinacji także :
przesunięcie fazowe (skończony czas przejścia sygnału przez bazę), rozmycie dyfuzyjne (część nośników gromadzonych w B w czasie trwania jednej połówki sinusoidalnego prądu E jest z niej usuwana w drugiej połówce z powrotem do E.) Określamy pulsację przy której prąd C jest opóźniony o 45 do prądu E (WB) a jego amplituda jest razy mniejsza.
Charakterystyka częstotliwościowa modułu i fazy współczynika wzmocnienia.
Opóźnienie wnoszone przez warstwę zaporową złącza E-B jest spowodowane tym że proces wstrzykiwania nośników jest zgodny w fazie z napięciem na złączu, a napięcie opóźni się w stosunku do wejściowego prądu emitera