1. DIODA LASEROWA: param., zastos., model pasm.

  2. FOTODIODA: param., konstrukcje, schemat zast.

  3. FOTOOGNIWO: param., zastos.

  4. FOTOREZYSTORY: charakt., czułość prądowa

  5. FOTOTRANZYSTOR: ukł.zast. fttran. typu Π

  6. GAUSSOTRON: efekt Gaussa, siła Lorentza

  7. HALLOTRON: napięcie Halla

  8. IZOLACJA ZŁĄCZOWA, IZOLACJA DIELEKTRYCZNA

  9. c.d. izolacji dielektrycznej, IZOLACJA ZŁĄCZOWO-DIELEKTR., porównania

  10. DIODY LED: charakt., wykonanie, param., model p.

  11. IDEALNA STRUKTURA MIS: izolator idealny, energet. model pasmowy, charak. pojemn.-nap., c-MOS

  12. rzeczywisty MIS, stany powierzchniowe-typy ak.-don.

  13. TRANZYSOTRY polowe MISFET, klasyfikacja, kanały zubożone - wzbogacane, charakt.: przejsciowe, wyjściowe.

  14. param. statyczne MISFET, modele dynamiczne, praca z małymi sygnałami, praca nieliniowa

  15. MODEL ZŁĄCZ M-S z uwzgl. stanów pow., właściwości prostowinicze

  16. ZŁĄCZE M-S: diody Schotkiego, kontakt omowy, uproszczony model,

  17. c.d., KONTAKT OMOWY

  18. TRANZYSTORY polowe PNFET ze złączem P-N: zasada działania, charak. wyj., przejściowa,

  19. c.d., charakt. i par. stat., model statyczny, praca nieliniowa dynamiczna, praca z małymi sygnałami, modele fizyczne,

  20. Procesy przejściowe w tranzyst.

  21. TECHNOLOGIE: TRANZYSTORY: efekt tyrystorowy, DIODY USB z tranzystorów, struktura diody Schott.

  22. TECHNOLOGIE: REZYSTORY, KONDENSATORY, INDUKCYJNOŚĆ, podsumowanie w USB

  23. TERMISTORY

  24. Elementy przełączające, Tranz. JEDNOZŁĄCZ. UJT - DIODA DWUBAZOWA, charak. z par. statycznymi

  25. TRANSOPTORY: rodzaje, parametry.

  26. TRANZYSTOR BIPOLARNY: tran. stopowy - epiplanarny, zasada działania, rozkład koncentracji, wsp. wzmocnienia, modele nieliniowe statyczne (Ebers-Moll)

  27. charak. statyczne i param., prądy zerowe, MAŁE SYGN., charakterystyki - zjawisko Earlyego, WB, WE, napięcie MAX - przeb. Zenera, napięcie nasycenia.

  28. przełączanie, modele dynamiczne (Ebers-Moll), pojemn. złączowa, poj. dufyzyjna, DUŻE SYGNAŁY

  29. modele czwórnikowe, modele fizyczne, tranzyst. dużej mocy

  30. tranzystor jako element przeł., w stanie nasycenia

  31. TYRYSTORY, jednokierunkowe: dynistor tyrystor, stany pracy

  32. c.d., tyrystor dwukierunkowy: diak triak

  33. UKŁADY SCALONE WARST.: cieńkowarstwowe, procesy technologiczne (rezystory, kondensatory), grubowarstwowe (kondensatory)

  34. UKŁADY SCALONE UNIPOLARNE, tranz. MOS z kanałem wzbogaconym zubożanym itp., technologia bramki krzemowej,

  35. c.d. bramki krzemowej, technologia CMOS, MIS jako el. pamięci MNOS, FAMOS

  36. WARYSTOR

  37. WPŁYW TEMPERATURY NA ZŁĄCZE P-N: zakresy: zaporowy, przebicia, przewodzenia - przebicie lawinowe, Zenera

  38. Wytwarzanie warstw domieszkowych: Technologia stopowa, epitaksja, dyfuzja, implantacja, porównanie

  39. Częstotliwość graniczna tranzystora

  40. c.d., def. techniczna