Z.S. Elektrycznych Opole	Pracownia Elektroniczna	Ćw. nr: 1
	Temat: Badanie bramek logicznych
kl. 4 D Te	Data wykonania ćwiczenia :	Ocena:

• SPRAWOZDANIE

• Cel ćwiczenia :

Celem ćwiczenia jest pomiar oraz porównanie wartości parametrów statycznych układów wykonanych w technice TTL z wartościami parametrów układów wykonanych w technice unipolarnej CMOS.

1. 
   
   
   Badanie bramki TTL: UCY 7400

1. Tabela prawdy

A	B	Y
0	0	1
1	0	1
0	1	1
1	1	0

2. Pomiar napięcia wyjściowego w stanie wysokim U_OH

1. 
   
   Schemat pomiarowy i wynik

U_OH= 3 V


1.3 Pomiar napięcia wyjściowego w stanie niskim U_OL


1.3.1 Schemat pomiarowy i wynik

U_OL= 0 V


1.4 Pomiar wejściowego prądu w stanie niskim I_IL

1. 
   Schemat pomiarowy i wynik

I_IL= 1,1 mA

1.5 Pomiar wejściowego prądu w stanie wysokim I_IH

1. 
   
   Schemat pomiarowy i wynik

I_IH= 14 A

1. Wyznaczanie charakterystyki przejściowej

1. 
   Schemat pomiarowy




2. Tabelka pomiarowa

Ui [V]	0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	1,2	1,4	1,6	1,8
Uo [V]	4	4	4	4	3,6	3,2	2,7	0,04	0,04	0,03

3. Charakterystyka




2. Pomiar zwarciowego prądu wyjściowego w stanie wysokim I_OS

1. Schemat pomiarowy i wynik





I_OS= 32 mA

3. Obciążalność wyjściowa bramki TTL

a). dla stanu wysokiego

1. 
   Schemat pomiarowy i wyniki

U_OH
= 3V

R= 620 

I_OH= 4,8 mA

2. Obliczenia




b). dla stanu niskiego

3. 
   
   Schemat pomiarowy i wyniki

U_OL= 0,5 V

R= 100 

I_OL= 42,5 mA

4. Obliczenia




2. 
   Badanie bramki CMOS: 7404




1. Tabela prawdy

A	Y
0	1
1	0

2. Pomiar napięcia wyjściowego w stanie wysokim U_OH

1. 
   
   Schemat pomiarowy i wynik

U_OH= 4,5 V

3. Pomiar napięcia wyjściowego w stanie niskim U_OL

1. 
   Schemat pomiarowy i wynik




U_OL= 0 V

2.4. Pomiar wejściowego prądu w stanie niskim I_IL

1. 
   Schemat pomiarowy i wynik




I_IL= 1,1 mA

2.5. Pomiar wejściowego prądu w stanie wysokim I_IH

2. 
   
   Schemat pomiarowy i wynik

I_IH= 40 A

1. Wyznaczanie charakterystyki przejściowej

1. 
   
   Schemat pomiarowy

2.6.2. Tabelka pomiarowa

Ui [V]	0	0,2	0,4	0,6	0,8	1	2,4	2,6	2,8
Uo [V]	5,2	5,2	5,2	5,2	5,2	5,2	5	4,6	1,5

1. Charakterystyka




1. Pomiar zwarciowego prądu wyjściowego w stanie wysokim I_OS

3. 
   
   Schemat pomiarowy i wynik

I_OS= 5 mA

2. Obciążalność wyjściowa bramki TTL

a). dla stanu wysokiego

3. Schemat pomiarowy i wyniki





U_OH= 2,5 V

R= 1 k

I_OH= 2,5 mA

4. Obliczenia




b). dla stanu niskiego

5. 
   
   Schemat pomiarowy i wyniki

U_OL= 0,4 V

R= 2,4 k

I_OL= 166 A

6. Obliczenia




3. Uwagi i wnioski

W ćwiczeniu zauważamy, że wartość napięcia wyjściowego i prądu wejściowego w stanie wysokim na bramce CMOS jest większa niż na bramce TTL. Natomiast wartość napięcia wyjściowego i prądu wejściowego w stanie niskim na bramce CMOS i bramce TTL jest taka sama. Zwarciowy prąd wyjściowy w stanie wysokim przy bramce CMOS jest ponad sześciokrotnie mniejsze. Wyjściowy prąd w stanie wysokim na bramce TTL jest pawie dwa razy większy niż na bramce CMOS, a prąd wyjściowy w stanie niskim na bramce TTL jest rzędu pięćdziesięciu miliamperów, natomiast na bramce CMOS jest prawie nieznaczny (rzędu stu mikroamperów). Obciążalność bramki CMOS w stanie wysokim jest kilka razy mniejsza niż bramki TTL. Obciążalność bramki TTL w stanie niskim jest dużo większa niż bramki CMOS.

9