Test: I kolokwium, semestr zimowy 2005,
Fizyka półprzewodników półprzewodników przyrządy półprzewodnikowe ETD3082W
Kierunek: Automatyka i Robotyka (eka)
dr inż. Bogusław Boratyński
??? - oznacza, że nie wiem co za wyraz stał w tym miejscu
(?) - oznacza, że nie jestem dokońca pewien że słowo przed (?) jest słowem które tam było
Model zastępczy Ebers'a Moll'a dla prądu stałego składa się z:
Pojemności i rezystancji
Diód i źródeł napięciowych
Diód i źródeł prądowych
Diód i pojemności
Tranzystor w układzie wspólnej bazy ma wzmocnienie prądowe:
Zwykle większe od 1
Dokładnie równe 1
Trochę mniejsze niż 1
Zawsze mniejsze niż 0,9
Napięcie UCE na wyjściu tranzystora krzemowego w stanie nasycenia wynosi około:
20 V
0,2 V
1,4V
16 V
Parametr małosygnałowy, transkonduktancja - gm dla układu WB podaje zależność pomiędzy:
Napięciem UCB i napięciem UCE
Napięciem UCB i prądem kolektora
Napięciem UCE i prądem bazy
Napięciem UEB i prądem kolektora
Opóźnienie w przełączaniu tranzystora powoduje ładunek:
Nośników mniejszościowych w bazie
n większościowych w bazie
n większościowych w złączu EB
n mniejszościowych w złączu EB
Parametr małosygnałowy h22 tranzystora to inaczej:
Rezystancja wejściowa
Konduktancja wejściowa
Rezystancja wyjściowa
Konduktancja wyjściowa
Charakterystyki wyjściowe tranzystora w układzie wspólny emiter przedstawia zależność:
IC = f(UCB) dla IE = const
IC = f(IE) dla IB = const
IC = f(UCE) dla IB = const
IC = f(IB) dla IE = const
Tranzystory polowe wykazują zależność prądu drenu od napięcia bramka-źródło:
Liniową
Eksponencjalną
Kwadratową
Logarytmiczną
Tranzystor JFET można wykorzystać (oprócz wzmacniacza) jako:
Sterowaną diodę
Regulowany rezystor
Prostownik
Element świecący
Tranzystor MOSFET z kanałem wzbogaconym typu n wymaga polaryzacji:
UDS > 0 UGS < 0
UDS < 0 UGS < 0
UDS > 0 UGS > 0
UDS < 0 UGS > 0
Rezystancja wejściowa tranzystora MOSFET jest:
Mniejsza niż JFETa
Większa niż JFETa
Jak bipolarny układ WB
Jak bipolarny układ WO
Monolityczny bipolarny układ scalony ma budowę optymalną dla efektywnej pracy:
Tranzystora pnp
Tranzystora npn
Tranzystora JFET kanał p
Tranzystora JFET kanał n
Standardowe napięcia układów TTL: U zasilania, UL w stanie niskim, UR w stanie wysokim wynoszą odpowiednio:
5V, 0V, 2,4V
3,5V, 0,2V, 2,4V,
5V, 0,2V 3,5V
7V, 0V, 3,5V
tych 4 pytań narazie nie jestem w stanie sobie „przypomnieć” :/
Przepływ prądu w kierunku przewodzenia w złączu p-n jest wynikiem:
??? nośników
unoszenia nośników
dyfuzji nośników większościowcyh
generacji nośników
Zmiana napięcia z 9,58V na 9,62V na diodzie Si przewodzącej stały prąd 1mA mogła wystąpić(?) pod wpływem:
obniżenia temperatury o 40°C
obniżenie temperatury o 20°C
wzrostu temperatury o 40°C
wzrostu temperatury o 20°C
Właściwie(?) pracująca dioda waraktorowa(?) (pojemnościowa):
Jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia i ma dużą pojemność złączową
Jest spolaryzowana w kierunku zaporowym i wykazuje pojemność złączową
Jest spolaryzowany w kierunku zaporowym i wykazuje pojemność dyfuzyjną
Jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia i przewodzi duży prąd
Model zastępczy diody, słuszny dla małych sygnałów w.cz. składa się z:
Rezystancji i pojemności
Samych rezystancji
Rezystancji i indukcyjności
Samych pojemności
W ogniwie słonecznym siła elektromotoryczna [SEM](?) będzie miała najwyższą wartość wówczas gdy:
Ogniwo wykonane jest z Si i jest silnie oświetlane
Ogniwo wykonane jest z Si i jest słabo oświetlane
Ogniwo wykonane jest z GaAs i jest silnie oświetlane
Ogniwo wykonane jest z GaAs i jes słabo oświetllane
Halotrony to przyrządy, w których sygnałem mierzonym na wyjściu czujnika jest:
Temperatura
Naprężenia(?)
Pole magnetyczne
Napięcie
Układ inwertora CMOS zbudowany jest z:
2 tranzystory MOSFET z kanałem zubożanym
2 tranzystory MOSFET z kanałem wzbogacanym
1 tranzystor kanał wzbogacany + 1 tranzystor kanał zubażony
dowolna kombinacja
Moc bierna(?) w układach COMS:
Nie zależy od częstotliwości (f) pracy
Rośnie liniowo z f
Rośnie z kwadratem(?) f
Maleje liniowo z f