wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym


POLITECHNIKA ŚWIĘTOKRZYSKA

Laboratorium elektroniki

Ćwiczenie nr

2

Temat ćwiczenia:

Badanie wzmacniaczy zbudowanych na tranzystorze bipolarnym.

Zespół nr 1

  1. Konrad Pawłowski

  2. Beata Paździerz

  3. Robert Paluch

Data wykonania

ćwiczenia :

2001-11-05

Ocena

Wydział Elektrotechniki, Automatyki i Informatyki

  1. Cel ćwiczenia

Celem ćwiczenia jest zbadanie wzmacniacza zbudowanego na tranzystorze bipolarnym i wyznaczenie jego charakterystyki częstotliwościowej.

2. Schemat pomiarowy:

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic

0x08 graphic

RB=220 kΩ

RL=1 kΩ

RC=1 kΩ

C=2,2 μF

EC=15 V

UBE=0,7 V

Wartość rezystora RB dobieramy ze wzoru:0x01 graphic
. Prąd IB odczytujemy z charakterystyki wyjściowej tranzystora bipolarnego npn BC 107, na którym jest montowany układ wzmacniacza.

  1. Tabele pomiarowe.

3.1. Charakterystyka wzmocnienia napięciowego funkcji częstotliwości 0x01 graphic
=F(f) (Rys. 1).

0x08 graphic

Lp

0x01 graphic
[V]

0x01 graphic
[V]

f [Hz]

0x01 graphic
[V\V]

0x01 graphic
[dB]

1

0,068

4,4

50

64,706

36,219

2

0,068

5

70

73,529

37,329

3

0,068

5,2

90

76,471

37,670

4

0,068

5,6

500

82,353

38,314

5

0,067

5,7

700

85,075

38,596

6

0,067

5,8

900

86,567

38,747

7

0,067

5,8

5000

86,567

38,747

8

0,067

5,8

7000

86,567

38,747

9

0,066

5,7

9000

86,364

38,727

10

0,066

5,6

25000

84,848

38,573

11

0,066

5,3

34000

80,303

38,095

12

0,066

5

40000

75,758

37,589

13

0,065

4,8

50000

73,846

37,367

14

0,065

4,7

70000

72,308

37,184

15

0,065

4,6

90000

70,769

36,997

16

0,065

3,3

500000

50,769

34,112

17

0,064

2,8

700000

43,750

32,820

18

0,064

2,4

900000

37,500

31,481

19

0,064

2,1

1100000

32,813

30,321

    1. Charakterystyka przesunięcia fazowego funkcji częstotliwości 0x01 graphic
      =F(f) (Rys. 2).

0x01 graphic

t [s]

F [Hz]

0x01 graphic
[°]

4m

50

252

3m

69

254,52

1,4m

80

220,32

0,8m

100

208,8

0,4m

200

208,8

0,1m

300

190,8

0

400

180

0

10000

180

1μ

40000

194,4

0,9μ

90000

209,16

0,5μ

200000

216

0,4μ

300000

223,2

0,2μ

400000

208,8

4. Wnioski.

Na podstawie przeprowadzonych obserwacji można stwierdzić, że głównym zadaniem wzmacniacza jest wzmacnianie sygnału. Wzmacniacz powinien być zasilany ze źródła stabilizowanego, gdyż zmiany napięcia zasilania powodują przesunięcie punktu pracy tranzystora, co może wpływać na odkształcenia wzmacnianego sygnału

Wzmacniacz zbudowaliśmy w układzie WE w oparciu o tranzystor BC 107. Dla badanego wzmacniacza zmierzyliśmy amplitudę odczytaną z oscyloskopu i następnie wykreśliliśmy charakterystykę odczytu w zależności od częstotliwości generatora .

Pasmo przenoszenia wyznaczamy ze wzoru: fg - fd = pasmo przenoszenia, gdzie fg ,fd są to graniczne częstotliwości odczytane z wykresu. Pasmo przenoszenia wynosi : 100 kHz - 70 Hz = 99930 Hz.

Na laboratoriach wykonaliśmy tylko dwie charakterystyki:

Nie zdążyliśmy wykonać pomiarów do trzeciej charakterystyki U2=F(U1) dla określonej częstotliwości f = 100 kHz., gdyż mieliśmy na początku drobne problemy z układem pomiarowym.


0x08 graphic

0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x08 graphic
0x01 graphic


0x08 graphic
0x01 graphic

2

0x01 graphic

Oscyloskop

Oscyloskop

Pasmo przenoszenia

~

μA

fg

V

RB

RC

0x01 graphic

RL

-EC

C

fd

Rys. 1.

Rys. 2.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Badanie wzmacniaczy na tranzystrze bipolarnym
Porównanie własności pojedynczych stopni wzmacniacza na tranzystorach bipolarnych
dokumentajca, Wzmacniacz na tranzystorach HEXFET o mocy 400W/4W ; 200W/8W Sinus z opóźnionym włączan
Wzmacniacz na tranz bipolarnym
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET
Wzmacniacz na tranzystorze unipolarnym doc
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET1
Badanie wzmacniaczy na tranzystorach J FET2
wzmacniacz na tranzystorze polowym tabelki
sprawozdanie wzmacniacz na tranzystorze polowym ćw5 elektronika
90 Tranzystor bipolarny jako wzmacniacz
etr2 lab odpowiedzi na pytania do laborek z tranzystora bipolarnego, Mechatronika, 2 Rok
Badanie wzmacniacza szerokopasmowego, Ćwiczenie nr 23: -Badanie tranzystora bipolarnego -
, przyrządy półprzewodnikowe L, tranzystor bipolarny w układzie wzmacniacza małej częstotliwości
Wzmacniacz w ukladzie ze wspolnym zrodlem na tranzystorze unipolarnym
,elementy i układy elektroniczne I P, WZMACNIACZ TRANZYSTOROWY OPARTY NA TRANZYSTORZE?847B
90 Tranzystor bipolarny jako wzmacniacz
F 1 Zasada działania tranzystora bipolarnego
Mój pierwszy wzmacniacz (na układzie TDA7056), cz 2

więcej podobnych podstron