(54) Sposób wykonania monolitycznych płytek półprzewodnik-dielektryk

(57) Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonania monolitycznych płytek półprzewodnik-dielektryk, wykorzystywanych zwłaszcza do wytwarzania mikrofalowych układów scalonych (MMIC).

W sposobie tym dla odizolowania obszarów czynnych struktur wytwarza się w płytce półprzewodnikowej przechodzące przez całą grubość tej płytki obszary dielektryczne. W pierwszym etapie odizolowywania trawi się od góry płytki półprzewodnikowej (1) obszary o głębokości większej niż zakładana grubość struktury. W drugim etapie wytrawione obszary wypełnia się dielektrykiem (3), po czym odsłania się wykonane uprzednio obszary dielektryka (3) od spodu płytki. Dla niektórych zastosowań na powierzchnię płytki z odsłoniętymi obszarami dielektryka nakłada się warstwę dielektryka o tym samym współczynniku rozszerzalności termicznej.

(2 zastrzeżenia)

A1 (21) 333958 (22) 1999 06 21 7(51) H01L 21/02

(71) Politechnika Wrocławska, Wrocław

(72) Sachse Krzysztof, Sawicki Andrzej, Jaworski Grzegorz, Walesiak Stanisław

(54) Sposób wytwarzania pasywnych mikrofalowych układów scalonych o liniach sprzężonych

(57) Sposób wytwarzania pasywnych mikrofalowych układów scalonych o liniach sprzężonych polega na tym, że na cienkiej folii dielektrycznej (3) pokrytej z obydwu stron warstwą metalu wykonuje się metodą fotolitografii dwustronnej strukturę linii sprzężonych (4, 5) z paskami linii doprowadzeń (1), a następnie cienką folię dielektryczną (3) łączy się z dielektrykiem warstwą podłoża podstawowego (2), na której od dolnej strony znajduje się ekran linii mikropaskowych (10), za pomocą termoplastycznej folii dielektrycznej (6), w której wykonuje się wycięcia (7) w obszarach galwanicznego połączenia pasków linii doprowadzeń (1) znajdujących się od dolnej strony cienkiej folii dielektrycznej (3), przy czym galwaniczne połączenia pasków linii doprowadzeń (1) znajdujących się na dielekrycznej warstwie podłoża podstawowego (2) z paskami linii doprowadzeń (1) znajdujących się od dolnej strony cienkiej folii dielektrycznej (3) uzyskuje się samoczynnie w procesie termoplastycznego łączenia cienkiej folii dielektrycznej (3) z dielektryczną warstwą podłoża podstawowego (2).

(7 zastrzeżeń)

A1 (21) 334043 (22) 1999 06 25 7(51) H01M 10/48

(75) Pietrzak Andrzej, Wrocław

---