|
Podstawy Elektroniki i Miernictwa Studia dzienne Semestr II |
Autor: |
Andrzej Mroczek |
||
|
|
Skład grupy: |
Paweł Myc, Jacek Polak, Marek Mikołajuk |
||
|
|
Grupa: |
Dziekańska: VI Laboratoryjna: III |
||
|
|
Prowadzący: |
mgr inż. Słomiński |
||
SPRAWOZDANIE Z REALIZACJI ĆWICZENIA „Badanie charakterystyk tranzystora polowego” |
|||||
Nr ćwiczenia: 5
|
Data: 08.04.2004 r. |
Ocena: |
Przebieg ćwiczenia
Celem ćwiczenia było dokonanie pomiarów, pozwalających na analizę charakterystyk statycznych tranzystora unipolarnego (polowego) - charakterystyki wyjściowej: ID = f(UDS), oraz przejściowej: ID = f(UGS) - poznanie podstawowych zależności między prądami a napięciami w tranzystorze.
Wyniki pomiarów
L.p. |
UGS (V1) |
IG (A1) |
UDS (V2) |
ID (A2) |
IS (A3) |
|
[V] |
[mA] |
[V] |
[mA] |
[mA] |
1 |
4,5 |
0 |
0,5 |
85,5 |
85,7 |
2 |
|
|
1,0 |
112,0 |
112,3 |
3 |
|
|
2,0 |
125,6 |
126,0 |
4 |
|
|
4,0 |
125,8 |
126,2 |
5 |
|
|
8,0 |
127,9 |
128,4 |
6 |
4,7 |
0 |
0,5 |
98,4 |
98,8 |
7 |
|
|
1,0 |
171,0 |
171,5 |
8 |
|
|
2,0 |
192,4 |
192,8 |
9 |
|
|
4,0 |
194,3 |
194,7 |
10 |
|
|
8,0 |
198,1 |
198,5 |
11 |
4,9 |
0 |
0,5 |
101,7 |
102,0 |
12 |
|
|
1,0 |
195,4/270 |
195,9/270 |
13 |
|
|
2,0 |
480 |
490 |
14 |
|
|
4,0 |
600 |
600 |
15 |
|
|
8,0 |
650 |
650 |
Tab. 1. Wyniki pomiarów charakterystyki wyjściowej
L.p. |
UGS (V1) |
UDS (V2) |
ID (A2) |
h22E |
|
[V] |
[V] |
[mA] |
[S] |
1 |
3,1 |
4 |
0,03 |
0,01 |
2 |
3,3 |
|
0,12 |
0,03 |
3 |
3,5 |
|
0,72 |
0,18 |
4 |
3,7 |
|
3,66 |
0,92 |
5 |
3,9 |
|
13,10 |
3,28 |
6 |
4,1 |
|
40,00 |
10,00 |
7 |
4,3 |
|
97,00 |
24,25 |
8 |
4,5 |
|
200,00 |
50,00 |
9 |
4,7 |
|
370,00 |
92,50 |
10 |
4,9 |
|
460,00 |
115,00 |
Tab. 2. Wyniki pomiarów charakterystyki przejściowej
Wykresy
Charakterystyka wyjściowa: ID = f(UDS)
Charakterystyka przejściowa: ID = f(UGS)
Spostrzeżenia, wnioski.
Pomiar charakterystyki wyjściowej potwierdza, że:
tranzystor unipolarny jest sterowany napięciowo - prąd drenu zależy od położonego napięcia bramka - źródło; im wyższe UGS , tym większe ID
prąd drenu jest też funkcją napięcia dren - źródło; w tzw. obszarze nienasycenia - funkcję : ID = f(UDS) można traktować jako liniową zależność, tranzystor zachowuje się jak rezystor półprzewodnikowy; w obszarze nasycenia: ID(UDS) ≈ const - prąd drenu rośnie wraz z wzrostem UDS , ale ten wzrost jest pomijalny - ID traktuje się jak wartość stałą
Analiza charakterystyki przejściowej potwierdza, że:
zależność prądu drenu od napięcia bramka - źródło jest zależnością wykładniczą
daje się zaobserwować wzmocnienie prądowe (ID /IG ) h21E > 1
rozwarciowa admitancja wyjściowa (liczona: h22E = ID/UDS [S]) przyjmuje wartości 10-5 - 10-1 [S]
Państwowa Wyższa Szkoła Zawodowa
Instytut Informatyki Stosowanej - Administracja Sieci i Systemów Komputerowych
3