Wyznaczenie współczynnika wzmocnienia prądowego β dla różnych wartości napięcia UCE.
Korzystając z narysowanych charakterystyk wyjściowych tranzystora bipolarnego, odczytałem wartości prądu kolektora IC dla wartości napięcia UCE podanych przez prowadzącego. Następnie obliczyłem współczynnik wzmocnienia prądowego tego tranzystora korzystając ze wzoru:
IB=1000μA
UCE |
V |
0,7 |
1,4 |
2,1 |
2,8 |
3,5 |
4,2 |
4,9 |
5,6 |
6,3 |
7 |
7,7 |
8,4 |
9,1 |
9,8 |
IC |
mA |
180 |
182 |
183 |
184 |
187 |
190 |
192 |
194 |
197 |
199 |
199 |
199 |
199 |
200 |
β |
- |
180 |
182 |
183 |
184 |
187 |
190 |
192 |
194 |
197 |
199 |
199 |
199 |
199 |
200 |
IB=2000μA
UCE |
V |
0,8 |
1,6 |
2,4 |
3,2 |
4 |
4,8 |
5,6 |
6,4 |
7,2 |
8 |
8,8 |
9,6 |
10,4 |
11,20 |
IC |
mA |
323 |
324 |
327 |
332 |
334 |
337 |
342 |
346 |
350 |
352 |
358 |
359 |
360 |
361 |
β |
- |
161,5 |
162 |
163,5 |
166 |
167 |
168,5 |
171 |
173 |
175 |
176 |
179 |
179,5 |
180 |
180,5 |
IB=3000μA
UCE |
V |
0,8 |
1,6 |
2,4 |
3,2 |
4 |
4,8 |
5,6 |
6,4 |
7,2 |
8 |
8,8 |
9,6 |
10,4 |
11,20 |
IC |
mA |
436 |
444 |
451 |
457 |
462 |
464 |
468 |
472 |
474 |
478 |
480 |
484 |
488 |
492 |
β |
- |
145,3 |
148,0 |
150,3 |
152,3 |
154,0 |
154,7 |
156,0 |
157,3 |
158,0 |
159,3 |
160,0 |
161,3 |
162,7 |
164,0 |
Wnioski
Uzyskane charakterystyki badanego przez nas tranzystora są zbliżone do charakterystyk teoretycznych. Odstępstwa od wartości teoretycznych spowodowane są niedokładnością naszych pomiarów, a także niedokładnością odczytów wartości. Współczynnik wzmocnienia prądowego β jest zawsze większy od jedności. Uzyskane wyniki są poprawne, co mogę stwierdzić po wyznaczeniu wartości wzmocnienia prądowego β.
Charakterystyka wejściowa.
Kształt przebiegu jest zbliżony do charakterystyki diody przy polaryzacji w kierunku przewodzenia. Jest to spowodowane polaryzacją złącza B-E tranzystora w kierunku przewodzenia. Różnice przebiegu dla różnych UCE występują pod wpływem zjawiska Early'ego. Przy większym UCE maleje efektywna grubość bazy i mniej nośników wstrzykiwanych z emitera do bazy rekombinuje w jej objętości co powoduje, ze maleje prąd bazy IB.
Charakterystyka wyjściowa.
Charakterystyka prądu IC szybko wzrasta w zakresie początkowym. Tranzystor wychodzi ze stanu nasycenia i przy UCE>UBE pracuje w obszarze aktywnym. W tym zakresie pracy występuje niemal stała wartość prądu kolektora. Jest ona proporcjonalna do wartości prądu bazy (Ic=β0IB). Pewne nachylenie charakterystyki jest spowodowane występowaniem zjawiska Early'ego. Wzrost wartości napięcia UCE zmieniając efektywną grubość bazy zwiększa gradient koncentracji nośników w bazie, zwiększając przy tym składową dyfuzyjną prądu bazy, a następnie zwiększając wartość prądu kolektora.
Charakterystyka przejściowa.
Zgodnie z równaniem IC= β0IB jest liniowa w przybliżeniu. Prawdopodobnie błędne wyniki pomiarów spowodowały to, ze w naszym przypadku jest ona nieco zaokrąglona. Napięcie UCE wpływa na tę zależność przez zmianę efektywnej grubości bazy.