Test: I kolokwium, semestr zimowy 2005,

Przyrządy półprzewodnikowe 1 ETE0125W

Kierunek: Elektronika i telekomunikacja (eka)

??? - oznacza, że nie wiem co za wyraz stał w tym miejscu

(?) - oznacza, że nie jestem dokońca pewien że słowo przed (?) jest słowem które tam było

1. W półprzewodniku typu „n” poziom Fermiego znajduje się:

• w paśmie przewodzenia(?);

• bliżej dna pasma przewodzenia;

• bliżej wierzchołka pasma przewodzenia;

• pośrodku przerwy zabronionej;

Dziura w półprzewodniku to:

• brak atomu w sieci krystalicznej;

• brak elektronu w wiązaniu kowalencyjnym;

• nie istnieje nic takiego;

• ??? ??? ??? kowalencyjnym;

• Ruchliwość nośników ładunku to:

• po prostu ich średnia prędkość;

• ??? ich drgań wewnętrznych;

• zmiana ich zdolności do rekombinacji;

• zmiana ich prędkości wynikowej pod wpływem pola elektrycznego;

• Prąd dyfuzji w półprzewodniku spowodowany może być:

• ??? ??? półprzewodnika;

• ??? ??? półprzewodnika;

• obydwoma powyższymi przyczynami;

• wbudowanym polem elektrycznym;

• zewnętrznym polem elektrycznym;

• Wzór Einsteina wiąże ze sobą:

• ruchliwość nośników z natężeniem pola elektrycznego;

• współczynnik dyfuzji nośników z ich koncentracją;

• ruchliwość z współczynnikiem dyfuzji nośników;

• współczynnik dyfuzji z natężeniem pola elektrycznego;

• Podstawowe(?) zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne polega na:

• wybiciu(?) atomu(?) z węzła sieci krystalicznej półprzewodnika;

• wybiciu(?) atomu(?) domieszki z węzła sieci krystalicznej półprzewodnika;

• rozerwaniu(?) wiązania kowalencyjnego;

• odbudowie(?) uszkodzonego(?) wiązania kowalencyjnego;

• Przewodnik samoistny to taki, w którym:

• nie ma domieszki;

• jest tylko domieszka donorowa;

• jest tylko domieszka akceptorowa;

• N_D= N_A;

• Podczas(?) powstawania(?) obszaru zubożonego złącza, zawarty w nim elektryczny ładunek przestrzenny jest przyczyną powstania:

• warstwy samoistnej;

• bariery potencjału dyfuzyjnego;

• obszaru bez pola elektrycznego;

• polaryzacji w kierunku przewodzenia;

• Przepływ prądu w kierunku przewodzenia złącza p-n jest wynikiem:

• unoszenia nośników większościowych;

• dyfuzji nośników większościowych;

• unoszenia nośników mniejszościowych;

• dyfuzji nośników mniejszościowych;

• Dioda Si przewodzi stały prąd 10mA; zmniejszenie spadku napięcia na niej o 20mV jest skutkiem:

• obniżenia temperatury o 10K;

• wzrostu temperatury o 10K;

• obniżenia temperatury o 20K;

• wzrostu temperatury o 20K;

• W tranzystorze polowym złączowym JFET(?) maksymalny prąd drenu wystąpi przy:

• polaryzacji bramki maksymalnym dostępnym napięciem w kierunku zaporowym;

• polaryzacji bramki maksymalnym dostępnym napięciem w kierunku przewodzenia;

• zerowej polaryzacji bramki;

• nie(?) zależy(?) od polaryzacji bramki;

• Jaki charakter ma zależność prądu drenu od napięcia bramki w tranzystorze polowym złączowym FET:

• wykładniczą;

• kwadratową(?);

• logarytmiczną;

• liniową;

• Dla polaryzacji w kierunku zaporowym prąd diody(?) pod wpływem spadku(?) temperatury:

• zmniejszy się o 10% / C;

• zwiększy się o ??? %/C;

• zmniejszy się o ??? %/C;

• zwiększy się o ??? %/C;

• Opóźnienie w przełączaniu tranzystora(?) powoduję nagromadzenie ładunków:

• nośników mniejszościowych w bazie(?);

• nośników większościowych w bazie(?);

• nośników mniejszościowych w ???;

• nośników większościowych w ???;

• Parametr małosygnałowy h_xy to inaczej:

• rezystancja wejściowa;

• wzmocnienie prądowe;

• napięciowy współczynnik oddziaływania wstecznego

• konduktancja wyjściowa;

• Częstotliwość graniczna tranzystora bipolarnego będzie największa w układzie:

• wspólnego kolektora;

• wspólnej bazy;

• wspólnego emitera;

• jest taka sama dla wszystkich konfiguracji;

• Aby tranzystor p-n-p pracował w stanie aktywnym jego złącza powinny być spolaryzowane:

• C-B przewodzenie, E-B przewodzenie;

• C-B przewodzenie, E-B zaporowo;

• C-B zaporowo, E-B przewodzenie;

• C-B zaporowo, E-B zaporowo;

• Tranzystor w układzie wspólnego emitera ma wzmocnienie prądowe:

• większe od 1;

• dokładnie równe 1;

• ??? mniejsze(?) od 1;

• ??? mniejsze(?) od 0.9;

• Model zastępczy transportowy(?) Ebersa Molla dla prądu stałego składa się z:

• pojemności i rezystancji;

• diód i źródeł prądowych;

• diód i źródeł napięciowych;

• diód i pojemności;

• Prąd unoszenia występuj:

• tylko w półprzewodnikach;

• tylko w przewodnikach;

• zarówno(?) w półprzewodnikach i w przewodnikach;

• tylko w izolatorze;

• Dioda elektroluminescencyjna (LED) świeci w wyniku:

• generacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia;

• generacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku zaporowym;

• rekombinacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku zaporowym;

• rekombinacji nośników prądu gdy dioda jest spolaryzowana w kierunku przewodzenia;

Dodatkowe pytania na poprawce:

1. Transkonduktancja g_m do czego jest analogiczna (do jakiego h)? h21

2. Charakterystyka wyjściowa tranzystora OE ? Ic=(Uce) Ib=const

3. Najwyższa częstotliwość graniczna przy spadku o 3 dB ?

4. Co tworzy dipol w złączu p-n ? akceptory - (minus) i odnory + (plus)

5. Zależność koncentracji nośników od temperatury ? ni= T^3/2 * exp(-Wg/2kT)

6. Największą rezystancja wyjściowa dla jakiego układu? OB

7. Gdzie znajduje się poziom donorowy w energetycznym modelu pasmowym? pod poziomem przewodnictwa

---