PRAWO STAŁOŚCI KĄTÓW: W kryształach danej substancji wielkość ścian nie jest stała, natomiast kąty między ścianami lub między krawędziami są stałe we wszystkich kryształach danego rodzaju. Formalnie posługujemy się kątami między normalnymi do ścian, a nie kątami dwuściennymi między płaszczyznami. PRAWO WYMIERNYCH WSKAŹNIKÓW: Jeżeli ściana kryształu przyjęta za ścianę jednostkową odcina na osiach współrzędnych odcinki a,b i c zaś inna dowolna ściana odcinki a', b' i c', to iloraz tych odcinków wyraża się stosunkiem liczb całkowitych pierwszych względem siebie.
a/a' : b/b' : c/c'=h:k:l
PRAWO PASOWE WEISSA: Każda ś ciana kryształu należy przynajmniej do 2 pasów, położenie każdej ze ścian jest określone przez 2 osie pasów do których ona należy. Zbiór ścian równoległych do jednej prostej sieciowej nazywamy pasem ścian, tą prostą sieciową nazywamy osią tego pasa, a jej symbol jest nazwany symbolem pasa.
Zasady konstrukcji rzutu stereograficznego. Projekcja stereograficznego jest transpozycją rzutu sferycznego na płaszczyznę równikową, oddaje symetrię morfologiczną kryształu. Ściany reprezentowane są przez punkty (Ο i ×), które nie ukazują kształtu ani wielkości ścian, a jedynie kąty między ich normalnymi. Projekcja ta pozwala określić postacie proste. Każda ściana kryształu reprezentowana jest przez punkt będący rzutem punktu przecięcia sfery projekcji i normalnej ściany na płaszczyznę równikową. Postać prosta- zespół ścian kryształu jednakowo oddalonych od jego środka i mających ten sam kształt i wielkość.(Zespół symetrycznie równoważnych ścian, czyli zbiór ścian powiązanych wszystkimi operacjami symetrii danej grupy punktowej).
Postać prosta otwarta- nie tworzy bryły zamkniętej, w kryształach występuje zawsze w kombinacji z innymi postaciami prostymi. Postać prosta zamknięta-tworzy bryłę zamkniętą, może występować samodzielnie w kryształach. Postać prosta szczególna-pojawia się przy szczególnym ułożeniu ścian względem elementów symetrii (┴ lub║). Postać prosta ogólna-pojawia się przy ogólnym (dowolnym) ułożeniu ścian względem elementu symetrii.
Do prezentacji r zutu stereograficznego stosuje się siatkę „południków” i „równoleżników” zwaną siatką Wulfa, która ma następujące cechy: *oś Z przebija siatkę w środku koła *ściany równoległe do osi Z stanowią wielkie koło projekcji *dodatni biegun osi X znajduje się pod płaszczyzną projekcji. Zastosowanie projekcji stereograficznej: *ustalanie przynależności kryształów do klas krystalograficznych *ustalenie grupy punktowej przez rozpoznanie postaci prostych *odczyt wartości kątów między dowolnymi ścianami *nadanie ścianom wskaźników {hkl} *ustalenie kątów między osiami krystalograficznymi α,β,γ gdy znane są ściany {100}{010}{001} *wyznaczenie stosunku osiowego a:b:c na podstawie zdefiniowania ściany jednostkowej {111}.
Krystalizacja-przejście jednego lub większej liczby liczby składników ze stanu gazowego lub ciekłego w stan stały. Rekrystalizacja-ponowne otrzymanie kryształów z już istniejących kryształów. Odszklenie-przejście ze stanu szklistego w stan krystaliczny.
Każdy związek chemiczny ma ściśle określoną temperaturę, w której ulega krystalizacji.W przypadku mieszaniny temperatura krystalizacji zależy od jej składu.
Etapy krystalizacji: *nukleacja (zarodkowanie)-łączenie cząsteczek w zespoły zwane zarodkami krystalicznymi,(zarodki stanowią zaczątki przestrzennej struktury krystalicznej).Rolę zarodków krystalizacji mogą odgrywać niejednorodności środowiska np. zanieczyszczenia mechaniczne ,rysy w naczyniu, zanieczyszczenia w postaci pyłów i banieczek gazów. *propagacja- swobodny wzrost pojedynczych zarodków (kryształów) *łączenie się pojedynczych mono kryształów z utworzeniem tzw. mikrostruktury krystalicznej. Cechy r-u zależne od T: *zdolność do krystalizacji (szybkość tworzenia zarodków krystalizacji) *szybkość krystalizacji (szybkość wzrostu kryształów) *lepkość r-u (tarcie wewnętrzne). Zwykle zbyt gwałtowne oziębianie prowadzi do przechłodzenia-wzrasta lepkość, utrudniona jest migracja cząsteczek i otrzymuje się szkliwo.
WZROST KRYSZTAŁÓW Z ROZTWORÓW:
*powolne odparowywanie rozpuszczalnika (niezbyt szczelne zamknięcie naczynia z r-em, usuwanie par rozpuszczalnika przez umieszczenie w dołączonym naczyniu świeżo pociętych wiórków parafiny,powolne przepuszczenie gazu obojętnego nad roztworem) *oziębianie r-u (po rozp sub na gorąco należy zastosować izolację termiczną by nie dopuścić do zbyt gwałtownego oziębienia r-u. Szybkość oziębiania można zmniejszyć przez umieszczenie naczynia w większym naczyniu z gorącą wodą) *Dyfuzja rozpuszczalników w fazie ciekłej (polega to na nawarstwieniu rozpuszczalnika wytrącającego na stężony roztwór sub w drugim rozpuszczalniku o większej gęstości.Aby uzyskać efekt powolnej zmiany składu i stabilność termodynamiczną na początku doś, ciecz nawarstwiona powinna mieć gęstość mniejszą niż roztwór dolny.) *dyfuzja par (otrzymanie kryształów poprzez sporządzenie stężonego r-u sub w rozpuszczalniku i stopniowe zwiększanie stężenia gorszego rozpuszczalnika w układzie.