Końcówka mocy

Założenia:

P_wy=10W przy obciążeniu R_L=4Ω, k_u=20V/V, f=20Hz...20kHz, R_we=30kΩ.

Schemat układu

1. Określenie maksymalnej amplitudy natężenia prądu i napięcia wyjściowego przy obciążeniu znamionowym.

Jako tranzystory stopnia końcowego T2,T3 zastosowano parę tranzystorów 2N3055 o parametrach: U_BC0max=100V, U_CE0max=60V, h_21E=20...70(I_C=4A), I_Cmax=15A, P_cmax=100W,

Do obliczeń przyjęto h_21E=20

2. Ustalenie wartości rezystancji R_E, prądu spoczynkowego I₀ tranzystorów mocy, oraz rezystancji R_B.

wybrano R_E=0,5Ω

Wartość napięcia U_BE wyznaczono z charakterystyki I_C=f(U_BE).

Przebieg charakterystyki IC=f(UBE) dla tranzystora 2N3055

wybrano I₀=100mA

wybrano R_B=30Ω

3. Obliczenie napięcia zasilającego.

Wymagane napięcie zasilające obliczono biorąc pod uwagę oddzielnie zależności dla dodatniej i oddzielnie dla ujemnej połówki przebiegu wyjściowego. Niektóre wartości zostały przyjęte szacunkowo (z marginesem bezpieczeństwa).

Przyjmując spadek bardziej niekorzystny, oraz zakładając spadek napięcia zasilającego rzędu kilku procent przy pełnym wysterowaniu przyjęto: 0,5E_c=15V.

4. Określenie mocy strat w tranzystorach stopnia końcowego.

5. Określenie mocy w tranzystorach T1, T4.

Jako tranzystory T1, T4 zastosowano parę komplementarną BD137, BD138 o parametrach: U_CB0max=60V, U_CE0max=60V, I_Cmax=1,5A, P_tot=6,5W, h_21E=40...160(I_C=0,15A)

do obliczeń przyjęto H_21E=50.

przyjęto I_źr=6mA

przyjęto C₁=2,2μF

f_d - dolna częstotliwość graniczna,

Elementy zabezpieczające przed obciążeniami o charakterze reaktancyjnym; przyjęto wartości: R₂=R₃=10Ω, C₂=0,1μF, L₁=5μH, diody D1, D2 typu BYP401-200.

3

---