Wymień i omów parametry materiałowe
Do opisu zachowania się mniejszościowych nośników nadmiarowych służą czas życia i długość drogi dyfuzji.
Czas życia τp: jest to czas jaki upływa od chwili wyłączenia czynnika generującego, po którym nadmiarowa koncentracja nośników maleje e-krotnie (średni odstęp czasu między generacją i rekombinacją nośnika). Dla krzemu współczynnik ten wynosi od 10-9s do 10-5s.
Średnia droga dyfuzji nośników Lp to odległość po przejściu której koncentracja nadmiarowych nośników maleje e-krotnie w stosunku do wartości na oświetlanej powierzchni (średnia droga przebyta przez nośnik między jego generacją a rekombinacją). Typowa wartość dla Si w 300K: od 10-5cm do 10-3cm. Między czasem życia a średnią drogą dyfuzji zachodzi związek: L=(D*τ)1/2