Teoria Obwodów - Laboratorium
Temat: Badanie tranzystora unipolarnego
Wykonali:
Maćkowski Krzysztof
Korman Adam
Szepe Daniel

1. Schemat układu pomiarowego:

1. Wykaz przyrządów:

• zasilacz stabilizowany regulowany 5 V;

• zasilacz stabilizowany regulowany 60 V;

• rezystory dodatkowe;

• zestaw z badanym tranzystorem unipolarnym;

• mierniki cyfrowe;

• mierniki uniwersalne

1. Wyznaczanie charakterystyki przejściowej I_D = f(U_GS) przy U_DS = const.

UDS= 5 V	UDS= 10 V	UDS= 15 V
UGS	ID	UGS
V	mA	V
4,07	210	3,4
3,16	176	3,23
3,08	110	3,19
3,06	70	3,1
3,04	53	3,07
2,95	19	3,01
2,9	13,4	3
2,85	7,2	2,98
2,7	2	2,8
2,5	1
2,4	0

1. Wyznaczanie charakterystyki wyjściowej I_D = f(U_DS) przy U_GS = const.

UGS= 3,1 V	UGS= 3,5 V	UGS= 3,8 V
UDS	ID	UDS
V	mA	V
0	0	0
0,7	29	0,2
1	39,5	0,4
1,4	60	0,8
1,8	72	1,2
2,2	89	1,8
2,8	108	2,2
3,5	120	2,8
4,5	126	3,4
5,5	132	4,5
7,5	140	5,6
11	156	7
10,3	425	12,3

1. Wykresy charakterystyk

WYKRES CHARAKTERYSTYKI PRZEJŚCIOWEJ

WYKRES CHARAKTERYSTYKI WYJŚCIOWEJ

1. Wnioski:

a) Charakterystyka przejściowa - zależność prądu drenu (I_D) od napięcia bramka-źródło (U_GS) przy stałym napięciu dren-źródło (U_DS). Na podstawie tej charakterystyki możemy stwierdzić, że przy małych wartościach napięcia między bramką, a źródłem wartości prądu drenu są w przybliżeniu podobne, a przy większej wartości napięcia między bramką a źródłem(około 3V), obserwujemy duże różnice wartości prądu drenu (Id) przy różnych wartościach napięcia między drenem, a źródłem.

b) Charakterystyka wyjściowa - zależność prądu drenu (I_D) od napięcia dren-źródło (U_DS), przy stałym napięciu bramka-źródło (U_GS).Na podstawie tej charakterystyki można powiedzieć, że w zakresie liniowym (nienasycenia) tranzystor unipolarny zachowuje się jak rezystor półprzewodnikowy. Prąd I_D ze wzrostem napięcia U_DS wzrasta w przybliżeniu liniowo.

W zakresie nasycenia napięcie U_DS bardzo nieznacznie wpływa na wartość prądu drenu, natomiast bramka zachowuje właściwości sterujące

c) Napięcie między bramką a źródłem (U_GS) nie może przekroczyć 4 V gdyż grozi to uszkodzeniem badanego tranzystora.

d) Zastosowanie tranzystorów :

Tranzystory są wykorzystywane do budowy wzmacniaczy różnego rodzaju:

• różnicowych;

• operacyjnych;

• mocy;

• selektywnych;

• szerokopasmowych;

Jest kluczowym elementem w konstrukcji wielu układów elektronicznych, takich jak źródła prądowe, lustra prądowe, stabilizatory, przesuwniki napięcia, klucze elektroniczne, przerzutniki, generatory i wiele innych.

Ponieważ tranzystor może pełnić rolę klucza elektronicznego, z tranzystorów buduje się także bramki logiczne realizujące podstawowe funkcje boolowskie, co stało się motorem do bardzo dynamicznego rozwoju techniki cyfrowej w ostatnich kilkudziesięciu latach. Tranzystory są także podstawowym budulcem wielu rodzajów pamięci półprzewodnikowych (RAM, ROM itp.).