wiązania jonowe - gdy elektrony walencyjne jednego atomu elektrododatniego są przyłączane przez drugi atom elektroujemny, powstaje wiązanie jonowe
Wiązania atomowe(kowalencyjne) W przypadku atomów pierwiastków elektroujemnych, zwykle gazów, elektrony walencyjne pierwotnie różnych atomów tworzą pary elektronów należące wspólnie do jąder dwóch atomów.
wiązania metaliczne - wiązanie metaliczne występuje w dużych skupiskach atomów pierwiastków metalicznych, które po zbliżeniu się na wystarczająco małą odległość, charakterystyczną dla stałego stanu skupienia, oddają swoje
Wiązania siłami van der Waalsa - Siłami van der Waalsa nazywamy siły wzajemnego przyciągania się cząsteczek. Siły te działają między cząsteczkami substancji gazowych i ciekłych, jak również między cząsteczkami w sieciach krystalicznych molekularnych.
Układy krystalograficzne i typy sieci przestrzennych
Sieć regularna ściennie centrowana A1:
Elementarną komórkę sieci regularnej ściennie centrowanej A1 w kształcie
sześcianu tworzy 14 rdzeni atomowych. Spośród nich 8 rdzeni atomowych jest
usytuowanych w narożach, natomiast 6 - w środku geometrycznym ścian bocznych
sześcianu; Liczba koordynacyjna dla atomów sieci A1 wynosi 12. A liczba rdzeni atomowych przypadających na jedną komórkę sieciową - 4.
Siec regularna przestrzennie centrowana A2:
Sieć A2 charakteryzuje się mniejszą gęstością wypełnienia rdzeniami Atomowymi niż A1. Komórkę A2 tworzy 12 rdzeni atomowych .Liczba koordynacyjna dla atomów sieci A2 wynosi 8. A liczba rdzeni atomowych przypadających na jedną komórkę sieciową - 2
Sieć heksagonalna A3:
o gęstym ułożeniu rdzeni atomowych - 3 elementarne komórki sieciowe są złożone z 17 rdzeni atomowych z których 12 znajduje się w narożach prostopadłościanu o podstawie sześciokąta foremnego,
2 - w środku geometrycznym podstaw, a 3 pozostałe są usytuowane symetrycznie we wnętrzu elementarnej komórki sieciowej.
Liczba koordynacyjna dla atomów sieci A3 wynosi 12. A liczba rdzeni atomowych przypadających na jedną komórkę sieciową - 2.
Wady budowy krystalicznej
Wady budowy krystalicznej w istotny sposób wpływają na własności wytrzymałościowe i plastyczne metali..
Defekty punktowe
Do nich należą wakanse, tj. wolne węzły w sieci krystal., oraz atomy międzywęzłowe, które zajęły pozycje w lukach opuszczając węzły sieci na skutek drgań cieplnych.
Mechanizmy tworzenia wad punktowych: Liczba wad punktowych budowy krystalicznej jest funkcją temperatury Podwyższeniu temperatury towarzyszy wzrost amplitudy drgań cieplnych, co ułatwia opuszczenie przez rdzenie atomowe pozycji w węźle sieci krystalicznej. Wyróżnia się tu dwa mechanizmy:
defekt Schottky'ego - polega na przemieszczaniu się atomu w miejsce sąsiadującego wakansu w wyniku czego powstaje wakans w innym miejscu sieci.
defekt Frenkla - polega na przemieszczeniu się rdzenia atomowego z pozycji węzłowej do przestrzeni międzywęzłowej.
Wzrost gęstości defektów powoduje wzrost oporności, wzrost twardości i obniżenie plastyczności.
Defekty liniowe (dyslokacje):
krawędziowa - dyslokacja krawędziowa stanowi krawędź ekstrapłaszczyzny, tj. półpłaszczyzny
sieciowej umieszczonej między nieco rozsuniętymi płaszczyznami sieciowymi kryształu budowie prawidłowej. W zależności od położenia dodatkowej półpłaszczyzny dyslokacje mogą być dodatnie lub ujemne. Wokół dyslokacji krawędziowej występuje jednocześnie postaciowe i objętościowe odkształcenie kryształu.
Jako miarę tego zaburzenia przyjęto wektor Burgersa. Wyznacza się go za pomocą tzw. konturu Burgersa (obiegu składającego się z jednakowej liczby odstępów sieciowych w każdym kierunku). Jego długość określa wielkość zaburzenia w dyslokacji krawędziowej. Jest prostopadły do linii dyslokacji, a jego zwrot jest zgodny z kierunkiem.
śrubowa - defekt liniowy struktury krystalicznej spowodowany przemieszczeniem części kryształu wokół osi, zwanej linią dyslokacji śrubowej. Wektor Burgersa dyslokacji śrubowej jest skierowany równolegle do jej lini. Dyslokacje śrubowe występują wtedy, gdy na materiał działają naprężenia tnące skierowane przeciwnie. Pod działaniem tych naprężeń dyslokacje śrubowe przemieszczają się. Dyslokacje śrubowe mogą być prawo- lub lewoskrętne.
mieszana - dyslokacja o dowolnej orientacji wektora Burgersa względem linii dyslokacji (nierównoległy i nie-prostopadły)
Wady powierzchniowe: występują na granicach ziaren na skutek ich naturalnego rozrostu, prowadzą do zmniejszenia własności wytrzymałościowych.
Wady Powierchniowe-
-granice ziaren (daszkowe lub skrętne): wąsko kątowe ; szeroko kątowe.
-błędy ułożenia: całkowite (WB równy parametrowi sieci) ; cząstkowe (WB równy części p.s.)
-Kwarki to cząstki elementarne, ktore nie są trwałe samodzielnie, lecz wchodzą w skład innych cząstek.
Rozrożnia się następujące kwarki: u (up - gorny), d (down - dolny), c (charm - powabny), s (strange
- dziwny), t (top - wierzchołkowy lub true - prawdziwy), b (beauty - piękny lub bottom - denny).
-gluony - kwanty energii spajające kwarki.
-Nukleony - tj. protony i neutrony.
-Leptony to cząstki elementarne, na które nie wpływają oddziaływania silne.
-Zakaz Pauliego - W jednym atomie nie może być dwóch elektronów o identycznej kombinacji liczb kwantowych.
-Liczby Kwantowe: główna liczba kwantowa, poboczna liczba kwantowa, magnetyczna liczba kwantowa, spinowa liczba kwantowa.
-Granica plastyczności to wartość naprężenia przy której zaczynają powstawać nieodwracalne odkształcenia plastyczne. Za umowne kryterium do określenia tej granicy przyjmuje się trwałe odkształcenie względne równe 0,002.
-Górna granica plastyczności najczęściej jest wyjaśniana odrywaniem się dyslokacji
od tzw. atmosfer Cottrella, tj. atmosfer atomów obcych, np. C lub N, usytuowanych w pobliżu jądra dyslokacji.
-Dolna granica plastyczności zwiększa się wraz ze zmniejszeniem wielkości ziarn
Wyżarzanie
Wyżarzanie to operacja zwykłej obróbki cieplnej polegająca na nagrzaniu stali do określonej temperatury, wygrzaniu w tej temperaturze i studzeniu w celu uzyskania struktur zbliżonych do stanu równowagi.
Odpuszczanie
Odpuszczanie polega na nagrzaniu stali zahartowanej do temperatury niższej od Ac1, wygrzaniu w tej temperaturze i ochłodzeniu do temperatury pokojowej