LABORATORIUM PRZYRZĄDÓW PÓŁPRZEWODNIKOWYCH

dla II roku Telekomunikacji i Aparatury Elektronicznej

sala 302A - C3

SPIS ĆWICZEŃ

1. CHARAKTERYSTYKI STAŁOPRĄDOWE DIODY P+-N - diody prostownicze

2. POJEMNOŚĆ ZŁĄCZA P­+N - diody pojemnościowe

3. PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE DIODY - diody detekcyjne Schottky'ego

4. EFEKTY DYNAMICZNE PRZEŁĄCZANIA DIODY - diody impulsowe

5. DIODY SPECJALNE ; stabilizacyjne (Zenera) i tunelowe

6. PARAMETRY TERMICZNE DIODY

7. TYRYSTORY I TRIAKI

8. TRANZYSTORY JEDNOZŁĄCZOWE

9. CHARAKTERYSTYKI STAŁOPRĄDOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

10. PARAMETRY MAŁOSYGNAŁOWE TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH

11. WZMACNIACZ EMITEROWY

12. PARAMETRY IMPULSOWE TRANZYSTORÓW

13. REZYSTANCJA TERMICZNA TRANZYSTORÓW MOCY

14. ZŁĄCZOWE TRANZYSTORY POLOWE

15. TRANZYSTORY POLOWE MOS

PLAN ZAJĘĆ LABORATORYJNYCH w r.a. 2005/06

w wymiarze czasowym 10x(3x45'0=30 godzin lekcyjnych

1^o - zajęcia organizacyjne 3.÷7.X.05

2^o - I tura 5. zajęć laboratoryjnych: 24.X ÷ 2.XII.05

3^o- II tura 4. zajęć laboratoryjnych: 5.XII.05 ÷7.I.06

4^o- kolokwium przejściowe i zaliczenia:9.÷21.I.06

W I turze zajęć będą wykonywane ćwiczenia (pojedyncze lub w zestawach):

1.+5., 2., 4., 9., oraz 10.+11.

w II turze:

6.(+13.), 7.+8., 12., 14., i 15.