1. Cel ćwiczenia:

Podstawowym celem ćwiczenia jest poznanie statycznych charakterystyk tranzystorów polowych złączowych oraz metod identyfikacji parametrów tych tranzystorów.

2. Wyniki pomiarów:

Lp.	UGS[V]	UDS[V]	ID[mA]
1	0,00	0,00	0,00
2	0,00	0,06	0,22
3	0,00	0,12	0,44
4	0,00	0,21	0,74
5	0,00	0,35	1,17
6	0,00	0,43	1,44
7	0,00	0,67	2,14
8	0,00	0,88	2,69
9	0,00	1,35	3,74
10	0,00	1,57	4,15
11	0,00	2,00	4,83
12	0,00	2,69	5,57
13	0,00	3,24	5,90
14	0,00	4,05	6,21
15	0,00	4,82	6,38
16	0,00	5,50	6,47
17	0,00	6,10	6,53
18	0,00	6,50	6,55
19	0,00	7,00	6,56

Lp.	UGS[V]	UDS[V]	ID[mA]
1	-1,00	0,14	0,28
2	-1,00	0,28	0,52
3	-1,00	0,50	0,86
4	-1,00	0,75	1,20
5	-1,00	1,00	1,46
6	-1,00	1,30	1,70
7	-1,00	1,60	1,90
8	-1,00	1,85	2,01
9	-1,00	2,07	2,08
10	-1,00	2,30	2,13
11	-1,00	2,90	2,24
12	-1,00	3,43	2,30
13	-1,00	4,22	2,35
14	-1,00	5,16	2,40
15	-1,00	5,91	2,42
16	-1,00	6,13	2,44
17	-1,00	6,80	2,44
18	-1,00	7,00	2,45

Lp.	UDS[V]	UGS[V]	ID[mA]
1	1,5	0,75	6,47
2	1,5	0,40	4,97
3	1,5	0,15	4,38
4	1,5	0,00	4,04
5	1,5	-0,23	3,50
6	1,5	-0,76	2,37
7	1,5	-1,20	1,41
8	1,5	-1,50	0,82
9	1,5	-1,75	0,37
10	1,5	-2,00	0,11
11	1,5	-2,21	0,02
12	1,5	-2,51	0,00
13

Lp.	UDS[V]	UGS[V]	ID[mA]
1	2,5	0,60	7,59
2	2,5	0,29	6,42
3	2,5	0,15	5,92
4	2,5	0,00	5,39
5	2,5	-0,16	4,85
6	2,5	-0,40	4,04
7	2,5	-0,75	2,91
8	2,5	-1,00	2,21
9	2,5	-1,30	1,36
10	2,5	-1,71	0,50
11	2,5	-2,00	0,12
12	2,5	-2,12	0,04
13	2,5	-2,32	0,00

3. Obliczenia

UGS	UDS	gd
0	0,5	3,6
0	1	3,2
0	1,5	2,9
-1	0,5	1,72
-1	1	1,46
-1	1,5	1,23

UDS	UGS	gm
-0,75	1,5	-3,11
-1,3	1,5	-1,23
-2	1,5	-0,06
-0,75	1,5	-3,88
-1,3	1,5	-1,36
-2	1,5	-0,06

Przewodnictwo kanału jest typu n

U_P = 4,82

I_DSS = 6,38

3. Wnioski

Na ćwiczeniu dowiedzieliśmy się jak działają tranzystory polowe złączowe. Wyznaczenie charakterystyk wyjściowych pozwoliło nam zobrazować jak zachowują się te tranzystory.