Fotodioda

Sprawozdanie Fizyka 3.3

Michał Trzciński
Marcin Dobrowolski

Data wykonania ćwiczenia: 24.04.2014

Grupa nr 3

Ćwiczenie numer 5

Tytuł: Fotodioda

  1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest pomiar charakterystyk prądowo–napięciowych (I-V) fotodiody nieoświetlonej i oświetlonej.

  1. Układ pomiarowy:

  2. Przyrządy pomiarowe:

  1. Mierzenie charakterystyki prądowo-napięciowej fotodiody

    1. Fotodiody nieoświetlonej

    2. Fotodiody oświetlonej dla natężeń prądu diody oświetlającej równych {5mA; 12mA; 19mA; 26mA; 33mA; 41,90mA}

    3. Fotodiody oświetlonej oddalonej od diody LED w odległościach równych {10cm, 15cm, 20 cm, 25cm, 30cm} dla stałych ILED = 41, 97mA oraz Ufot = −10mV

  2. Wzory:

    1. Fotodioda nieoświetlona

|Ux| = |Ux| • 0, 03%+0, 0002[V] $\text{δU}_{x} = \frac{{U}_{x}}{U_{x}} \bullet 100\%\lbrack\%\rbrack$

|Ix| = |Ix| • 0, 15%+0, 01[mA] $\text{δI}_{x} = \frac{{I}_{x}}{I_{x}} \bullet 100\%\lbrack\%\rbrack$

$R_{s} = \frac{1}{a/1000}$ $V_{\text{bi}} = \frac{- b}{a}$

  1. Fotodioda oświetlona dla natężeń prądu diody oświetlającej równych {5mA; 12mA; 19mA; 26mA; 33mA; 41,90mA}

|Ux| = |Ux| • 0, 03%+0, 0002[V] $\text{δU}_{x} = \frac{{U}_{x}}{U_{x}} \bullet 100\%\lbrack\%\rbrack$

dla I > ∼500 μA: |Ix| = |Ix| • 0, 1%+2 [μA] $\text{δI}_{x} = \frac{{I}_{x}}{I_{x}} \bullet 100\%\lbrack\%\rbrack$

dla I < ∼500 μA: |Ix| = |Ix| • 0, 15%+0, 2 [μA] $\text{δI}_{x} = \frac{{I}_{x}}{I_{x}} \bullet 100\%\lbrack\%\rbrack$

  1. Fotodiody oświetlonej oddalonej od diody LED w odległościach równych {10cm, 15cm, 20 cm, 25cm, 30cm} dla stałych ILED = 41, 97mA oraz Ufot = −10mV

|Ix| = |Ix| • 0, 15%+0, 2 [μA] $\text{δI}_{x} = \frac{{I}_{x}}{I_{x}} \bullet 100\%\lbrack\%\rbrack$

  1. Tabele pomiarów, wykresy i przykładowe obliczenia i wyniki

    1. Fotodiody nieoświetlonej

      1. Wybrane pomiary charakterystyki prądowo -napięciowej

Lp U[V] ΔU[V] δU[%] I[mA] ΔI[mA] δI[%]
1 -3,9873 -0,0014 0,04% -0,002 -0,011 550,00%
2 0,0001 0,0003 300,00% 0,002 0,011 550,00%
3 0,3042 0,0003 0,10% 0,001 0,011 1100,00%
4 0,3190 0,0003 0,09% 0,003 0,011 366,67%
5 0,6030 0,0004 0,07% 2,179 0,014 0,64%
6 0,7340 0,0005 0,07% 9,654 0,025 0,26%
7 0,7347 0,0005 0,07% 9,725 0,025 0,26%
8 0,9114 0,0005 0,05% 39,019 0,069 0,18%
9 0,9151 0,0005 0,05% 39,798 0,070 0,18%
10 0,9170 0,0005 0,05% 40,194 0,071 0,18%

Przykładowe obliczenia:


|Ux| = |Ux| • 0, 03%+0, 0002 = 0, 7347 • 0, 03%+0, 0002 = 0, 00042041 ≈ 0, 0005V


$$\text{δU}_{x} = \frac{{U}_{x}}{U_{x}} \bullet 100\% = \frac{0,0005}{0,7347} \bullet 100\% = 0,067\% \approx 0,07\%$$


|Ix| = |Ix| • 0, 15%+0, 01 = 9, 725 • 0, 15%+0, 01 = 0, 245875 ≈ 0, 025 mA


$$\text{δI}_{x} = \frac{{I}_{x}}{I_{x}} \bullet 100\% = \frac{0,025}{9,725} \bullet 100\% = 0,2570\% \approx 0,26\%$$

  1. Wykres charakterystyki prądowo-napięciowej fotodiody nieoświetlonej


$$V_{\text{bi}} = \frac{- b}{a} = \frac{- ( - 158,17)}{216,19} = 0,731642 \approx 0,7316\ V$$

Aby stwierdzić, z jakiego materiału została wykonana fotodioda należy obliczyć jej przerwę energetyczną:


Eg = eVbi = 1e • 0, 7316 = 0, 7316 eV

Materiałem o najbliższej przerwie energetycznej do Eg to antymonek galu (0,726 eV), więc możemy przyjąć, że to z niego jest wykonana fotodioda.

  1. Wykres ln(I)=f(V)

$V = V_{I_{0}} - \frac{(I_{0} - b)}{a} = 0,917 - \frac{40,194 - 10,765}{19,588} = 0,917 - 0,737 = 0,18\ V$


$$R_{s} = \frac{V}{I_{0}\lbrack A\rbrack} = \frac{0,18}{40,194/1000} = 4,4782\ \approx 4,48\Omega$$

  1. Fotodioda oświetlona dla natężeń prądu diody oświetlającej równych {5mA; 12mA; 19mA; 26mA; 33mA; 41,90mA}

    1. Wybrane pomiary charakterystyki prądowo -napięciowej dla ILED = 5 mA

LP U[V] ΔU[V] δU[%] I[μA] ΔI[μA] δI[%]
1 -0,2672 -0,0003 0,11% -129,2 -0,4 0,31%
2 -0,1851 -0,0003 0,16% -129,12 -0,4 0,31%
3 -0,0048 -0,0003 6,25% -128,91 -0,4 0,31%
4 0,0042 0,0003 7,14% -128,88 -0,4 0,31%
5 0,2689 0,0003 0,11% -124,33 -0,39 0,31%
6 0,2747 0,0003 0,11% -123,7 -0,39 0,32%
7 0,3881 0,0004 0,10% -73,33 -0,31 0,42%
8 0,3927 0,0004 0,10% -68,29 -0,31 0,45%
9 0,5006 0,0004 0,08% 176,91 0,47 0,27%
10 0,509 0,0004 0,08% 209,02 0,52 0,25%

Przykładowe obliczenia:


|Ux| = |Ux| • 0, 03%+0, 0002 = 0, 00028241 ≈ 0, 0003 V

$\text{δU}_{x} = \frac{{U}_{x}}{U_{x}} \bullet 100\% = \frac{0,0003}{0,2747} \bullet 100\% = 0,10921\% \approx 0,11\%$


|Ix| = |Ix| • 0, 15%+0, 2 = 176, 91 • 0, 15%+0, 2 = 0, 465365 ≈ 0, 47 μA


$$\text{δI}_{x} = \frac{{I}_{x}}{I_{x}} \bullet 100\% = \frac{0,47}{176,91} \bullet 100\% = 0,2656\% \approx 0,27\%$$

  1. Wybrane pomiary charakterystyki prądowo -napięciowej dla ILED = 12 mA

LP U[V] ΔU[V] δU[%] I[μA] ΔI[μA] δI[%]
1 -0,3012 -0,0003 0,10% -335,79 -0,71 0,21%
2 -0,0623 -0,0003 0,48% -335,01 -0,71 0,21%
3 0,0481 0,0003 0,62% -334,55 -0,71 0,21%
4 0,3252 0,0003 0,09% -299,98 -0,65 0,22%
5 0,3328 0,0003 0,09% -295,18 -0,65 0,22%
6 0,337 0,0004 0,12% -291,42 -0,64 0,22%
7 0,0009 0,0003 33,33% -334,77 -0,71 0,21%
8 0,4802 0,0004 0,08% -0,79 -0,21 26,58%
9 0,5263 0,0004 0,08% 196,99 0,50 0,25%
10 0,5269 0,0004 0,08% 201,4 0,51 0,25%

Przykładowe obliczenia:

analogicznie w poprzednim podpunkcie.

  1. Wybrane pomiary charakterystyki prądowo -napięciowej dla ILED = 19 mA

LP U[V] ΔU[V] δU[%] I[μA] ΔI[μA] δI[%]
1 -0,3 -0,0003 0,10% -538,2 -2,6 0,48%
2 0,0609 0,0003 0,49% -535,7 -2,6 0,49%
3 0,3935 0,0004 0,10% -376,34 -0,77 0,20%
4 0,3961 0,0004 0,10% -371,74 -0,76 0,20%
5 0,5019 0,0004 0,08% 3,7 0,21 5,68%
6 0,5117 0,0004 0,08% 49,03 0,28 0,57%
7 0,5124 0,0004 0,08% 55,54 0,29 0,52%
8 0,5154 0,0004 0,08% 68,55 0,31 0,45%
9 0,5388 0,0004 0,07% 194,5 0,5 0,26%
10 0,5397 0,0004 0,07% 199,55 0,5 0,25%

Przykładowe obliczenia:


|Ix| = |Ix| • 0, 1%+2 = 538, 2 • 0, 1%+2 = 2, 5382 ≈ 2, 6

Reszta analogicznie jak w poprzednim podpunkcie.

  1. Wybrane pomiary charakterystyki prądowo -napięciowej dla ILED = 26 mA

LP U[V] ΔU[V] δU[%] I[μA] ΔI[μA] δI[%]
1 -0,299 -0,0003 0,10% -731,4 -2,8 0,38%
2 -0,2068 -0,0003 0,15% -730,3 -2,8 0,38%
3 0,156 0,0003 0,19% -717,1 -2,8 0,39%
4 0,2754 0,0003 0,11% -678 -2,7 0,40%
5 0,2811 0,0003 0,11% -674,3 -2,7 0,40%
6 0,2858 0,0003 0,10% -671,2 -2,7 0,40%
7 0,514 0,0004 0,08% -0,56 -0,3 53,57%
8 0,5146 0,0004 0,08% 3,64 0,3 8,24%
9 0,548 0,0004 0,07% 192,81 0,5 0,26%
10 0,5489 0,0004 0,07% 198,86 0,5 0,25%

Przykładowe obliczenia:

Analogicznie jak w poprzednim punkcie

  1. Wybrane pomiary charakterystyki prądowo -napięciowej dla ILED = 33 mA

LP U[V] ΔU[V] δU[%] I[μA] ΔI[μA] δI[%]
1 -0,0003 0,10% -912,6 -3 0,33% -0,0003
2 -0,0037 -0,0003 8,11% -906,7 -3 0,33%
3 0,0021 0,0003 14,29% -906,4 -3 0,33%
4 0,2658 0,0003 0,11% -840,5 -2,9 0,35%
5 0,2729 0,0003 0,11% -835,5 -2,9 0,35%
6 0,5234 0,0004 0,08% -3,64 -0,21 5,77%
7 0,5278 0,0004 0,08% 24 0,24 1,00%
8 0,5438 0,0004 0,07% 123,51 0,39 0,32%
9 0,5553 0,0004 0,07% 192,87 0,49 0,25%
10 0,5568 0,0004 0,07% 201,86 0,51 0,25%

Przykładowe obliczenia:

Analogicznie jak w poprzednim punkcie

  1. Wybrane pomiary charakterystyki prądowo -napięciowej dla ILED = 33 mA

LP U[V] ΔU[V] δU[%] I[μA] ΔI[μA] δI[%]
1 -0,2997 -0,0003 0,10% -1123,9 -3,2 0,28%
2 -0,0857 -0,0003 0,35% -1118,2 -3,2 0,29%
3 -0,0001 -0,0003 300,00% -1112,3 -3,2 0,29%
4 0,1817 0,0003 0,17% -1076 -3,1 0,29%
5 0,1917 0,0003 0,16% -1071,2 -3,1 0,29%
6 0,5311 0,0004 0,08% -1,2 -0,21 17,50%
7 0,5312 0,0004 0,08% 0,28 0,21 75,00%
8 0,5486 0,0004 0,07% 106,53 0,36 0,34%
9 0,5613 0,0004 0,07% 191,77 0,49 0,26%
10 0,5631 0,0004 0,07% 202,22 0,51 0,25%

Przykładowe obliczenia:

Analogicznie jak w poprzednim punkcie.

  1. Wykres charakterystyk prądowo-napięciowy dla funkcji ILED

Prądy zwarcia oraz napięcia rozwarcia:

dla ILED = 5 mA: ISC =   − 128, 90 ± 0, 40 μA , Voc = 0, 4360  ± 0, 0004 V

dla ILED = 12 mA : ISC = −334, 78 ± 0, 71 μA , Voc = 0, 4810  ± 0, 0004 V

dla ILED = 1 9mA : ISC = −536, 4  ± 2, 6 μA , Voc = 0, 5010 ± 0, 0004 V

dla ILED = 26 mA : ISC = −728, 00  ± 2, 8 μA , Voc = 0, 5143 ± 0, 0004 V

dla ILED = 33 mA : ISC = −906, 3 ± 3, 0 μA , Voc = 0, 5242 ± 0, 0004 V

dla ILED = 41, 90 mA : ISC = −1112, 2 ± 3, 2 μA , Voc = 0, 5312 ± 0, 0004 V

  1. Rezystancja szeregowa diody oświetlonej


δI = 100 μA


$$R_{s} = \left| \frac{1}{a/10^{6}} \right| = \left| \frac{1}{6512,8/10^{6}} \right| = 151,545\Omega$$

  1. Fotodiody oświetlonej oddalonej od diody LED w odległościach równych {10cm, 15cm, 20 cm, 25cm, 30cm} dla stałych ILED = 41, 97mA oraz Ufot = −10mV

    1. Tabelka pomiarowa oraz przykładowe obliczenia

Lp d[cm] I[μA] ΔI[μA] δI[%]
1 10 -43,48 -0,27 0,62%
2 15 -21,04 -0,24 1,14%
3 20 -12,07 -0,22 1,82%
4 25 -7,62 -0,22 2,89%
5 30 -5,45 -0,21 3,85%

Przykładowe obliczenia:

|Ix| = |Ix| • 0, 15%+0, 2 = 21, 04 • 0, 15%+0, 2 = 0, 23156 ≈ 0, 24 μA

  1. Wykres zależności Isc od $\frac{1}{d^{2}}$:

  1. Wnioski

    1. Nieoświetlona fotodioda nie zachowuje sie tak jak normalny przewodnik. Do pewnego napięcia prąd praktycznie nie płynie przez fotodiodę. Dla wyższych napięć rośnie w przybliżeniu liniowo w badanym zakresie.

    2. Fotodioda oświetlona w funkcji ILED wraz z wzrostem ILED wartość bezwzględna Isc rośnie. Gdy fotodioda jest oświetlona wytwarza ona prąd w kierunku zaporowym, zależy on od natężenia światła padającego na fotodiodę (im większa ilość podających fotonów na fotodiodę tym większy prąd wsteczny).

    3. Rezystancja szeregowa jest o wiele bardziej większa fotodiody oświetlonej niż fotodiody nieoświetlonej

    4. Fotodioda oświetlona w funkcji odległości wraz z wzrostem odległości wartość bezwzględna Isc maleje. Zależność Isc od $\frac{1}{d^{2}}$ jest liniowa, czyli prawo odwrotnych kwadratów zostało zachowane.


Wyszukiwarka