POLITECHNIKA WROCŁAWSKA Instytut Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych	Dorota Burdyna 202307 Zofia Lenkiewicz 202343 Maciej Kozak 202372 GRUPA 3	Kierunek ETK Rok studiów 2 Semestr IV letni Rok akademicki 2013/2014
LABORATORIUM PODSTAW ELEKTRONIKI
Data ćwiczenia : 19.03.2014	TEMAT: Tranzystorowe źródła prądowe	Ocena
Numer ćwiczenia : 3

1. Cel ćwiczenia:

Pomiar prądów i napięć w układach z parametrycznym źródłem prądowym na tranzystorze bipolarnym n-p-n, kompensacyjnym stabilizatorem prądu na tranzystorze bipolarnym p-n-p

i kompensacyjnym stabilizatorem prądu na tranzystorze polowym JFETn. Poznanie właściwości tranzystora w różnych stanach pracy.

2. Spis przyrządów:

Przyrządy ze stanowiska nr 3:

Multimetr – amperomierz METEX, typ MXD-4660A

Multimetr – woltomierz, typ DT-380

Rezystor dekadowy

Zasilacz nastawny ZMM-3/97A

Tranzystor npn BC548B

Tranzystor pnp BC556B

Tranzystor JFETn BF245

3. Charakterystyki tranzystorów:

1. Parametryczny stabilizator prądu na tranzystorze bipolarnym n-p-n.

A. Schemat układu:

B. Wyniki pomiarów:

Charakterystyki Io=f(EC) i Io=f(Uo)
[-]
0,1
0,4
0,7
Stan zatkania
Stan nasycenia

C. Przykładowe obliczenia:

Potencjał Early’ego = 200V dla tranzystora npn o małej mocy

D. Wykresy:

Wykres I_o=f(U_o) dla E_C=parametr

Wykres I_o=f(E_C) dla U_oparametr

E. Zestawienie wartości obliczonych i zmierzonych:

Wartości obliczone na podstawie wzorów teoretycznych	Wartości średnie obliczone na podstawie wykonanych pomiarów	Wartości średnie obliczone na podstawie wykresów
[S]	[]	[]
3,83*10^-5	0,13	40,0

2. Kompensacyjny stabilizator prądu na tranzystorze bipolarnym p-n-p.

A. Schemat układu:

B. Wyniki pomiarów:

Charakterystyki Io=f(EE) i Io=f(Uo)
[-]
0,1
0,4
0,7

C. Przykładowe obliczenia:

Potencjał Early’ego = 150V dla tranzystora pnp o małej mocy

D. Wykresy:

Wykres I_o=f(U_o) dla E_E=parametr

Wykres I_o=f(E_E) dla U_oparametr

E. Zestawienie wartości obliczonych i zmierzonych:

Wartości obliczone na podstawie wzorów teoretycznych	Wartości średnie obliczone na podstawie wykonanych pomiarów	Wartości średnie obliczone na podstawie wykresów
[S]	[]	[]
1,35*10^-5	0,045	5,025

3.Kompensacyjny stabilizator prądu na tranzystorze polowym JFETn.

A. Schemat układu:

B. Wyniki pomiarów:

Charakterystyki Io=f(EE) i Io=f(Uo)
[-]
0,1
0,4
0,7

C. Przykładowe obliczenia:

D. Wykresy:

Wykres I_o=f(U_o) dla E_S=parametr

Wykres I_o=f(E_S) dla U_oparametr

E. Zestawienie wartości obliczonych i zmierzonych:

Wartości obliczone na podstawie wzorów teoretycznych	Wartości średnie obliczone na podstawie wykonanych pomiarów	Wartości średnie obliczone na podstawie wykresów
[S]	[]	[]
5,60*10^-5	0,18	55,37

3. Wnioski:

Z porównania dwóch stabilizatorów prądowych: parametrycznego i kompensacyjnego wynika, że lepszym stabilizatorem jest stabilizator kompensacyjny. Wynika to z jego dużo większej rezystancji wyjściowej (o 3 rzędy większa niż w przypadku stabilizatora parametrycznego). Charakterystyki kompensacyjnego stabilizatora prądu na tranzystorze polowym JFETn wyraźnie różnią się od pozostałych; dla małych wartości U_o tranzystor polowy znajduje się w stanie nienasycenia i zachowuje się jak rezystor (stąd niemal liniowa charakterystyka – prąd drenu jest niemal proporcjonalny do U_o). W momencie, gdy charakterystyka prądu drenu przebiega prawie poziomo tranzystor polowy znajduje się w stanie nasycenia.