62. Omów przepływ nośników w złączu p – n dla kierunku przewodzenia.

Przy polaryzacji złącza rzeczywistego w kierunku przewodzenia oprócz prądu

dyfuzyjnego należy uwzględnić prąd rekombinacji (związany z rekombinacją nośników prądu

w obszarze ładunku przestrzennego) oraz – szczególnie przy dużych wartościach prądu –

spadek napięcia przede wszystkim na rezystancji półprzewodnika poza ładunkiem

przestrzennym i na innych elementach konstrukcyjnych diody (kontakt metal-półprzewodnik, doprowadzenia).

Jeżeli zewnętrzne pole elektryczne przyłożone jest przeciwnie do pola złącza (biegun ujemny do n, a dodatni do p) , bariera potencjału maleje o wartość napięcia zewnętrznego, ponieważ polaryzacja zewnętrzna jest przeciwna w stosunku do biegunowości napięcia dyfuzyjnego, rośnie prawdopodobieństwo przejścia nośników większościowych ponad mniejszą barierą potencjału, czyli wzrasta prąd dyfuzji elektronów i dziur(nośników większościowych). Mały prąd nośników mniejszościowych nie zmienia się i nie odgrywa w tym przypadku większej roli. Przy dostatecznie dużych wartościach napięcia polaryzującego prąd dyfuzji nośników większościowych zdecydowanie przeważa nad prądem unoszenia nośników mniejszościowych.