SPRAWOZDANIE Z ĆW

SPRAWOZDANIE Z ĆW. Nr 3

Parametry aparatów telefonicznych - zgodność z wymaganiami

Wykonanie:

Patryk Bogdański

Konrad Chadamik

Sylwia Sulich

Cel ćwiczenia.

Celem ćwiczenia było zapoznanie się z wymaganiami Ministra Łączności dla elektronicznych aparatów telefonicznych CB ogólnego przeznaczenia oraz sposobami pomiarów podstawowych parametrów tych aparatów.

Przebieg ćwiczenia.

Rys.1. Układ pomiarowy

.

  1. Rezystancja dla prądu stałego

Rezystancja aparatu w stanie rozmowy powinna być zgodna z rys. 1 dla prądu liniowego w zakresie od 17 mA do 73 mA przy: podniesionym mikrotelefonie, włączonym układzie głośnego odsłuchu lub głośnej rozmowie.

Napięcie na zaciskach liniowych aparatu w wymienionych wyżej stanach dla prądu liniowego w zakresie od 0,5 mA do 4 mA nie powinno przekraczać wartości 8 V.

Aby wyliczyć norme użyliśmy następującego wzoru:

N=(I/1000)*600Ω

N=(22/1000)*600Ω=0,022*600=13,2

I[mA]

U[V]

R

norma

22

7,2

900

13,2

25

7,6

700

15

28

8,1

500

16,8

31

8,4

400

18,6

34

8,7

340

20,4

37

9,2

210

22,2

40

9,5

160

24

43

9,7

110

25,8

46

10,3

10

27,6

Rys. 2 Wartości dopuszczalnej rezystancji aparatu w stanie rozmowy w funkcji prądu liniowego.

Rys. 3 Zestawienie wyników pomiarowych z uwzględnieniem dopuszczalnych norm.

Rys. 3 Zestawienie wyników pomiarowych z uwzględnieniem dopuszczalnych norm.(pomiar w zakresie 0.5do3.5mA)

  1. Wybieranie tonowe (wieloczęstotliwościowe)

Wybieranie sposobem wieloczęstotliwościowym (DTMF) powinno spełniać następujące wymagania:

-6 dBm dla grupy H częstotliwości,

-8 dBm dla grupy L częstotliwości;

Rys. 4 Położenie cyfr lub symboli na klawiaturze oraz częstotliwości składowych w systemie wybierania tonowego

cyfra Hz dB U[V] Hz dB V[U]
1 698 -8 3,1 1208 -6 4
5 771 -8 3,1 1335 -6 4
9 852 -8 3,1 1477 -6 4
0 941 -8 3,1 1335 -6 4

Rys. 4 Zestawienie wyników pomiarowych

Wnioski


Wyszukiwarka