1.Energia aktywacji półprzewodnika wynosi:
a) <2eV
2.Przewodzenie prądu w półprzewodniku samoistnym
odbywa się w skutek przepływu:
c) dziur i elektronów
3.przy wzroście temperatury rezystywność półprzewodnika:
b) szybko maleje
4.Pole elektryczne i bariera potencjałów w złączu półprzewodnikowym:
c) hamują dyfuzję nośników większościowych i wspomaga ją dryf
nośników mniejszościowych
5.Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n zewnętrzne źródło napięcia powoduje:
a) wzrost natężenia wewnętrznego pola elektrycznego, który wywołuje
silne ograniczenie prądów dyfuzyjnych
6.Połączone równolegle diody w celu zwiększenia obciążalności
prądowej diody powinny mieć:
b) identyczne charakterystyki w kierunku przewodzenia
7.Zaletą opisu tranzystora za pomocą równań hybrydowych jest:
b) łatwość pomiarów współczynników macierzy [h]
8.Wzmacniacz o wzmocnieniu k z czwórnikiem sprzężenia zwrotnego o transmitancji
b może byś niestabilny gdy wzmocnienie pętli:
b) |k*b|®¥
9. Kryterium Nyguista mówi, że układa ze sprzężeniem zwrotnym jest niestabilny
gdy na płaszczyźnie zespolonej wykres iloczynu k*b przy zmiennej częstotliwości
od -¥ do ¥ przechodzi lub obejmuje punkt:
a) (1,j0)
10. Układ jest stabilny, jeżeli charakterystyka amplitudowa pętli sprzężenia zwrotnego
przy częstotliwości odpowiadającej wzmocnieniu jednostkowemu |k*b|= 1
ma nachylenie mniejsze niż:
b) 40dB/dekade
11. Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza z zamkniętą pętlą
sprzężenia zwrotnego będzie płaskaa przeregulowanie odpowiedzi impulsowej
nie przekroczy 5% jeżeli dla fn+
(dla której dodatkowe przesunięcie fazowe wynosi 180)
c)|k*b|<0,2
12. W filtrze Bessela charakterystyka opóźnienia grupowego jest
aproksymowana funkcją:
a) Pulterwortha
13. Przestrajanie generatora poprzez jednoczesną zmianę pojemności w
czwórniku drabinkowym RC zapewnia:
a) stałość współczynnika sprzężenia zwrotnego w trakcie przestrajania
14. przybliżony czas przetwarzania sygnału analogowego na cyfrowy w
n-bitowym przetworniku iteracyjnym
(z kompensacją wagową) wynosi:
b) nT
Gdzie T oznacza czas jednego porównania
15. Dekada jest to:
c) różnica częstotliwości o 10 razy
16. Powierzchnia wzmocnienia jest to:
a) iloczyn wzmocnienia i częstotliwości granicznej
17. Najlepsza jakość stabilizacji diody Zenera występuje dla
rezystancji dynamicznej równej:
a) 0W
18. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej:
c) zależy od pochodnej napięcia względem prądu
19. zastępczy model tranzystora dla prądu zmiennego obowiązuje:
c)dla tranzystora niespolaryzowanego
20. Dla poprawnego spolaryzowania tranzystora w układzie OB:
a) największa jest wartość prądu emitera
21. Idealny wzmacniacz operacyjny charakteryzuje się:
c) rezystancją wejściową różnicową równą
22. Wzmocnienie równe 20dB oznacza:
b) wzmocnienie sygnału wejściowego
23. Wzmocnienie równe 10dB oznacza:
a) wzmocnienie mocy równe 10
24. Największym wzmocnieniem mocy charakteryzuje się układ:
b) OE
25. Parametr h11 jest to
a) rezystancja (impedancja) wejściowa
26.Prąd wpływający do wejść idealnego wzmacniacza operacyjnego zależy od:
c) jego wartość wynosi zero
27. Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym:
zawsze odwraca fazę napięcia
28. Tranzystor jest:
a) bipolarny-trójnikiem
29. Napięcie stabilizacyjne diody Zenera:
c) jest to napięcie wsteczne nie niszczące diody
30. Dioda Zenera jest elementem:
b) nieliniowym
31. Dioda Zenera:
c) w kierunku przewodzenia zachowuje się jak zwykła dioda
32. stan nasycenia tranzystora występuje gdy:
c) obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia
33. W zakresie pracy aktywnej:
c) złącze B-C polaryzacja zaporowa, złącze B-C polaryzacja przewodzenia
34. Zależność prądu diody prostowniczej od napięcia polaryzującego
ją w kierunku przewodzenia jest:
c) wykładnicza
35. Idealna dioda prostownicza charakteryzuje się:
a) napięciem w kier przewodzenia = 0 i prądem wstecznym = 0
36. Dla tranzystora pnp pracującego w stanie aktywnym w układzie OE
zachodzi związek między potencjami:
a) Vc>Vb>Vc
37. Dodanie rezystora Rz między emitera a masę dla tranz pracującego
w stanie aktywnym w układzie OE powoduje:
b) spadek Ic i Ib
38. 0 dB to:
a) 1 V/V
39. Zaznaczony na poniższej logarytmicznej skali częstotliwości punkt fx
odpowiada częstotliwości:
b) Ö10 EXP 7 Hz
40. Zależność między parametrami i dla tranzystora jest następująca:
a) a=b/(b+1)
41. Wzmacniacz operacyjny pracujący w klasycznym układzie nieodwracającym
na wzmocnienie napięciowe:
c) Ku=-Z2/Z1
42. Układ SPF jest układem automatycznej regulacji w którym:
sygnał WE/WY są wyrażone przez wartość napięcia
43. Działanie układu SPF polega na:
wykrywaniu i korygowaniu niewielkich różnic przesunięcia fazowego
44. Warunek konieczny generacji drgań:
C)warunek amplitudy i fazy
1.Energia aktywacji półprzewodnika wynosi:
a) <2eV
2.Przewodzenie prądu w półprzewodniku samoistnym
odbywa się w skutek przepływu:
c) dziur i elektronów
3.przy wzroście temperatury rezystywność półprzewodnika:
b) szybko maleje
4.Pole elektryczne i bariera potencjałów w złączu półprzewodnikowym:
c) hamują dyfuzję nośników większościowych i wspomaga ją dryf
nośników mniejszościowych
5.Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n zewnętrzne źródło napięcia powoduje:
a) wzrost natężenia wewnętrznego pola elektrycznego, który wywołuje
silne ograniczenie prądów dyfuzyjnych
6.Połączone równolegle diody w celu zwiększenia obciążalności
prądowej diody powinny mieć:
b) identyczne charakterystyki w kierunku przewodzenia
7.Zaletą opisu tranzystora za pomocą równań hybrydowych jest:
b) łatwość pomiarów współczynników macierzy [h]
8.Wzmacniacz o wzmocnieniu k z czwórnikiem sprzężenia zwrotnego o transmitancji
b może byś niestabilny gdy wzmocnienie pętli:
b) |k*b|®¥
9. Kryterium Nyguista mówi, że układa ze sprzężeniem zwrotnym jest niestabilny
gdy na płaszczyźnie zespolonej wykres iloczynu k*b przy zmiennej częstotliwości
od -¥ do ¥ przechodzi lub obejmuje punkt:
a) (1,j0)
10. Układ jest stabilny, jeżeli charakterystyka amplitudowa pętli sprzężenia zwrotnego
przy częstotliwości odpowiadającej wzmocnieniu jednostkowemu |k*b|= 1
ma nachylenie mniejsze niż:
b) 40dB/dekade
11. Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza z zamkniętą pętlą
sprzężenia zwrotnego będzie płaskaa przeregulowanie odpowiedzi impulsowej
nie przekroczy 5% jeżeli dla fn+
(dla której dodatkowe przesunięcie fazowe wynosi 180)
c)|k*b|<0,2
12. W filtrze Bessela charakterystyka opóźnienia grupowego jest
aproksymowana funkcją:
a) Pulterwortha
13. Przestrajanie generatora poprzez jednoczesną zmianę pojemności w
czwórniku drabinkowym RC zapewnia:
a) stałość współczynnika sprzężenia zwrotnego w trakcie przestrajania
14. przybliżony czas przetwarzania sygnału analogowego na cyfrowy w
n-bitowym przetworniku iteracyjnym
(z kompensacją wagową) wynosi:
b) nT
Gdzie T oznacza czas jednego porównania
15. Dekada jest to:
c) różnica częstotliwości o 10 razy
16. Powierzchnia wzmocnienia jest to:
a) iloczyn wzmocnienia i częstotliwości granicznej
17. Najlepsza jakość stabilizacji diody Zenera występuje dla
rezystancji dynamicznej równej:
a) 0W
18. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej:
c) zależy od pochodnej napięcia względem prądu
19. zastępczy model tranzystora dla prądu zmiennego obowiązuje:
c)dla tranzystora niespolaryzowanego
20. Dla poprawnego spolaryzowania tranzystora w układzie OB:
a) największa jest wartość prądu emitera
21. Idealny wzmacniacz operacyjny charakteryzuje się:
c) rezystancją wejściową różnicową równą
22. Wzmocnienie równe 20dB oznacza:
b) wzmocnienie sygnału wejściowego
23. Wzmocnienie równe 10dB oznacza:
a) wzmocnienie mocy równe 10
24. Największym wzmocnieniem mocy charakteryzuje się układ:
b) OE
25. Parametr h11 jest to
a) rezystancja (impedancja) wejściowa
26.Prąd wpływający do wejść idealnego wzmacniacza operacyjnego zależy od:
c) jego wartość wynosi zero
27. Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym:
zawsze odwraca fazę napięcia
28. Tranzystor jest:
a) bipolarny-trójnikiem
29. Napięcie stabilizacyjne diody Zenera:
c) jest to napięcie wsteczne nie niszczące diody
30. Dioda Zenera jest elementem:
b) nieliniowym
31. Dioda Zenera:
c) w kierunku przewodzenia zachowuje się jak zwykła dioda
32. stan nasycenia tranzystora występuje gdy:
c) obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia
33. W zakresie pracy aktywnej:
c) złącze B-C polaryzacja zaporowa, złącze B-C polaryzacja przewodzenia
34. Zależność prądu diody prostowniczej od napięcia polaryzującego
ją w kierunku przewodzenia jest:
c) wykładnicza
35. Idealna dioda prostownicza charakteryzuje się:
a) napięciem w kier przewodzenia = 0 i prądem wstecznym = 0
36. Dla tranzystora pnp pracującego w stanie aktywnym w układzie OE
zachodzi związek między potencjami:
a) Vc>Vb>Vc
37. Dodanie rezystora Rz między emitera a masę dla tranz pracującego
w stanie aktywnym w układzie OE powoduje:
b) spadek Ic i Ib
38. 0 dB to:
a) 1 V/V
39. Zaznaczony na poniższej logarytmicznej skali częstotliwości punkt fx
odpowiada częstotliwości:
b) Ö10 EXP 7 Hz
40. Zależność między parametrami i dla tranzystora jest następująca:
a) a=b/(b+1)
41. Wzmacniacz operacyjny pracujący w klasycznym układzie nieodwracającym
na wzmocnienie napięciowe:
c) Ku=-Z2/Z1
42. Układ SPF jest układem automatycznej regulacji w którym:
sygnał WE/WY są wyrażone przez wartość napięcia
43. Działanie układu SPF polega na:
wykrywaniu i korygowaniu niewielkich różnic przesunięcia fazowego
44. Warunek konieczny generacji drgań:
C)warunek amplitudy i fazy
1.Energia aktywacji półprzewodnika wynosi:
a) <2eV
2.Przewodzenie prądu w półprzewodniku samoistnym
odbywa się w skutek przepływu:
c) dziur i elektronów
3.przy wzroście temperatury rezystywność półprzewodnika:
b) szybko maleje
4.Pole elektryczne i bariera potencjałów w złączu półprzewodnikowym:
c) hamują dyfuzję nośników większościowych i wspomaga ją dryf
nośników mniejszościowych
5.Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n zewnętrzne źródło napięcia powoduje:
a) wzrost natężenia wewnętrznego pola elektrycznego, który wywołuje
silne ograniczenie prądów dyfuzyjnych
6.Połączone równolegle diody w celu zwiększenia obciążalności
prądowej diody powinny mieć:
b) identyczne charakterystyki w kierunku przewodzenia
7.Zaletą opisu tranzystora za pomocą równań hybrydowych jest:
b) łatwość pomiarów współczynników macierzy [h]
8.Wzmacniacz o wzmocnieniu k z czwórnikiem sprzężenia zwrotnego o transmitancji
b może byś niestabilny gdy wzmocnienie pętli:
b) |k*b|®¥
9. Kryterium Nyguista mówi, że układa ze sprzężeniem zwrotnym jest niestabilny
gdy na płaszczyźnie zespolonej wykres iloczynu k*b przy zmiennej częstotliwości
od -¥ do ¥ przechodzi lub obejmuje punkt:
a) (1,j0)
10. Układ jest stabilny, jeżeli charakterystyka amplitudowa pętli sprzężenia zwrotnego
przy częstotliwości odpowiadającej wzmocnieniu jednostkowemu |k*b|= 1
ma nachylenie mniejsze niż:
b) 40dB/dekade
11. Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza z zamkniętą pętlą
sprzężenia zwrotnego będzie płaskaa przeregulowanie odpowiedzi impulsowej
nie przekroczy 5% jeżeli dla fn+
(dla której dodatkowe przesunięcie fazowe wynosi 180)
c)|k*b|<0,2
12. W filtrze Bessela charakterystyka opóźnienia grupowego jest
aproksymowana funkcją:
a) Pulterwortha
13. Przestrajanie generatora poprzez jednoczesną zmianę pojemności w
czwórniku drabinkowym RC zapewnia:
a) stałość współczynnika sprzężenia zwrotnego w trakcie przestrajania
14. przybliżony czas przetwarzania sygnału analogowego na cyfrowy w
n-bitowym przetworniku iteracyjnym
(z kompensacją wagową) wynosi:
b) nT
Gdzie T oznacza czas jednego porównania
15. Dekada jest to:
c) różnica częstotliwości o 10 razy
16. Powierzchnia wzmocnienia jest to:
a) iloczyn wzmocnienia i częstotliwości granicznej
17. Najlepsza jakość stabilizacji diody Zenera występuje dla
rezystancji dynamicznej równej:
a) 0W
18. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej:
c) zależy od pochodnej napięcia względem prądu
19. zastępczy model tranzystora dla prądu zmiennego obowiązuje:
c)dla tranzystora niespolaryzowanego
20. Dla poprawnego spolaryzowania tranzystora w układzie OB:
a) największa jest wartość prądu emitera
21. Idealny wzmacniacz operacyjny charakteryzuje się:
c) rezystancją wejściową różnicową równą
22. Wzmocnienie równe 20dB oznacza:
b) wzmocnienie sygnału wejściowego
23. Wzmocnienie równe 10dB oznacza:
a) wzmocnienie mocy równe 10
24. Największym wzmocnieniem mocy charakteryzuje się układ:
b) OE
25. Parametr h11 jest to
a) rezystancja (impedancja) wejściowa
26.Prąd wpływający do wejść idealnego wzmacniacza operacyjnego zależy od:
c) jego wartość wynosi zero
27. Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym:
zawsze odwraca fazę napięcia
28. Tranzystor jest:
a) bipolarny-trójnikiem
29. Napięcie stabilizacyjne diody Zenera:
c) jest to napięcie wsteczne nie niszczące diody
30. Dioda Zenera jest elementem:
b) nieliniowym
31. Dioda Zenera:
c) w kierunku przewodzenia zachowuje się jak zwykła dioda
32. stan nasycenia tranzystora występuje gdy:
c) obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia
33. W zakresie pracy aktywnej:
c) złącze B-C polaryzacja zaporowa, złącze B-C polaryzacja przewodzenia
34. Zależność prądu diody prostowniczej od napięcia polaryzującego
ją w kierunku przewodzenia jest:
c) wykładnicza
35. Idealna dioda prostownicza charakteryzuje się:
a) napięciem w kier przewodzenia = 0 i prądem wstecznym = 0
36. Dla tranzystora pnp pracującego w stanie aktywnym w układzie OE
zachodzi związek między potencjami:
a) Vc>Vb>Vc
37. Dodanie rezystora Rz między emitera a masę dla tranz pracującego
w stanie aktywnym w układzie OE powoduje:
b) spadek Ic i Ib
38. 0 dB to:
a) 1 V/V
39. Zaznaczony na poniższej logarytmicznej skali częstotliwości punkt fx
odpowiada częstotliwości:
b) Ö10 EXP 7 Hz
40. Zależność między parametrami i dla tranzystora jest następująca:
a) a=b/(b+1)
41. Wzmacniacz operacyjny pracujący w klasycznym układzie nieodwracającym
na wzmocnienie napięciowe:
c) Ku=-Z2/Z1
42. Układ SPF jest układem automatycznej regulacji w którym:
sygnał WE/WY są wyrażone przez wartość napięcia
43. Działanie układu SPF polega na:
wykrywaniu i korygowaniu niewielkich różnic przesunięcia fazowego
44. Warunek konieczny generacji drgań:
C)warunek amplitudy i fazy
1.Energia aktywacji półprzewodnika wynosi:
a) <2eV
2.Przewodzenie prądu w półprzewodniku samoistnym
odbywa się w skutek przepływu:
c) dziur i elektronów
3.przy wzroście temperatury rezystywność półprzewodnika:
b) szybko maleje
4.Pole elektryczne i bariera potencjałów w złączu półprzewodnikowym:
c) hamują dyfuzję nośników większościowych i wspomaga ją dryf
nośników mniejszościowych
5.Przy polaryzacji zaporowej złącza p-n zewnętrzne źródło napięcia powoduje:
a) wzrost natężenia wewnętrznego pola elektrycznego, który wywołuje
silne ograniczenie prądów dyfuzyjnych
6.Połączone równolegle diody w celu zwiększenia obciążalności
prądowej diody powinny mieć:
b) identyczne charakterystyki w kierunku przewodzenia
7.Zaletą opisu tranzystora za pomocą równań hybrydowych jest:
b) łatwość pomiarów współczynników macierzy [h]
8.Wzmacniacz o wzmocnieniu k z czwórnikiem sprzężenia zwrotnego o transmitancji
b może byś niestabilny gdy wzmocnienie pętli:
b) |k*b|®¥
9. Kryterium Nyguista mówi, że układa ze sprzężeniem zwrotnym jest niestabilny
gdy na płaszczyźnie zespolonej wykres iloczynu k*b przy zmiennej częstotliwości
od -¥ do ¥ przechodzi lub obejmuje punkt:
a) (1,j0)
10. Układ jest stabilny, jeżeli charakterystyka amplitudowa pętli sprzężenia zwrotnego
przy częstotliwości odpowiadającej wzmocnieniu jednostkowemu |k*b|= 1
ma nachylenie mniejsze niż:
b) 40dB/dekade
11. Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza z zamkniętą pętlą
sprzężenia zwrotnego będzie płaskaa przeregulowanie odpowiedzi impulsowej
nie przekroczy 5% jeżeli dla fn+
(dla której dodatkowe przesunięcie fazowe wynosi 180)
c)|k*b|<0,2
12. W filtrze Bessela charakterystyka opóźnienia grupowego jest
aproksymowana funkcją:
a) Pulterwortha
13. Przestrajanie generatora poprzez jednoczesną zmianę pojemności w
czwórniku drabinkowym RC zapewnia:
a) stałość współczynnika sprzężenia zwrotnego w trakcie przestrajania
14. przybliżony czas przetwarzania sygnału analogowego na cyfrowy w
n-bitowym przetworniku iteracyjnym
(z kompensacją wagową) wynosi:
b) nT
Gdzie T oznacza czas jednego porównania
15. Dekada jest to:
c) różnica częstotliwości o 10 razy
16. Powierzchnia wzmocnienia jest to:
a) iloczyn wzmocnienia i częstotliwości granicznej
17. Najlepsza jakość stabilizacji diody Zenera występuje dla
rezystancji dynamicznej równej:
a) 0W
18. Rezystancja dynamiczna diody prostowniczej:
c) zależy od pochodnej napięcia względem prądu
19. zastępczy model tranzystora dla prądu zmiennego obowiązuje:
c)dla tranzystora niespolaryzowanego
20. Dla poprawnego spolaryzowania tranzystora w układzie OB:
a) największa jest wartość prądu emitera
21. Idealny wzmacniacz operacyjny charakteryzuje się:
c) rezystancją wejściową różnicową równą
22. Wzmocnienie równe 20dB oznacza:
b) wzmocnienie sygnału wejściowego
23. Wzmocnienie równe 10dB oznacza:
a) wzmocnienie mocy równe 10
24. Największym wzmocnieniem mocy charakteryzuje się układ:
b) OE
25. Parametr h11 jest to
a) rezystancja (impedancja) wejściowa
26.Prąd wpływający do wejść idealnego wzmacniacza operacyjnego zależy od:
c) jego wartość wynosi zero
27. Wzmacniacz operacyjny z ujemnym sprzężeniem zwrotnym:
zawsze odwraca fazę napięcia
28. Tranzystor jest:
a) bipolarny-trójnikiem
29. Napięcie stabilizacyjne diody Zenera:
c) jest to napięcie wsteczne nie niszczące diody
30. Dioda Zenera jest elementem:
b) nieliniowym
31. Dioda Zenera:
c) w kierunku przewodzenia zachowuje się jak zwykła dioda
32. stan nasycenia tranzystora występuje gdy:
c) obydwa złącza są spolaryzowane w kierunku przewodzenia
33. W zakresie pracy aktywnej:
c) złącze B-C polaryzacja zaporowa, złącze B-C polaryzacja przewodzenia
34. Zależność prądu diody prostowniczej od napięcia polaryzującego
ją w kierunku przewodzenia jest:
c) wykładnicza
35. Idealna dioda prostownicza charakteryzuje się:
a) napięciem w kier przewodzenia = 0 i prądem wstecznym = 0
36. Dla tranzystora pnp pracującego w stanie aktywnym w układzie OE
zachodzi związek między potencjami:
a) Vc>Vb>Vc
37. Dodanie rezystora Rz między emitera a masę dla tranz pracującego
w stanie aktywnym w układzie OE powoduje:
b) spadek Ic i Ib
38. 0 dB to:
a) 1 V/V
39. Zaznaczony na poniższej logarytmicznej skali częstotliwości punkt fx
odpowiada częstotliwości:
b) Ö10 EXP 7 Hz
40. Zależność między parametrami i dla tranzystora jest następująca:
a) a=b/(b+1)
41. Wzmacniacz operacyjny pracujący w klasycznym układzie nieodwracającym
na wzmocnienie napięciowe:
c) Ku=-Z2/Z1
42. Układ SPF jest układem automatycznej regulacji w którym:
sygnał WE/WY są wyrażone przez wartość napięcia
43. Działanie układu SPF polega na:
wykrywaniu i korygowaniu niewielkich różnic przesunięcia fazowego
44. Warunek konieczny generacji drgań:
C)warunek amplitudy i fazy